公开(公告)号：US10217644B2

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：US13556217

申请日：2012-07-24

申请人： Thomas Grille ,  Ursula Hedenig ,  Joern Plagmann ,  Helmut Schoenherr ,  Ralph Muth

发明人： Thomas Grille ,  Ursula Hedenig ,  Joern Plagmann ,  Helmut Schoenherr ,  Ralph Muth

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00

摘要： In various aspects of the disclosure, a semiconductor device including at least one semiconductor die; a dielectric layer adjoining the semiconductor die; geometric structures formed in the dielectric layer; and a conductive layer deposited over the dielectric layer, wherein the conductive layer is at least partially located over the geometric structures.

公开(公告)号：US08330274B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12893009

申请日：2010-09-29

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Joern Plagmann ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Rainer Steiner ,  Mathias Vaupel

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Joern Plagmann ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Rainer Steiner ,  Mathias Vaupel

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L24/03 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

摘要： One or more embodiments relate to a method of forming a semiconductor structure, comprising: providing a workpiece; forming a barrier layer over the workpiece; forming a seed layer over the barrier layer; forming an inhibitor layer over the seed layer; removing a portion of said inhibitor layer to expose a portion of the seed layer; and selectively depositing a fill layer on the exposed seed layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及一种形成半导体结构的方法，包括：提供工件; 在工件上形成阻挡层; 在阻挡层上形成种子层; 在种子层上形成抑制层; 去除所述抑制剂层的一部分以暴露所述种子层的一部分; 并且在曝光的种子层上选择性地沉积填充层。

公开(公告)号：US08148257B1

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US12894190

申请日：2010-09-30

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Joern Plagmann ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Rainer Steiner ,  Mathias Vaupel

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Joern Plagmann ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Rainer Steiner ,  Mathias Vaupel

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One or more embodiments relate to a method of forming an electronic device, comprising: providing a workpiece; forming a first barrier layer over the workpiece; forming an intermediate conductive layer over the first barrier layer; forming a second barrier layer over the intermediate conductive layer; forming a seed layer over the second barrier layer; removing a portion of the seed layer to leave a remaining portion of the seed layer and to expose a portion of the second barrier layer; and electroplating a fill layer on the remaining portion of the seed layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及一种形成电子设备的方法，包括：提供工件; 在工件上形成第一阻挡层; 在所述第一阻挡层上形成中间导电层; 在所述中间导电层上形成第二阻挡层; 在所述第二阻挡层上形成种子层; 去除种子层的一部分以留下种子层的剩余部分并暴露第二阻挡层的一部分; 并在种子层的剩余部分上电镀填充层。

公开(公告)号：US07851362B2

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：US12029262

申请日：2008-02-11

申请人： Joern Plagmann ,  Holger Poehle

发明人： Joern Plagmann ,  Holger Poehle

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/491

CPC分类号： H01L21/31053 ,  H01L21/7624

摘要： In order to reduce an unevenness of a surface of a body, a sacrificial layer is applied to the surface, a chemical-mechanical polishing of the sacrificial layer and material of said body is performed to reduce the unevenness of the surface, and a remainder of the sacrificial layer, if any, may be removed.

摘要翻译： 为了减少主体表面的不均匀性，向表面施加牺牲层，进行牺牲层的化学机械抛光和所述主体的材料以减小表面的不均匀性，并且剩余部分 可以去除牺牲层（如果有的话）。

公开(公告)号：US20140027915A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US13556217

申请日：2012-07-24

申请人： Thomas GRILLE ,  Ursula Hedenig ,  Joern Plagmann ,  Helmut Schoenherr ,  Ralph Muth

发明人： Thomas GRILLE ,  Ursula Hedenig ,  Joern Plagmann ,  Helmut Schoenherr ,  Ralph Muth

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76822 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

摘要： In various aspects of the disclosure, a semiconductor device including at least one semiconductor die; a dielectric layer adjoining the semiconductor die; geometric structures formed in the dielectric layer; and a conductive layer deposited over the dielectric layer, wherein the conductive layer is at least partially located over the geometric structures.

摘要翻译： 在本公开的各个方面中，包括至少一个半导体管芯的半导体器件; 邻接半导体管芯的电介质层; 电介质层中形成的几何结构; 以及沉积在所述介电层上的导电层，其中所述导电层至少部分地位于所述几何结构之上。

公开(公告)号：US20120080791A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US12894190

申请日：2010-09-30

申请人： Hans-Joachim BARTH ,  Gottfried BEER ,  Joern PLAGMANN ,  Jens POHL ,  Werner ROBL ,  Rainer STEINER ,  Mathias VAUPEL

发明人： Hans-Joachim BARTH ,  Gottfried BEER ,  Joern PLAGMANN ,  Jens POHL ,  Werner ROBL ,  Rainer STEINER ,  Mathias VAUPEL

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One or more embodiments relate to a method of forming an electronic device, comprising: providing a workpiece; forming a first barrier layer over the workpiece; forming an intermediate conductive layer over the first barrier layer; forming a second barrier layer over the intermediate conductive layer; forming a seed layer over the second barrier layer; removing a portion of the seed layer to leave a remaining portion of the seed layer and to expose a portion of the second barrier layer; and electroplating a fill layer on the remaining portion of the seed layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及一种形成电子设备的方法，包括：提供工件; 在工件上形成第一阻挡层; 在所述第一阻挡层上形成中间导电层; 在所述中间导电层上形成第二阻挡层; 在所述第二阻挡层上形成种子层; 去除种子层的一部分以留下种子层的剩余部分并暴露第二阻挡层的一部分; 并在种子层的剩余部分上电镀填充层。

公开(公告)号：US20120074574A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US12893009

申请日：2010-09-29

申请人： Hans-Joachim BARTH ,  Gottfried BEER ,  Joern PLAGMANN ,  Jens POHL ,  Werner ROBL ,  Rainer STEINER ,  Mathias VAUPEL

发明人： Hans-Joachim BARTH ,  Gottfried BEER ,  Joern PLAGMANN ,  Jens POHL ,  Werner ROBL ,  Rainer STEINER ,  Mathias VAUPEL

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L24/03 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

摘要： One or more embodiments relate to a method of forming a semiconductor structure, comprising: providing a workpiece; forming a barrier layer over the workpiece; forming a seed layer over the barrier layer; forming an inhibitor layer over the seed layer; removing a portion of said inhibitor layer to expose a portion of the seed layer; and selectively depositing a fill layer on the exposed seed layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及一种形成半导体结构的方法，包括：提供工件; 在工件上形成阻挡层; 在阻挡层上形成种子层; 在种子层上形成抑制层; 去除所述抑制剂层的一部分以暴露所述种子层的一部分; 并且在曝光的种子层上选择性地沉积填充层。

公开(公告)号：US20090203220A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：US12029262

申请日：2008-02-11

申请人： Joern Plagmann ,  Holger Poehle

发明人： Joern Plagmann ,  Holger Poehle

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/31053 ,  H01L21/7624

摘要： In order to reduce an unevenness of a surface of a body, a sacrificial layer is applied to the surface, a chemical-mechanical polishing of the sacrificial layer and material of said body is performed to reduce the unevenness of the surface, and a remainder of the sacrificial layer, if any, may be removed.

摘要翻译： 为了减少主体表面的不均匀性，向表面施加牺牲层，进行牺牲层的化学机械抛光和所述主体的材料以减小表面的不均匀性，并且剩余部分 可以去除牺牲层（如果有的话）。