公开(公告)号：US20140332937A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：US14330066

申请日：2014-07-14

申请人： Markus Brunnbauer ,  Thorsten Meyer ,  Stephan Bradl ,  Ralf Plieninger ,  Jens Pohl ,  Klaus Pressel ,  Recai Sezi

发明人： Markus Brunnbauer ,  Thorsten Meyer ,  Stephan Bradl ,  Ralf Plieninger ,  Jens Pohl ,  Klaus Pressel ,  Recai Sezi

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/48 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L23/60 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1617 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A workpiece has at least two semiconductor chips, each semiconductor chip having a first main surface, which is at least partially exposed, and a second main surface. The workpiece also comprises an electrically conducting layer, arranged on the at least two semiconductor chips, the electrically conducting layer being arranged at least on regions of the second main surface, and a molding compound, arranged on the electrically conducting layer.

摘要翻译： 工件具有至少两个半导体芯片，每个半导体芯片具有至少部分暴露的第一主表面和第二主表面。 所述工件还包括布置在所述至少两个半导体芯片上的导电层，所述导电层至少布置在所述第二主表面的区域上，所述模制化合物布置在所述导电层上。

公开(公告)号：US08361745B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US12374080

申请日：2007-07-17

申请人： Jens Pohl ,  Frank Ploeger

发明人： Jens Pohl ,  Frank Ploeger

IPC分类号： C12N15/00 ,  C12N15/09 ,  C12N15/12 ,  C12N15/19 ,  A61K38/00 ,  A61K38/16 ,  A61K38/17 ,  A61K38/18 ,  A61K38/19

CPC分类号： A61K38/1875 ,  A61K38/00 ,  A61K38/482 ,  C07K14/475

摘要： This invention relates to the production and use of pharmaceutical growth factor compositions with novel characteristics, e.g., improved solubility and controlled release characteristics under physiological conditions. Compositions of one or more precursor proteins of growth factors of the GDF family provoke morphogenic effects, such as growth, differentiation, protection and regeneration of a variety of tissues and organs, e.g., bone, cartilage, tendons, ligaments, nerves and skin. These compositions can be advantageously used for the healing of tissue-destructive injuries and for the prevention or therapy of degenerative disorders.

摘要翻译： 本发明涉及具有新特性的药物生长因子组合物的生产和使用，例如生理条件下溶解度和控制释放特性的改善。 GDF家族生长因子的一种或多种前体蛋白质的组成引起形态发生的作用，例如各种组织和器官（例如骨，软骨，腱，韧带，神经和皮肤）的生长，分化，保护和再生。 这些组合物可有利地用于组织破坏性损伤的愈合和用于预防或治疗退行性疾病。

公开(公告)号：US20120322729A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13457957

申请日：2012-04-27

申请人： Jens Pohl ,  Frank Plöger ,  Michael Kruse

发明人： Jens Pohl ,  Frank Plöger ,  Michael Kruse

IPC分类号： A61K38/18 ,  A61P19/00 ,  A61P1/02 ,  A61P7/00 ,  A61P17/02 ,  A61P15/08 ,  A61P25/28 ,  A61P25/16 ,  A61P25/00 ,  A61P25/14 ,  A61P1/00 ,  A61P17/00 ,  A61P19/02

CPC分类号： C07K14/495 ,  A61K38/00 ,  C07K14/475

摘要： The invention relates to novel biosynthetic growth factor mutants which exhibit improved biological activity.

摘要翻译： 本发明涉及表现出改善的生物活性的新型生物合成生长因子突变体。

公开(公告)号：US08188226B2

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US12094227

申请日：2006-11-17

申请人： Jens Pohl ,  Frank Ploeger ,  Michael Kruse

发明人： Jens Pohl ,  Frank Ploeger ,  Michael Kruse

IPC分类号： C07K14/51 ,  A61K38/18 ,  C07H21/04 ,  C12N15/00 ,  C12N1/21 ,  C12P21/00

CPC分类号： C07K14/495 ,  A61K38/00 ,  C07K14/475

摘要： The application relates to novel biosynthetic growth factor mutants, derived from GDF-5, which exhibit improved biological activity. Mutations at positions 453 and 456 of human GDF-5 are disclosed, as well as use of these mutants in therapy of diseases associated with tissue degeneration/destruction.

摘要翻译： 该应用涉及衍生自GDF-5的新型生物合成生长因子突变体，其表现出改善的生物活性。 公开了人GDF-5位置453和456处的突变，以及这些突变体在与组织变性/破坏相关的疾病的治疗中的用途。

公开(公告)号：US08163694B2

公开(公告)日：2012-04-24

申请号：US12336895

申请日：2008-12-17

申请人： Jens Pohl ,  Rolf Bechtold ,  Michael Kruse

发明人： Jens Pohl ,  Rolf Bechtold ,  Michael Kruse

IPC分类号： A61K38/00 ,  A61K38/16 ,  A61K38/17 ,  A61K38/18 ,  A61K38/39

CPC分类号： C07K14/51 ,  A61L27/34 ,  A61L27/56 ,  A61L2430/02 ,  C07K14/475 ,  C07K14/495 ,  C08L89/00

摘要： The present invention concerns improved osteoinductive materials comprising matrix materials and morphogenetic proteins, wherein depending on the subject matter the proteins may be dimeric or monomeric proteins. The osteoinductive materials according to the present invention have improved properties. The invention further concerns methods for producing the respective improved osteoinductive materials.

摘要翻译： 本发明涉及包含基质材料和形态发生蛋白质的改进的骨诱导材料，其中取决于主题，蛋白质可以是二聚体或单体蛋白质。 根据本发明的骨诱导材料具有改善的性质。 本发明还涉及生产各种改进的骨诱导材料的方法。

公开(公告)号：US20120080791A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US12894190

申请日：2010-09-30

申请人： Hans-Joachim BARTH ,  Gottfried BEER ,  Joern PLAGMANN ,  Jens POHL ,  Werner ROBL ,  Rainer STEINER ,  Mathias VAUPEL

发明人： Hans-Joachim BARTH ,  Gottfried BEER ,  Joern PLAGMANN ,  Jens POHL ,  Werner ROBL ,  Rainer STEINER ,  Mathias VAUPEL

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One or more embodiments relate to a method of forming an electronic device, comprising: providing a workpiece; forming a first barrier layer over the workpiece; forming an intermediate conductive layer over the first barrier layer; forming a second barrier layer over the intermediate conductive layer; forming a seed layer over the second barrier layer; removing a portion of the seed layer to leave a remaining portion of the seed layer and to expose a portion of the second barrier layer; and electroplating a fill layer on the remaining portion of the seed layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及一种形成电子设备的方法，包括：提供工件; 在工件上形成第一阻挡层; 在所述第一阻挡层上形成中间导电层; 在所述中间导电层上形成第二阻挡层; 在所述第二阻挡层上形成种子层; 去除种子层的一部分以留下种子层的剩余部分并暴露第二阻挡层的一部分; 并在种子层的剩余部分上电镀填充层。

公开(公告)号：US20120074574A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US12893009

申请日：2010-09-29

申请人： Hans-Joachim BARTH ,  Gottfried BEER ,  Joern PLAGMANN ,  Jens POHL ,  Werner ROBL ,  Rainer STEINER ,  Mathias VAUPEL

发明人： Hans-Joachim BARTH ,  Gottfried BEER ,  Joern PLAGMANN ,  Jens POHL ,  Werner ROBL ,  Rainer STEINER ,  Mathias VAUPEL

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L24/03 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

摘要： One or more embodiments relate to a method of forming a semiconductor structure, comprising: providing a workpiece; forming a barrier layer over the workpiece; forming a seed layer over the barrier layer; forming an inhibitor layer over the seed layer; removing a portion of said inhibitor layer to expose a portion of the seed layer; and selectively depositing a fill layer on the exposed seed layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及一种形成半导体结构的方法，包括：提供工件; 在工件上形成阻挡层; 在阻挡层上形成种子层; 在种子层上形成抑制层; 去除所述抑制剂层的一部分以暴露所述种子层的一部分; 并且在曝光的种子层上选择性地沉积填充层。

公开(公告)号：US08072071B2

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：US12389103

申请日：2009-02-19

申请人： Rainer Steiner ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Markus Brunnbauer ,  Gottfried Beer

发明人： Rainer Steiner ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Markus Brunnbauer ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a chip comprising a contact element, a structured dielectric layer over the chip, and a conductive element coupled to the contact element. The conductive element comprises a first portion embedded in the structured dielectric layer, a second portion at least partially spaced apart from the first portion and embedded in the structured dielectric layer, and a third portion contacting a top of the structured dielectric layer and extending at least vertically over the first portion and the second portion.

摘要翻译： 半导体器件包括芯片，其包括接触元件，芯片上方的结构化介电层以及耦合到接触元件的导电元件。 导电元件包括​​嵌入结构化电介质层中的第一部分，与第一部分至少部分间隔开并嵌入结构化介电层的第二部分，以及接触结构化介电层顶部并至少延伸的第三部分 垂直于第一部分和第二部分。

公开(公告)号：US20110291256A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US12791443

申请日：2010-06-01

申请人： Rainer Steiner ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Gottfried Beer

发明人： Rainer Steiner ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/05 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor chip includes a contact pad on a main surface of the chip. An electrically conductive layer is applied onto the contact pad. The main surface of the semiconductor chip is covered with an insulating layer. An electrically conductive contact area is formed within the insulating layer such that the contact area and the insulating layer include coplanar exposed surfaces and the contact area is electrically connected with the electrically conductive layer and includes an extension which is greater than the extension of the electrically conductive layer along a direction parallel to the main surface of the semiconductor chip.

摘要翻译： 半导体芯片包括在芯片的主表面上的接触焊盘。 将导电层施加到接触垫上。 半导体芯片的主表面被绝缘层覆盖。 导电接触区域形成在绝缘层内，使得接触区域和绝缘层包括共面的暴露表面，并且接触区域与导电层电连接，并且包括延伸部，其延伸大于导电 层沿着与半导体芯片的主表面平行的方向。

公开(公告)号：US20100207272A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12389103

申请日：2009-02-19

申请人： Rainer Steiner ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Markus Brunnbauer ,  Gottfried Beer

发明人： Rainer Steiner ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Markus Brunnbauer ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a chip comprising a contact element, a structured dielectric layer over the chip, and a conductive element coupled to the contact element. The conductive element comprises a first portion embedded in the structured dielectric layer, a second portion at least partially spaced apart from the first portion and embedded in the structured dielectric layer, and a third portion contacting a top of the structured dielectric layer and extending at least vertically over the first portion and the second portion.

摘要翻译： 半导体器件包括芯片，其包括接触元件，芯片上方的结构化介电层以及耦合到接触元件的导电元件。 导电元件包括​​嵌入结构化电介质层中的第一部分，与第一部分至少部分间隔开并嵌入结构化介电层的第二部分，以及接触结构化介电层顶部并至少延伸的第三部分 垂直于第一部分和第二部分。