公开(公告)号：US20050035405A1

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：US10886007

申请日：2004-07-07

申请人： Anton Mauder ,  Holger Ruthing ,  Gerhard Miller ,  Hans Schulze ,  Josef Georg Bauer ,  Elmar Falck

发明人： Anton Mauder ,  Holger Ruthing ,  Gerhard Miller ,  Hans Schulze ,  Josef Georg Bauer ,  Elmar Falck

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7395

摘要： A vertical power semiconductor component, e.g. a diode or an IGBT, in which there are formed, on the rear side (R) of a substrate (S), a rear side emitter (14, 14a) or a cathode emitter (24) and, over that, a rear side metal layer (15; 25) that at least partly covers the latter, is defined by the fact that, in the edge region (11; 21) of the component (1-4), provision is made of injection attenuation means (18; 28; 14a; 15a) for reducing the charge carrier injection from the rear side emitter (14, 14a) or the cathode emitter (24) into said edge section (11; 21).

摘要翻译： 垂直功率半导体部件，例如 二极管或IGBT，其中在基板（S）的后侧（R），后侧发射极（14,14a）或阴极发射极（24）上形成二极管或IGBT， 至少部分地覆盖后者的金属层（15; 25）由以下事实限定：在部件（1-4）的边缘区域（11; 21）中，设置有注入衰减装置（18; 28; 14a; 15a），用于将从后侧发射器（14,14a）或阴极发射器（24）的电荷载流子注入到所述边缘部分（11; 21）中。

公开(公告)号：US07233031B2

公开(公告)日：2007-06-19

申请号：US10886007

申请日：2004-07-07

申请人： Anton Mauder ,  Holger Rüthing ,  Gerhard Miller ,  Hans Joachim Schulze ,  Josef Georg Bauer ,  Elmar Falck

发明人： Anton Mauder ,  Holger Rüthing ,  Gerhard Miller ,  Hans Joachim Schulze ,  Josef Georg Bauer ,  Elmar Falck

IPC分类号： H01L29/74

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7395

摘要： A vertical power semiconductor component, e.g. a diode or an IGBT, in which there are formed, on the rear side of a substrate, a rear side emitter or a cathode emitter and, over that, a rear side metal layer that at least partly covers the latter, is defined by the fact that, in the edge region of the component, provision is made of injection attenuation means for reducing the charge carrier injection from the rear side emitter or the cathode emitter into said edge section.

摘要翻译： 垂直功率半导体部件，例如 二极管或IGBT，其中在衬底的背面形成有后侧发射极或阴极发射极，并且由此至少部分覆盖其的后侧金属层由 事实上，在部件的边缘区域中，提供了用于减少从后侧发射器或阴极发射器进入所述边缘部分的电荷载流子注入的注入衰减装置。

公开(公告)号：US08884342B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13598488

申请日：2012-08-29

申请人： Gerhard Schmidt ,  Josef-Georg Bauer ,  Carsten Schaeffer ,  Oliver Humbel ,  Angelika Koprowski ,  Sirinpa Monayakul

发明人： Gerhard Schmidt ,  Josef-Georg Bauer ,  Carsten Schaeffer ,  Oliver Humbel ,  Angelika Koprowski ,  Sirinpa Monayakul

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66143 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/283 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/408 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor body with a first surface, a contact electrode arranged on the first surface, and a passivation layer on the first surface adjacent the contact electrode. The passivation layer includes a layer stack with an amorphous semi-insulating layer on the first surface, a first nitride layer on the amorphous semi-insulating layer, and a second nitride layer on the first nitride layer.

摘要翻译： 半导体器件包括具有第一表面的半导体本体，布置在第一表面上的接触电极以及与接触电极相邻的第一表面上的钝化层。 钝化层包括在第一表面上具有非晶半绝缘层的层叠层，非晶半绝缘层上的第一氮化物层和第一氮化物层上的第二氮化物层。

公开(公告)号：US20140061733A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13598488

申请日：2012-08-29

申请人： Gerhard Schmidt ,  Josef-Georg Bauer ,  Carsten Schaeffer ,  Oliver Humbel ,  Angelika Koprowski ,  Sirinpa Monayakul

发明人： Gerhard Schmidt ,  Josef-Georg Bauer ,  Carsten Schaeffer ,  Oliver Humbel ,  Angelika Koprowski ,  Sirinpa Monayakul

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66143 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/283 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/408 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor body with a first surface, a contact electrode arranged on the first surface, and a passivation layer on the first surface adjacent the contact electrode. The passivation layer includes a layer stack with an amorphous semi-insulating layer on the first surface, a first nitride layer on the amorphous semi-insulating layer, and a second nitride layer on the first nitride layer.

摘要翻译： 半导体器件包括具有第一表面的半导体本体，布置在第一表面上的接触电极以及与接触电极相邻的第一表面上的钝化层。 钝化层包括在第一表面上具有非晶半绝缘层的层叠层，非晶半绝缘层上的第一氮化物层和第一氮化物层上的第二氮化物层。

公开(公告)号：US07612388B2

公开(公告)日：2009-11-03

申请号：US09761240

申请日：2001-01-17

申请人： Josef-Georg Bauer ,  Heinrich Brunner ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Josef-Georg Bauer ,  Heinrich Brunner ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/74

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L29/1016 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/749

摘要： The power semiconductor element has an emitter region and a stop zone in front of the emitter region. The conductivities of the emitter region and of the stop zone are opposed to one another. In order to reduce not only the static but also the dynamic loss of the power semiconductor foreign atoms are used in the stop-zone. The foreign atoms have at least one energy level within the band gap of the semiconductor and at least 200 meV away from the conduction band and valence band of the semiconductor.

摘要翻译： 功率半导体元件在发射极区域的前面具有发射极区域和停止区域。 发射极区域和停止区域的电导率彼此相反。 为了减少功率半导体的静态和动态损耗，在停止区域使用异质原子。 外来原子在半导体的带隙内具有至少一个能级，并且远离半导体的导带和价带至少200meV。