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    Particle Free Wafer Separation
    7.
    发明申请
    Particle Free Wafer Separation 有权
    无颗粒自由晶片分离

    公开(公告)号：US20100009518A1

    公开(公告)日：2010-01-14

    申请号：US12170494

    申请日：2008-07-10

    申请人： Weng-Jin Wu ,  Ku-Feng Yang ,  Jung-Chih Hu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

    发明人： Weng-Jin Wu ,  Ku-Feng Yang ,  Jung-Chih Hu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/78

    摘要： A method for singulating semiconductor wafers is disclosed. A preferred embodiment comprises forming scrub lines on one side of the wafer and filling the scrub lines with a temporary fill material. The wafer is then thinned by removing material from the opposite side of the wafer from the scrub lines, thereby exposing the temporary fill material on the opposite side. The temporary fill material is then removed, and the individual die are removed from the wafer.

    摘要翻译： 公开了一种用于分离半导体晶片的方法。 优选的实施方案包括在晶片的一侧上形成擦洗线，并用临时填充材料填充擦洗线。 然后通过从磨擦线从晶片的相对侧移除材料来使晶片变薄，从而在相对侧上暴露临时填充材料。 然后移除临时填充材料，并且将单个模具从晶片上移除。

    Method for improving the moisture absorption of porous low dielectric film
    8.
    发明授权
    Method for improving the moisture absorption of porous low dielectric film 失效
    改善多孔低介电膜吸湿性的方法

    公开(公告)号：US06417118B1

    公开(公告)日：2002-07-09

    申请号：US09888583

    申请日：2001-06-26

    申请人： Jung-Chih Hu ,  Lih-Juann Chen

    发明人： Jung-Chih Hu ,  Lih-Juann Chen

    IPC分类号： H01L21469

    CPC分类号： H01L21/02137 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  Y10S438/96 ,  Y10S438/974

    摘要： A method for improving the moisture absorption of porous low dielectric film in an interconnect structure is disclosed. The porous low-k dielectric layer such as porous hydrosilsesquioxane (porous HSQ) or porous methyl silsesquioxane (porous MSQ) is spun-on the etching stop layer. After plasma process, the porous low dielectric film has a plurality of dangling bonds. Then, the wafer is placed in the supplementary instrument with hydrophobic reactive solution. Next, the hydrophobic protection film is formed on surface and sidewall of porous low-k dielectric film to improve the moisture absorption of porous low-k dielectric film and the leakage current is reduced in subsequently processes.

    摘要翻译： 公开了一种用于改善互连结构中的多孔低介电膜的吸湿性的方法。 多孔的低k电介质层，如多孔氢硅倍半氧烷（多孔性HSQ）或多孔甲基硅倍半氧烷（多孔MSQ）被旋涂在蚀刻停止层上。 在等离子体处理之后，多孔低介电膜具有多个悬挂键。 然后，将晶片放置在具有疏水性反应溶液的补充仪器中。 接下来，在多孔低k电介质膜的表面和侧壁上形成疏水保护膜，以改善多孔低k电介质膜的吸湿性，随后的工艺中泄漏电流降低。

    Structure of stacked barrier layer
    9.
    发明授权
    Structure of stacked barrier layer 有权
    层叠阻挡层的结构

    公开(公告)号：US06171717B2

    公开(公告)日：2001-01-09

    申请号：US09181303

    申请日：1998-10-28

    申请人： Ting-Chang Chang ,  Jung-Chih Hu

    发明人： Ting-Chang Chang ,  Jung-Chih Hu

    IPC分类号： B32B1800

    CPC分类号： H01L21/76856 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846

    摘要： A structure of a stacked barrier layer is provided. A first titanium layer is formed on a semiconductor substrate using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). At least a stacked barrier layer is formed on the first titanium layer. The stacked barrier layer includes a first titanium nitride layer and a plasma treated titanium nitride layer. The plasma treated titanium nitride layer is treated using a plasma gas including ammonia gas and nitrogen gas.

    摘要翻译： 提供层叠阻挡层的结构。 使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）在半导体衬底上形成第一钛层。 至少在第一钛层上形成层叠的阻挡层。 堆叠的阻挡层包括第一氮化钛层和等离子体处理的氮化钛层。 使用包括氨气和氮气的等离子体气体处理等离子体处理的氮化钛层。