公开(公告)号：US20100009518A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12170494

申请日：2008-07-10

申请人： Weng-Jin Wu ,  Ku-Feng Yang ,  Jung-Chih Hu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Weng-Jin Wu ,  Ku-Feng Yang ,  Jung-Chih Hu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/78

摘要： A method for singulating semiconductor wafers is disclosed. A preferred embodiment comprises forming scrub lines on one side of the wafer and filling the scrub lines with a temporary fill material. The wafer is then thinned by removing material from the opposite side of the wafer from the scrub lines, thereby exposing the temporary fill material on the opposite side. The temporary fill material is then removed, and the individual die are removed from the wafer.

摘要翻译： 公开了一种用于分离半导体晶片的方法。 优选的实施方案包括在晶片的一侧上形成擦洗线，并用临时填充材料填充擦洗线。 然后通过从磨擦线从晶片的相对侧移除材料来使晶片变薄，从而在相对侧上暴露临时填充材料。 然后移除临时填充材料，并且将单个模具从晶片上移除。

公开(公告)号：US20100062693A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：US12205266

申请日：2008-09-05

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Ku-Feng Yang ,  Jung-Chih Hu

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Ku-Feng Yang ,  Jung-Chih Hu

IPC分类号： B24C3/00

CPC分类号： H01L21/67219 ,  B24B37/04

摘要： A method and apparatus for removing a metal or conductive film from over a surface of a semiconductor wafer provides a two step process carried out within a single wafer processing apparatus. A first step is a wet chemical or mechanical removal process that removes an upper portion of the film at a high removal rate and is followed by a second step of a lower removal rate, the second step being CMP, chemical mechanical polishing.

摘要翻译： 从半导体晶片表面上去除金属或导电膜的方法和装置提供了在单个晶片处理装置内执行的两步工艺。 第一步是湿化学或机械去除工艺，其以高去除速率去除膜的上部，随后是较低去除速率的第二步骤，第二步是CMP，化学机械抛光。

公开(公告)号：US08058150B2

公开(公告)日：2011-11-15

申请号：US12170494

申请日：2008-07-10

申请人： Weng-Jin Wu ,  Ku-Feng Yang ,  Jung-Chih Hu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Weng-Jin Wu ,  Ku-Feng Yang ,  Jung-Chih Hu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/78

摘要： A method for singulating semiconductor wafers is disclosed. A preferred embodiment comprises forming scrub lines on one side of the wafer and filling the scrub lines with a temporary fill material. The wafer is then thinned by removing material from the opposite side of the wafer from the scrub lines, thereby exposing the temporary fill material on the opposite side. The temporary fill material is then removed, and the individual die are removed from the wafer.

摘要翻译： 公开了一种用于分离半导体晶片的方法。 优选的实施方案包括在晶片的一侧上形成擦洗线，并用临时填充材料填充擦洗线。 然后通过从磨擦线从晶片的相对侧移除材料来使晶片变薄，从而在相对侧上暴露临时填充材料。 然后移除临时填充材料，并且将单个模具从晶片上移除。

公开(公告)号：US20110248409A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：US13168351

申请日：2011-06-24

申请人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin WU ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin WU ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2224/11

摘要： A system and method for stacking semiconductor dies is disclosed. A preferred embodiment comprises forming through-silicon vias through the wafer, protecting a rim edge of the wafer, and then removing the unprotected portions so that the rim edge has a greater thickness than the thinned wafer. This thickness helps the fragile wafer survive further transport and process steps. The rim edge is then preferably removed during singulation of the individual dies from the wafer.

摘要翻译： 公开了一种用于堆叠半导体管芯的系统和方法。 优选实施例包括形成通过晶片的穿硅通孔，保护晶片的边缘边缘，然后去除未受保护的部分，使得边缘边缘的厚度大于薄的晶片。 该厚度有助于脆弱的晶片在进一步的运输和工艺步骤中保持生存。 然后优选在从晶片分离单个模具期间移除边缘。

公开(公告)号：US07812459B2

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：US11641324

申请日：2006-12-19

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Hung-Jung Tu ,  Ku-Feng Yang

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Hung-Jung Tu ,  Ku-Feng Yang

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/8221 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  Y10S148/164 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013

摘要： A semiconductor structure includes a first die comprising a first substrate and a first bonding pad over the first substrate, a second die having a first surface and a second surface opposite the first surface, wherein the second die is stacked on the first die and a protection layer having a vertical portion on a sidewall of the second die, and a horizontal portion extending over the first die.

摘要翻译： 半导体结构包括第一裸片，其包括第一衬底和第一衬底上的第一焊盘，第二裸片，具有与第一表面相对的第一表面和第二表面，其中第二裸片堆叠在第一裸片上， 层，其具有在第二管芯的侧壁上的垂直部分，以及在第一管芯上延伸的水平部分。

公开(公告)号：US20100144118A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12330209

申请日：2008-12-08

申请人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/46 ,  H01L21/465

CPC分类号： H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2224/11

摘要： A system and method for stacking semiconductor dies is disclosed. A preferred embodiment comprises forming through-silicon vias through the wafer, protecting a rim edge of the wafer, and then removing the unprotected portions so that the rim edge has a greater thickness than the thinned wafer. This thickness helps the fragile wafer survive further transport and process steps. The rim edge is then preferably removed during singulation of the individual dies from the wafer.

摘要翻译： 公开了一种用于堆叠半导体管芯的系统和方法。 优选实施例包括形成通过晶片的穿硅通孔，保护晶片的边缘边缘，然后去除未受保护的部分，使得边缘边缘的厚度大于薄的晶片。 该厚度有助于脆弱的晶片在进一步的运输和工艺步骤中保持生存。 然后优选在从晶片分离单个模具期间移除边缘。

公开(公告)号：US20090008794A1

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：US11773171

申请日：2007-07-03

申请人： Weng-Jin Wu ,  Ku-Feng Yang ,  Hung-Pin Chang ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Weng-Jin Wu ,  Ku-Feng Yang ,  Hung-Pin Chang ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/66 ,  B24B7/00 ,  H01L23/48 ,  H01L21/00

CPC分类号： B24B7/228 ,  B24B37/013 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A wafer thinning system and method are disclosed that includes grinding away substrate material from a backside of a semiconductor device. A current change is detected in a grinding device responsive to exposure of a first set of device structures through the substrate material, where the grinding is stopped in response to the detected current change. Polishing repairs the surface and continues to remove an additional amount of the substrate material. Exposure of one or more additional sets of device structures through the substrate material is monitored to determine the additional amount of substrate material to remove, where the additional sets of device structures are located in the semiconductor device at a known depth different than the first set.

摘要翻译： 公开了一种包括从半导体器件的背面研磨衬底材料的晶片减薄系统和方法。 在研磨装置中检测到电流变化，响应于第一组器件结构暴露于基底材料，其中根据检测到的电流变化停止研磨。 抛光修复表面，并继续去除额外量的基材。 监测一个或多个另外的一组装置结构穿过基底材料的曝光，以确定要除去的基底材料的附加量，其中附加的器件结构组位于半导体器件中在与第一组不同的已知深度处。

公开(公告)号：US20110309647A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US12818022

申请日：2010-06-17

申请人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Jing-Cheng Lin ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Jing-Cheng Lin ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： B25J15/06 ,  B66C1/02

CPC分类号： H01L21/67346 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68785

摘要： An apparatus for supporting a wafer includes a base, and a gas-penetration layer. The gas-penetration layer and a portion of the base directly underlying the gas-penetration layer form a gas passage therebetween. The gas passage is configured to be sealed by the wafer placed directly over the gas-penetration layer. The apparatus further includes a valve connected to the gas passage.

摘要翻译： 用于支撑晶片的装置包括基座和气体穿透层。 气体渗透层和直接位于气体穿透层下方的基底的一部分在它们之间形成气体通道。 气体通道被直接设置在气体穿透层上方的晶片密封。 该装置还包括连接到气体通道的阀。

公开(公告)号：US07989318B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12330209

申请日：2008-12-08

申请人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2224/11

摘要： A system and method for stacking semiconductor dies is disclosed. A preferred embodiment comprises forming through-silicon vias through the wafer, protecting a rim edge of the wafer, and then removing the unprotected portions so that the rim edge has a greater thickness than the thinned wafer. This thickness helps the fragile wafer survive further transport and process steps. The rim edge is then preferably removed during singulation of the individual dies from the wafer.

摘要翻译： 公开了一种用于堆叠半导体管芯的系统和方法。 优选实施例包括形成通过晶片的穿硅通孔，保护晶片的边缘边缘，然后去除未受保护的部分，使得边缘边缘的厚度大于薄的晶片。 该厚度有助于脆弱的晶片在进一步的运输和工艺步骤中保持生存。 然后优选在从晶片分离单个模具期间移除边缘。

公开(公告)号：US20100330743A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12878112

申请日：2010-09-09

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Hung-Jung Tu ,  Ku-Feng Yang

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Hung-Jung Tu ,  Ku-Feng Yang

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L21/8221 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  Y10S148/164 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013

摘要： A semiconductor structure includes a first die comprising a first substrate and a first bonding pad over the first substrate, a second die having a first surface and a second surface opposite the first surface, wherein the second die is stacked on the first die and a protection layer having a vertical portion on a sidewall of the second die, and a horizontal portion extending over the first die.

摘要翻译： 半导体结构包括第一裸片，其包括第一衬底和第一衬底上的第一焊盘，第二裸片，具有与第一表面相对的第一表面和第二表面，其中第二裸片堆叠在第一裸片上， 层，其具有在第二管芯的侧壁上的垂直部分，以及在第一管芯上延伸的水平部分。