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公开(公告)号：US20110006207A1
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：US12446387
申请日：2007-10-22
CPC分类号： G01N1/28 , G01N1/06 , G01N1/08 , G01N1/32 , G01N23/04 , H01J37/06 , H01J37/18 , H01J37/20 , H01J37/26 , H01J37/28 , H01J37/3056 , H01J2237/063 , H01J2237/182 , H01J2237/204 , H01J2237/208 , H01J2237/2802 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要： An improved method and apparatus for S/TEM sample preparation and analysis. Preferred embodiments of the present invention provide improved methods for TEM sample creation, especially for small geometry (
摘要翻译： 一种用于S / TEM样品制备和分析的改进方法和装置。 本发明的优选实施例提供用于TEM样品制备的改进方法，特别是对于小几何（<100nm厚）TEM薄片。 本发明的优选实施例还通过提供部分或全部自动化TEM样品制作的方法来提供在诸如集成电路或半导体晶片上制造的其它结构的物体上的基于S / TEM的测量的在线方法，以使得创建过程 并分析TEM样品减少劳动密集度，并提高TEM分析的产量和再现性。
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公开(公告)号：US08455821B2
公开(公告)日：2013-06-04
申请号：US12446387
申请日：2007-10-22
CPC分类号： G01N1/28 , G01N1/06 , G01N1/08 , G01N1/32 , G01N23/04 , H01J37/06 , H01J37/18 , H01J37/20 , H01J37/26 , H01J37/28 , H01J37/3056 , H01J2237/063 , H01J2237/182 , H01J2237/204 , H01J2237/208 , H01J2237/2802 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要： An improved method and apparatus for S/TEM sample preparation and analysis. Preferred embodiments of the present invention provide improved methods for TEM sample creation, especially for small geometry (
摘要翻译： 一种用于S / TEM样品制备和分析的改进方法和装置。 本发明的优选实施例提供用于TEM样品制备的改进方法，特别是对于小几何（<100nm厚）TEM薄片。 本发明的优选实施例还通过提供部分或全部自动化TEM样品制作的方法来提供在诸如集成电路或半导体晶片上制造的其它结构的物体上的基于S / TEM的测量的在线方法，以使得创建过程 并分析TEM样品减少劳动密集度，并提高TEM分析的产量和再现性。
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3.发明授权公开(公告)号：US08492715B2
公开(公告)日：2013-07-23
申请号：US13441344
申请日：2012-04-06
CPC分类号： H01J37/26 , H01J37/244 , H01J37/302 , H01J2237/0203 , H01J2237/043 , H01J2237/065 , H01J2237/22 , H01J2237/2441 , H01J2237/24455 , H01J2237/24507 , H01J2237/26 , H01J2237/262 , H01J2237/2802
摘要： The invention relates to a Method of protecting a direct electron detector (151) in a TEM. The invention involves predicting the current density on the detector before setting new beam parameters, such as changes to the excitation of condenser lenses (104), projector lenses (106) and/or beam energy. The prediction is made using an optical model or a Look-Up-Table. When the predicted exposure of the detector is less than a predetermined value, the desired changes are made, otherwise a warning message is generated and changes to the settings are postponed.
摘要翻译： 本发明涉及一种在TEM中保护直接电子检测器（151）的方法。 本发明涉及在设置新的光束参数之前预测检测器上的电流密度，例如对聚光透镜（104），投影透镜（106）和/或光束能量的激发的改变。 使用光学模型或查找表进行预测。 当检测器的预测曝光小于预定值时，进行所需的改变，否则产生警告消息并延迟对设置的改变。
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4.发明申请公开(公告)号：US20120256085A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：US13441344
申请日：2012-04-06
IPC分类号： H01J37/26
CPC分类号： H01J37/26 , H01J37/244 , H01J37/302 , H01J2237/0203 , H01J2237/043 , H01J2237/065 , H01J2237/22 , H01J2237/2441 , H01J2237/24455 , H01J2237/24507 , H01J2237/26 , H01J2237/262 , H01J2237/2802
摘要： The invention relates to a Method of protecting a direct electron detector (151) in a TEM. The invention involves predicting the current density on the detector before setting new beam parameters, such as changes to the excitation of condenser lenses (104), projector lenses (106) and/or beam energy. The prediction is made using an optical model or a Look-Up-Table. When the predicted exposure of the detector is less than a predetermined value, the desired changes are made, otherwise a warning message is generated and changes to the settings are postponed.
摘要翻译： 本发明涉及一种在TEM中保护直接电子检测器（151）的方法。 本发明涉及在设置新的光束参数之前预测检测器上的电流密度，例如对聚光透镜（104），投影透镜（106）和/或光束能量的激发的改变。 使用光学模型或查找表进行预测。 当检测器的预测曝光小于预定值时，进行所需的改变，否则产生警告消息并延迟对设置的改变。
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