公开(公告)号：US09080576B2

公开(公告)日：2015-07-14

申请号：US13359899

申请日：2012-01-27

申请人： Youssef Loldj ,  Jay J. Jung ,  Mehran Moalem ,  Paul E. Fisher ,  Joshua Putz ,  Andreas Neuber

发明人： Youssef Loldj ,  Jay J. Jung ,  Mehran Moalem ,  Paul E. Fisher ,  Joshua Putz ,  Andreas Neuber

IPC分类号： F04B49/06 ,  F04D27/00 ,  F04D19/04 ,  F17D3/00

CPC分类号： F04D27/004 ,  F04D19/04 ,  F17D3/00 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67253 ,  Y10T137/0396

摘要： Methods and apparatus for controlling a processing system are provided herein. In some embodiments, a method of controlling a processing system may include operating a vacuum pump coupled to a process chamber at a first baseline pump idle speed selected to maintain the process chamber at a pressure equal to a first baseline pump idle pressure; monitoring the pressure in the process chamber while operating the vacuum pump at the first baseline pump idle speed; and determining whether the first baseline pump idle pressure can be maintained in the process chamber when the vacuum pump is operating at the first baseline pump idle speed.

摘要翻译： 本文提供了用于控制处理系统的方法和装置。 在一些实施例中，一种控制处理系统的方法可以包括以选择为将处理室维持在等于第一基准泵空闲压力的压力的第一基准泵空转速度下操作联接到处理室的真空泵; 在第一基准泵怠速下操作真空泵时监测处理室中的压力; 以及当所述真空泵以所述第一基准泵怠速运转时，确定所述处理室中是否能够维持所述第一基准泵怠速压力。

公开(公告)号：US20090238972A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12410063

申请日：2009-03-24

申请人： Daniel O. Clark ,  Mehran Moalem ,  Robbert M. Vermeulen ,  Yong Kee Chae ,  Charles Gay ,  John M. White ,  Robert Z. Bachrach ,  Jay J. Jung

发明人： Daniel O. Clark ,  Mehran Moalem ,  Robbert M. Vermeulen ,  Yong Kee Chae ,  Charles Gay ,  John M. White ,  Robert Z. Bachrach ,  Jay J. Jung

IPC分类号： C23C16/42

CPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45593

摘要： In one aspect, a method of forming a silicon layer on a substrate is provided, including the steps providing a substrate; and introducing hydrogen and silane into a chamber containing the substrate such that a layer of silicon is deposited on the substrate; wherein the silane is less than about 99.999% pure. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 一方面，提供了在基板上形成硅层的方法，包括提供基板的步骤; 并将氢和硅烷引入到含有所述衬底的室中，使得硅层沉积在所述衬底上; 其中所述硅烷的纯度小于约99.999％。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US20100192773A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12696808

申请日：2010-01-29

申请人： Daniel O. Clark ,  Colin John Dickinson ,  Jay J. Jung ,  Daniel Stephan Brown ,  Mehran Moalem ,  Frank F. Hooshdaran ,  Morteza Farnia ,  Barry Page ,  Gary Sypherd ,  Jonathan Dahm ,  Phil Chandler

发明人： Daniel O. Clark ,  Colin John Dickinson ,  Jay J. Jung ,  Daniel Stephan Brown ,  Mehran Moalem ,  Frank F. Hooshdaran ,  Morteza Farnia ,  Barry Page ,  Gary Sypherd ,  Jonathan Dahm ,  Phil Chandler

IPC分类号： B01D47/14 ,  B01D47/12 ,  B01D47/10 ,  B03C3/34

CPC分类号： B01D47/027 ,  B01D47/06 ,  B01D53/185 ,  B01D53/40 ,  B01D53/78 ,  B01D2251/604 ,  B01D2251/80 ,  B01D2258/0216

摘要： Embodiments of an abatement apparatus are disclosed herein. In some embodiments, an abatement apparatus may include a scrubber configured to receive an effluent stream from a process chamber and further configured to remove first particles from the effluent stream; a scrubber conduit coupled to the scrubber to receive the effluent stream therefrom and configured to remove second particles from the effluent stream, the scrubber conduit having one or more inlets configured to provide a fluid to sufficiently wet an interior surface of the scrubber conduit to trap the second particles thereon and to wash the second particles therealong; and a central scrubber coupled to the scrubber via the scrubber conduit. In some embodiments, the scrubber conduit is downward sloping from the scrubber to the central scrubber. In some embodiments, a plurality of scrubbers may be coupled to the central scrubber via a plurality of scrubber conduits.

摘要翻译： 减轻装置的实施例在此公开。 在一些实施例中，减排装置可以包括洗涤器，其构造成从处理室接收流出物流，并进一步构造成从排出物流中除去第一颗粒; 洗涤器管道，其耦合到洗涤器以接收来自其的流出物流，并被配置为从流出物流中除去第二颗粒，洗涤器管道具有一个或多个入口，其配置成提供流体以充分地润湿洗涤器管道的内表面， 第二颗粒在其上并在其上洗涤第二颗粒; 以及通过洗涤器管道耦合到洗涤器的中央洗涤器。 在一些实施例中，洗涤器导管从洗涤器向下倾斜到中央洗涤器。 在一些实施例中，多个洗涤器可以经由多个洗涤器管道耦合到中央洗涤器。

公开(公告)号：US20090017206A1

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：US12140055

申请日：2008-06-16

申请人： Daniel O. Clark ,  Robert Z. Bachrach ,  Mehran Moalem ,  Jay J. Jung

发明人： Daniel O. Clark ,  Robert Z. Bachrach ,  Mehran Moalem ,  Jay J. Jung

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/54

CPC分类号： C23C16/4412 ,  C23C16/45593

摘要： A substrate coating system is provided which includes a substrate coating chamber; a gas box connected to the coating chamber and adapted to provide reagent gases to the coating chamber; and a reagent reclaim system connected to the substrate coating chamber and the gas box, wherein the reagent reclaim system includes a wet scrubber connected to the coating chamber; a polisher connected to the wet scrubber; and a dryer connected to the polisher and the gas box.

摘要翻译： 提供了一种基材涂布系统，其包括基材涂布室; 连接到所述涂覆室并适于向所述涂覆室提供试剂气体的气体箱; 以及连接到所述基板涂覆室和所述气体箱的试剂回收系统，其中所述试剂回收系统包括连接到所述涂覆室的湿式洗涤器; 与湿式洗涤器连接的抛光机; 和连接到抛光机和气箱的干燥机。

公开(公告)号：US20080003158A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11673542

申请日：2007-02-09

申请人： Sebastien Raoux ,  Kuo-Chen Lin ,  Robbert Vermeulen ,  Daniel Clark ,  Stephen Tsu ,  Mehran Moalem ,  Allen Fox ,  Monique McIntosh ,  Joshua Putz ,  Eric Rieske ,  Poh Lee

发明人： Sebastien Raoux ,  Kuo-Chen Lin ,  Robbert Vermeulen ,  Daniel Clark ,  Stephen Tsu ,  Mehran Moalem ,  Allen Fox ,  Monique McIntosh ,  Joshua Putz ,  Eric Rieske ,  Poh Lee

IPC分类号： C01B7/20 ,  C01B17/00 ,  C07C1/00 ,  C01B21/00

CPC分类号： B01D53/8662 ,  B01D2257/2066 ,  C01B7/20 ,  Y02C20/30 ,  Y02P20/154

摘要： In some aspects, a method is provided for abating perfluorocarbons (PFCs) in a gaseous waste abatement system having a pre-installed controlled decomposition oxidation (CDO) thermal reaction chamber. The method that includes (1) providing a catalyst bed within the CDO thermal reaction chamber; and (2) introducing a gaseous waste stream into the CDO thermal reaction chamber so as to expose the gaseous waste stream to the catalyst bed. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在一些方面，提供了一种用于减轻具有预先安装的受控分解氧化（CDO）热反应室的气体废物减排系统中的全氟化碳（PFCs）的方法。 该方法包括（1）在CDO热反应室内提供催化剂床; 和（2）将气体废物流引入到CDO热反应室中，以将气态废物流暴露于催化剂床。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US06468490B1

公开(公告)日：2002-10-22

申请号：US09607918

申请日：2000-06-29

申请人： Shamouil Shamouilian ,  Mehran Moalem ,  Tony S. Kaushal

发明人： Shamouil Shamouilian ,  Mehran Moalem ,  Tony S. Kaushal

IPC分类号： B01D5368

CPC分类号： C23C16/4412 ,  B01D53/75 ,  B01D53/8659 ,  B01D53/8662

摘要： An effluent abatement system 200 that may be used to abate F2 gas content of effluent exhausted from a process chamber 35, such as effluent from a CVD chamber cleaning process includes a catalytic reactor 250 to reduce the content of F2 in the effluent 100. The system may further include a prescrubber 230 to add reactive gases to the effluent 100 and/or to treat the effluent 100 prior to treatment in the catalytic reactor 250. Alternatively reactive gases can be added to the effluent 100 by a gas source 220.

摘要翻译： 可用于消除从处理室35排出的流出物（例如来自CVD室清洁过程）的二氧化碳气体含量的流出物消除系统200包括催化反应器250，以减少流出物100中的F2含量。系统 可以进一步包括预催化剂230以在催化反应器250中处理之前向流出物100中添加反应性气体和/或处理流出物100.可以通过气体源220将反应性气体加入到流出物100中。

公开(公告)号：US5861346A

公开(公告)日：1999-01-19

申请号：US507916

申请日：1995-07-27

申请人： Alex V. Hamza ,  Mehdi Balooch ,  Mehran Moalem

发明人： Alex V. Hamza ,  Mehdi Balooch ,  Mehran Moalem

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36

CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  Y10S438/931

摘要： Silicon carbide films and microcomponents are grown on silicon substrates at surface temperatures between 900 K and 1700 K via C.sub.60 precursors in a hydrogen-free environment. Selective crystalline silicon carbide growth can be achieved on patterned silicon-silicon oxide samples. Patterned SiC films are produced by making use of the high reaction probability of C.sub.60 with silicon at surface temperatures greater than 900 K and the negligible reaction probability for C.sub.60 on silicon dioxide at surface temperatures less than 1250 K.

摘要翻译： 碳化硅薄膜和微型组件在无氢环境下通过C60前驱体在900K和1700K之间的表面温度下在硅衬底上生长。 可以在图案化硅 - 氧化硅样品上实现选择性晶体碳化硅生长。 通过利用表面温度大于900K的硅的C60高反应概率和低于1250K的表面温度下二氧化硅上C60的反应概率可忽略不计，生成图案化的SiC薄膜。

公开(公告)号：US20150356714A1

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：US14663284

申请日：2015-03-19

申请人： Mehran Moalem

发明人： Mehran Moalem

IPC分类号： G06T5/00 ,  H04N9/31 ,  G09G3/00 ,  H04N5/66

CPC分类号： G06T5/003 ,  G02F1/29 ,  G02F2001/133394 ,  G02F2001/291 ,  G09G2320/02 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/0693 ,  G09G2360/147

摘要： A computer implemented system and method to produce display screen images intended to be seen clearly by users with various eye problems such as myopia and astigmatism. Here the system receives input regarding the desired optical correction needed to allow the user to see the image clearly, such as by determining the distance to the user and also optionally calibrating the system according to the degree of optical correction needed by the user. In some embodiments, the display screen may have a plurality of pixel addressed light deflectors configured to change the angle of light emitted by the display screen at various locations in order to bring the computer generated image in better focus. In other embodiments, the system may convolute the display images in order to compensate for eye abnormalities such as astigmatism. In other embodiments, both light deflectors and image convolution methods may be used.

摘要翻译： 一种计算机实现的系统和方法，用于产生旨在由具有各种眼睛问题（诸如近视和散光）的用户清楚地看到的显示屏幕图像。 这里，系统接收关于允许用户清楚地看到图像所需的所需光学校正的输入，例如通过确定到用户的距离，并且还可以根据用户所需的光学校正的程度可选地校准系统。 在一些实施例中，显示屏可以具有多个像素寻址的光偏转器，其被配置为改变在各个位置处由显示屏发射的光的角度，以使计算机生成的图像更好地聚焦。 在其他实施例中，系统可以对显示图像进行卷积以补偿眼睛异常，例如像散。 在其他实施例中，可以使用光偏转器和图像卷积方法。

公开(公告)号：US20120204965A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13359899

申请日：2012-01-27

申请人： YOUSSEF LOLDJ ,  JAY J. JUNG ,  MEHRAN MOALEM ,  PAUL E. FISHER ,  JOSHUA PUTZ ,  ANDREAS NEUBER

发明人： YOUSSEF LOLDJ ,  JAY J. JUNG ,  MEHRAN MOALEM ,  PAUL E. FISHER ,  JOSHUA PUTZ ,  ANDREAS NEUBER

IPC分类号： F17D3/00

CPC分类号： F04D27/004 ,  F04D19/04 ,  F17D3/00 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67253 ,  Y10T137/0396

摘要： Methods and apparatus for controlling a processing system are provided herein. In some embodiments, a method of controlling a processing system may include operating a vacuum pump coupled to a process chamber at a first baseline pump idle speed selected to maintain the process chamber at a pressure equal to a first baseline pump idle pressure; monitoring the pressure in the process chamber while operating the vacuum pump at the first baseline pump idle speed; and determining whether the first baseline pump idle pressure can be maintained in the process chamber when the vacuum pump is operating at the first baseline pump idle speed.

摘要翻译： 本文提供了用于控制处理系统的方法和装置。 在一些实施例中，一种控制处理系统的方法可以包括以选择为将处理室维持在等于第一基准泵空闲压力的压力的第一基准泵空转速度下操作联接到处理室的真空泵; 在第一基准泵怠速下操作真空泵时监测处理室中的压力; 以及当所述真空泵以所述第一基准泵怠速运转时，确定所述处理室中是否能够维持所述第一基准泵怠速压力。

公开(公告)号：US20100139554A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12633279

申请日：2009-12-08

申请人： Morteza Farnia ,  Mehran Moalem

发明人： Morteza Farnia ,  Mehran Moalem

IPC分类号： C30B25/10

CPC分类号： C30B29/406 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

摘要： Methods and apparatus for forming gallium nitride and gallium aluminum nitride films, such as gallium nitride and gallium aluminum nitride epitaxial layers on a substrate are provided, including providing a substrate; and exposing the substrate to gallium vapor and an NH3 plasma so as to form a gallium nitride epitaxial layer on at least a portion of the substrate.

摘要翻译： 提供了用于在衬底上形成氮化镓和氮化镓镓外延层的氮化镓和氮化镓镓膜的方法和装置，包括提供衬底; 以及将所述衬底暴露于镓蒸汽和NH 3等离子体，以在所述衬底的至少一部分上形成氮化镓外延层。