公开(公告)号：US20090317937A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12200117

申请日：2008-08-28

申请人： Atul Gupta ,  Nicholas Bateman ,  Paul Murphy ,  Anthony Renau ,  Charles Carlson

发明人： Atul Gupta ,  Nicholas Bateman ,  Paul Murphy ,  Anthony Renau ,  Charles Carlson

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01J37/3172 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/265 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A improved, lower cost method of producing solar cells utilizing selective emitter design is disclosed. The contact regions are created on the substrate without the use of lithography or masks. The method utilizes ion implantation technology, and the relatively low accuracy requirements of the contact regions to reduce the process steps needed to produce a solar cell. In some embodiments, the current of the ion beam is selectively modified to create the highly doped contact regions. In other embodiments, the ion beam is focused, either through the use of an aperture or via adjustments to the beam line components to create the necessary doping profile. In still other embodiments, the wafer scan rate is modified to create the desired ion implantation pattern.

摘要翻译： 公开了一种利用选择性发射极设计制造太阳能电池的成本较低的方法。 在不使用光刻或掩模的情况下，在基板上形成接触区域。 该方法利用离子注入技术，并且接触区域的相对低的精度要求减少了生产太阳能电池所需的工艺步骤。 在一些实施例中，选择性地修改离子束的电流以产生高度掺杂的接触区域。 在其他实施例中，离子束通过使用孔径或通过调整到束线分量来聚焦以产生必要的掺杂分布。 在其他实施例中，晶片扫描速率被修改以产生期望的离子注入图案。

公开(公告)号：US20100197126A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12760227

申请日：2010-04-14

申请人： Nicholas BATEMAN ,  Atul Gupta ,  Paul Sullivan ,  Paul Murphy

发明人： Nicholas BATEMAN ,  Atul Gupta ,  Paul Sullivan ,  Paul Murphy

IPC分类号： H01L21/266

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/0827 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： The manufacture of solar cells is simplified and cost reduced through by performing successive ion implants, without an intervening thermal cycle. In addition to reducing process time, the use of chained ion implantations may also improve the performance of the solar cell. In another embodiment, two different species are successively implanted without breaking vacuum. In another embodiment, the substrate is implanted, then flipped such that it can be and implanted on both sides before being annealed. In yet another embodiment, one or more different masks are applied and successive implantations are performed without breaking the vacuum condition, thereby reducing the process time.

摘要翻译： 太阳能电池的制造通过执行连续的离子注入而没有中间热循环而简化并降低成本。 除了缩短处理时间之外，使用链式离子注入也可以提高太阳能电池的性能。 在另一个实施方案中，连续地植入两种不同的物质而不破坏真空。 在另一个实施例中，植入衬底，然后翻转，使得其可以在退火之前两面植入。 在另一个实施例中，施加一个或多个不同的掩模，并且在不破坏真空条件的情况下执行连续的注入，由此减少处理时间。

公开(公告)号：US07727866B2

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：US12397634

申请日：2009-03-04

申请人： Nicholas Bateman ,  Atul Gupta ,  Paul Sullivan ,  Paul Murphy

发明人： Nicholas Bateman ,  Atul Gupta ,  Paul Sullivan ,  Paul Murphy

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/0827 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： The manufacture of solar cells is simplified and cost reduced through by performing successive ion implants, without an intervening thermal cycle. In addition to reducing process time, the use of chained ion implantations may also improve the performance of the solar cell. In another embodiment, two different species are successively implanted without breaking vacuum. In another embodiment, the substrate is implanted, then flipped such that it can be and implanted on both sides before being annealed. In yet another embodiment, one or more different masks are applied and successive implantations are performed without breaking the vacuum condition, thereby reducing the process time.

摘要翻译： 太阳能电池的制造通过执行连续的离子注入而没有中间热循环而简化并降低成本。 除了缩短处理时间之外，使用链式离子注入也可以提高太阳能电池的性能。 在另一个实施方案中，连续地植入两种不同的物质而不破坏真空。 在另一个实施例中，植入衬底，然后翻转，使得其可以在被退火之前两面植入。 在另一个实施例中，施加一个或多个不同的掩模，并且在不破坏真空条件的情况下执行连续的注入，由此减少处理时间。

公开(公告)号：US20090227094A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12397634

申请日：2009-03-04

申请人： Nicholas Bateman ,  Atul Gupta ,  Paul Sullivan ,  Paul Murphy

发明人： Nicholas Bateman ,  Atul Gupta ,  Paul Sullivan ,  Paul Murphy

IPC分类号： H01L21/266

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/0827 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： The manufacture of solar cells is simplified and cost reduced through by performing successive ion implants, without an intervening thermal cycle. In addition to reducing process time, the use of chained ion implantations may also improve the performance of the solar cell. In another embodiment, two different species are successively implanted without breaking vacuum. In another embodiment, the substrate is implanted, then flipped such that it can be and implanted on both sides before being annealed. In yet another embodiment, one or more different masks are applied and successive implantations are performed without breaking the vacuum condition, thereby reducing the process time.

摘要翻译： 太阳能电池的制造通过执行连续的离子注入而没有中间热循环而简化并降低成本。 除了缩短处理时间之外，使用链式离子注入也可以提高太阳能电池的性能。 在另一个实施方案中，连续地植入两种不同的物质而不破坏真空。 在另一个实施例中，植入衬底，然后翻转，使得其可以在退火之前两面植入。 在另一个实施例中，施加一个或多个不同的掩模，并且在不破坏真空条件的情况下执行连续的注入，由此减少处理时间。

公开(公告)号：US07459704B2

公开(公告)日：2008-12-02

申请号：US11269033

申请日：2005-11-08

申请人： Joseph C. Olson ,  Anthony Renau ,  Donna L. Smatlak ,  Kurt Deckerlucke ,  Paul Murphy ,  Alexander S. Perel ,  Russell J. Low ,  Peter Kurunczi

发明人： Joseph C. Olson ,  Anthony Renau ,  Donna L. Smatlak ,  Kurt Deckerlucke ,  Paul Murphy ,  Alexander S. Perel ,  Russell J. Low ,  Peter Kurunczi

IPC分类号： G21K5/10 ,  H01J37/08

CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/0825 ,  H01J2237/0827 ,  H01J2237/31701

摘要： Ion sources and methods for generating molecular ions in a cold operating mode and for generating atomic ions in a hot operating mode are provided. In some embodiments, first and second electron sources are located at opposite ends of an arc chamber. The first electron source is energized in the cold operating mode, and the second electron source is energized in the hot operating mode. In other embodiments, electrons are directed through a hole in a cathode in the cold operating mode and are directed at the cathode in the hot operating mode. In further embodiments, an ion beam generator includes a molecular ion source, an atomic ion source and a switching element to select the output of one of the ion sources.

摘要翻译： 提供了用于在冷操作模式中产生分子离子并用于在热操作模式中产生原子离子的离子源和方法。 在一些实施例中，第一和第二电子源位于电弧室的相对端。 第一电子源在冷操作模式下通电，并且第二电子源在热操作模式下通电。 在其他实施例中，电子以冷操作模式被引导通过阴极中的孔，并且在热操作模式中被引导到阴极。 在另外的实施例中，离子束发生器包括分子离子源，原子离子源和用于选择一个离子源的输出的开关元件。

公开(公告)号：US20080078950A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11536046

申请日：2006-09-28

申请人： James Buonodono ,  Paul Murphy ,  Joseph C. Olson ,  Anthony Renau

发明人： James Buonodono ,  Paul Murphy ,  Joseph C. Olson ,  Anthony Renau

IPC分类号： H01J37/317

CPC分类号： H01J37/20 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/20207 ,  H01J2237/20292 ,  H01J2237/24528 ,  H01L21/265 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/68764

摘要： A system, method and program product for improving uniformity and angle control wafers being implanted. A system is provided that includes an end station for positioning a wafer being implanted, comprising: a platen for holding the wafer, wherein the platen is rotatable to provide wafer rotation; a housing for holding the platen, wherein the housing is rotatable about a first orthogonal axis to provide a first type of wafer tilt; a structure for supporting the housing, wherein the structure is rotatable about a second orthogonal axis to provide a second type of wafer tilt; and a control system which, during an implant process of the wafer, causes wafer rotation, the first type of wafer tilt, and the second type of wafer tilt.

摘要翻译： 一种用于改善植入的均匀性和角度控制晶片的系统，方法和程序产品。 提供了一种系统，其包括用于定位被植入的晶片的端站，包括：用于保持晶片的压板，其中所述压板可旋转以提供晶片旋转; 用于保持所述压板的壳体，其中所述壳体可围绕第一正交轴线旋转以提供第一类型的晶片倾斜; 用于支撑壳体的结构，其中所述结构可围绕第二正交轴线旋转以提供第二类型的晶片倾斜; 以及控制系统，其在晶片的植入过程期间引起晶片旋转，第一类型的晶片倾斜和第二类型的晶片倾斜。

公开(公告)号：US20060169915A1

公开(公告)日：2006-08-03

申请号：US11269033

申请日：2005-11-08

申请人： Joseph Olson ,  Anthony Renau ,  Donna Smatlak ,  Kurt Deckerlucke ,  Paul Murphy ,  Alexander Perel ,  Russell Low ,  Peter Kurunczi

发明人： Joseph Olson ,  Anthony Renau ,  Donna Smatlak ,  Kurt Deckerlucke ,  Paul Murphy ,  Alexander Perel ,  Russell Low ,  Peter Kurunczi

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01J27/00

CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/0825 ,  H01J2237/0827 ,  H01J2237/31701

摘要： Ion sources and methods for generating molecular ions in a cold operating mode and for generating atomic ions in a hot operating mode are provided. In some embodiments, first and second electron sources are located at opposite ends of an arc chamber. The first electron source is energized in the cold operating mode, and the second electron source is energized in the hot operating mode. In other embodiments, electrons are directed through a hole in a cathode in the cold operating mode and are directed at the cathode in the hot operating mode. In further embodiments, an ion beam generator includes a molecular ion source, an atomic ion source and a switching element to select the output of one of the ion sources.

摘要翻译： 提供了用于在冷操作模式中产生分子离子并用于在热操作模式中产生原子离子的离子源和方法。 在一些实施例中，第一和第二电子源位于电弧室的相对端。 第一电子源在冷操作模式下通电，并且第二电子源在热操作模式下通电。 在其他实施例中，电子以冷操作模式被引导通过阴极中的孔，并且在热操作模式中被引导到阴极。 在另外的实施例中，离子束发生器包括分子离子源，原子离子源和用于选择一个离子源的输出的开关元件。

公开(公告)号：US07812325B2

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：US11536046

申请日：2006-09-28

申请人： James Buonodono ,  Paul Murphy ,  Joseph C. Olson ,  Anthony Renau

发明人： James Buonodono ,  Paul Murphy ,  Joseph C. Olson ,  Anthony Renau

IPC分类号： H01J37/08 ,  A61N5/00

CPC分类号： H01J37/20 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/20207 ,  H01J2237/20292 ,  H01J2237/24528 ,  H01L21/265 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/68764

摘要： A system, method and program product for improving uniformity and angle control wafers being implanted. A system is provided that includes an end station for positioning a wafer being implanted, comprising: a platen for holding the wafer, wherein the platen is rotatable to provide wafer rotation; a housing for holding the platen, wherein the housing is rotatable about a first orthogonal axis to provide a first type of wafer tilt; a structure for supporting the housing, wherein the structure is rotatable about a second orthogonal axis to provide a second type of wafer tilt; and a control system which, during an implant process of the wafer, causes wafer rotation, the first type of wafer tilt, and the second type of wafer tilt.

摘要翻译： 一种用于改善植入的均匀性和角度控制晶片的系统，方法和程序产品。 提供了一种系统，其包括用于定位被植入的晶片的端站，包括：用于保持晶片的压板，其中所述压板可旋转以提供晶片旋转; 用于保持所述压板的壳体，其中所述壳体可围绕第一正交轴线旋转以提供第一类型的晶片倾斜; 用于支撑壳体的结构，其中所述结构可围绕第二正交轴线旋转以提供第二类型的晶片倾斜; 以及控制系统，其在晶片的植入过程期间引起晶片旋转，第一类型的晶片倾斜和第二类型的晶片倾斜。

公开(公告)号：US20060258128A1

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：US11329761

申请日：2006-01-11

申请人： Peter Nunan ,  Anthony Renau ,  Alan Sheng ,  Paul Murphy ,  Kyu-Ha Shim ,  Charles Teodorczyk ,  Steven Anella ,  Samuel Barsky ,  Lawrence Ficarra ,  Richard Hertel

发明人： Peter Nunan ,  Anthony Renau ,  Alan Sheng ,  Paul Murphy ,  Kyu-Ha Shim ,  Charles Teodorczyk ,  Steven Anella ,  Samuel Barsky ,  Lawrence Ficarra ,  Richard Hertel

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L21/67745 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/3171 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/68707

摘要： Substrate masking apparatus includes a platen assembly to support a substrate for processing, a mask having an aperture, a retaining mechanism to retain the mask in a masking position, and a positioning mechanism to change the relative positions of the mask and the substrate so that different areas of the substrate are exposed through the aperture in the mask. The apparatus may further include a mask loading mechanism to transfer the mask to and between the masking position and a non-masking position. The processing may include ion implantation of the substrate with different implant parameter values in different areas. In other embodiments, an area of the substrate to be processed is selectable by a mask, a shutter or a beam modifier in front of the substrate.

摘要翻译： 基板掩蔽装置包括支撑用于处理的基板的压板组件，具有孔的掩模，将掩模保持在遮蔽位置的保持机构以及改变掩模和基板的相对位置的定位机构，使得不同 衬底的区域通过掩模中的孔露出。 该装置还可以包括掩模加载机构，用于将掩模传送到掩蔽位置和非掩蔽位置之间。 该处理可以包括在不同区域中具有不同植入参数值的衬底的离子注入。 在其他实施例中，待处理的基板的区域可以通过基板前面的掩模，快门或光束修正器来选择。

公开(公告)号：US20100154870A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12487046

申请日：2009-06-18

申请人： Nicholas Bateman ,  Paul Murphy

发明人： Nicholas Bateman ,  Paul Murphy

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/67259 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： An improved, lower cost method of processing substrates, such as to create solar cells is disclosed. The doped regions are created on the substrate, using a mask or without the use of lithography or masks. After the implantation is complete, visual recognition is used to determine the exact region that was implanted. This information can then be used by subsequent process steps to maintain this alignment. This information can also be fed back to the ion implantation equipment to modify the implant parameters. These techniques can also be used in other ion implanter applications.

摘要翻译： 公开了一种改进的，低成本的处理衬底的方法，例如制造太阳能电池。 使用掩模或不使用光刻或掩模在衬底上产生掺杂区域。 植入完成后，使用视觉识别来确定植入的确切区域。 然后可以通过后续处理步骤来使用该信息来维持此对齐。 该信息还可以反馈到离子注入设备以修改植入物参数。 这些技术也可用于其他离子注入机应用。