公开(公告)号：US20080188042A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US11777769

申请日：2007-07-13

申请人： Byeong-Jin LEE ,  Sang-Gab KIM ,  Hong-Sick PARK

发明人： Byeong-Jin LEE ,  Sang-Gab KIM ,  Hong-Sick PARK

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

摘要： Provided is a method of manufacturing a thin film transistor panel that may reduce manufacturing costs. The method includes forming gate wires including a gate line and a gate electrode on an insulating substrate and forming data wires including source and drain electrodes, the data wires being insulated from the gate wires. The method further includes forming a passivation layer covering the gate and data wires, forming contact holes exposing the drain electrodes by etching the passivation layer, and forming a pixel electrode by depositing an indium-free transparent conductive film on the exposed drain electrode and the passivation layer and then dry etching the transparent conductive film.

摘要翻译： 提供了可以降低制造成本的薄膜晶体管面板的制造方法。 该方法包括在绝缘衬底上形成包括栅极线和栅电极的栅极线，并形成包括源极和漏极的数据线，数据线与栅极线绝缘。 该方法还包括形成覆盖栅极和数据线的钝化层，形成通过蚀刻钝化层而暴露出漏电极的接触孔，以及通过在暴露的漏电极和钝化层上沉积无铟透明导电膜来形成像素电极 然后干燥蚀刻透明导电膜。

公开(公告)号：US20120064678A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US13069070

申请日：2011-03-22

申请人： Byeong-Jin LEE ,  Yu-Gwang Jeong ,  Dong-Ju Yang ,  Bong-Kyun Kim ,  Hong-Sick Park ,  Byeong-Beom Kim ,  Sang-Gab Kim ,  Ji-Young Park ,  Jean-Ho Song ,  Ki-Yeup Lee ,  Shin-Il Choi

发明人： Byeong-Jin LEE ,  Yu-Gwang Jeong ,  Dong-Ju Yang ,  Bong-Kyun Kim ,  Hong-Sick Park ,  Byeong-Beom Kim ,  Sang-Gab Kim ,  Ji-Young Park ,  Jean-Ho Song ,  Ki-Yeup Lee ,  Shin-Il Choi

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

摘要： A method for manufacturing a TFT array panel includes forming a photosensitive film pattern with first and second parts in first and second sections on a metal layer, etching the metal layer of a third section using the film pattern as a mask to form first and second metal patterns, etching the film pattern to remove the first part, etching first and second amorphous silicon layers of the third section using the second part as a mask to form an amorphous silicon pattern and a semiconductor, etching the first and second metal patterns of the first section using the second part as a mask to form a source electrode and a drain electrode including an upper layer and a lower layer, and etching the amorphous silicon pattern of the region corresponding to the first section by using the second part as a mask to form an ohmic contact.

摘要翻译： 一种TFT阵列板的制造方法，其特征在于，在金属层的第一和第二部分中形成具有第一和第二部分的感光膜图案，使用所述膜图案作为掩模蚀刻第三部分的金属层，以形成第一和第二金属 蚀刻薄膜图案以去除第一部分，使用第二部分作为掩模蚀刻第三部分的第一和第二非晶硅层以形成非晶硅图案和半导体，蚀刻第一部分的第一和第二金属图案 使用第二部分作为掩模形成源电极和包括上层和下层的漏极，并且通过使用第二部分作为掩模来蚀刻与第一部分相对应的区域的非晶硅图案以形成 欧姆接触。

公开(公告)号：US20110183476A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US12947296

申请日：2010-11-16

申请人： Byeong-Jin LEE ,  Hong-Sick Park ,  Sang-Tae Kim ,  Joon-Woo Lee ,  Young-Chul Park ,  Young-Jun Jin ,  Suck-Jun Lee ,  Seung-Jae Yang ,  O-Byoung Kwon ,  In-Ho Yu ,  Sang-Hoon Jang ,  Min-Ki Lim ,  Hye-Ra Shin ,  Yu-Jin Lee

发明人： Byeong-Jin LEE ,  Hong-Sick Park ,  Sang-Tae Kim ,  Joon-Woo Lee ,  Young-Chul Park ,  Young-Jun Jin ,  Suck-Jun Lee ,  Seung-Jae Yang ,  O-Byoung Kwon ,  In-Ho Yu ,  Sang-Hoon Jang ,  Min-Ki Lim ,  Hye-Ra Shin ,  Yu-Jin Lee

IPC分类号： H01L21/336 ,  C09K13/06 ,  H01B13/00

CPC分类号： H01L29/401 ,  C09K13/06 ,  H01L27/124 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

摘要： An etchant composition for etching a transparent electrode is provided, the etchant composition includes an inorganic acid, an ammonium (NH4+)-containing compound, a cyclic amine compound, and the remaining amount of water.

摘要翻译： 提供了用于蚀刻透明电极的蚀刻剂组合物，蚀刻剂组合物包括无机酸，含铵（NH 4 +）的化合物，环胺化合物和剩余量的水。

公开(公告)号：US20100151610A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12564019

申请日：2009-09-21

申请人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Hong-Sick PARK ,  Sun-Young HONG ,  Young-Joo CHOI ,  Byeong-Jin LEE ,  Nam-Seok SUH ,  Byung-Uk KIM ,  Suk-Il YOON ,  Jong-Hyun JEONG ,  Sung-Gun SHIN ,  Soon-Beom HUH ,  Se-Hwan JUNG ,  Doo-Young JANG ,  Sun-Joo PARK ,  Oh-Hwan KWEON

发明人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Hong-Sick PARK ,  Sun-Young HONG ,  Young-Joo CHOI ,  Byeong-Jin LEE ,  Nam-Seok SUH ,  Byung-Uk KIM ,  Suk-Il YOON ,  Jong-Hyun JEONG ,  Sung-Gun SHIN ,  Soon-Beom HUH ,  Se-Hwan JUNG ,  Doo-Young JANG ,  Sun-Joo PARK ,  Oh-Hwan KWEON

IPC分类号： H01L21/30 ,  G03F7/42

CPC分类号： G03F7/425 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

摘要： A composition for a photoresist stripper and a method of fabricating a thin film transistor array substrate are provided according to one or more embodiments. In one or more embodiments, the composition includes about 5-30 weight % of a chain amine compound, about 0.5-10 weight % of a cyclic amine compound, about 10-80 weight % of a glycol ether compound, about 5-30 weight % of distilled water, and about 0.1-5 weight % of a corrosion inhibitor.

摘要翻译： 根据一个或多个实施方案提供了用于光致抗蚀剂剥离剂的组合物和制造薄膜晶体管阵列基板的方法。 在一个或多个实施方案中，组合物包含约5-30重量％的链胺化合物，约0.5-10重量％的环胺化合物，约10-80重量％的二醇醚化合物，约5-30重量％ ％的蒸馏水和约0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。

公开(公告)号：US20100120209A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12432437

申请日：2009-04-29

申请人： Young-Joo CHOI ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Sun-Young HONG ,  Nam-Seok SUH ,  Hong-Sick PARK ,  Ky-Sub KIM ,  Seung-Yong LEE ,  Joon-Woo LEE ,  Young-Chul PARK ,  Young-Jun JIN ,  Seung-Jae YANG ,  Hyun-Kyu LEE ,  Sang-Hoon JANG ,  Min-Ki LIM

发明人： Young-Joo CHOI ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Sun-Young HONG ,  Nam-Seok SUH ,  Hong-Sick PARK ,  Ky-Sub KIM ,  Seung-Yong LEE ,  Joon-Woo LEE ,  Young-Chul PARK ,  Young-Jun JIN ,  Seung-Jae YANG ,  Hyun-Kyu LEE ,  Sang-Hoon JANG ,  Min-Ki LIM

IPC分类号： H01L21/336 ,  C09K13/06 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/06 ,  C23F1/18 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

摘要： An etchant composition is provided. The etchant composition includes about 40 to about 65 wt % of phosphoric acid, about 2 to about 5 wt % of nitric acid, about 2 to about 20 wt % of acetic acid, about 0.1 to about 2 wt % of a compound containing phosphate, about 0.1 to about 2 wt % of a compound simultaneously containing an amino group and a carboxyl group, and a remaining weight percent of water for the total weight of the composition.

摘要翻译： 提供蚀刻剂组合物。 蚀刻剂组合物包括约40至约65重量％的磷酸，约2至约5重量％的硝酸，约2至约20重量％的乙酸，约0.1至约2重量％的含磷酸盐的化合物， 约0.1至约2重量％的同时含有氨基和羧基的化合物，以及组合物总重量的剩余重量百分数。

公开(公告)号：US20100155730A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12481158

申请日：2009-06-09

申请人： Sun-Young HONG ,  Young-Joo CHOI ,  Nam-Seok SUH ,  Hong-Sick PARK ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE

发明人： Sun-Young HONG ,  Young-Joo CHOI ,  Nam-Seok SUH ,  Hong-Sick PARK ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255

摘要： In the manufacturing process of the thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present invention using three masks, the metal oxide semiconductor or the transparent conductive oxide is used, thereby executing an efficient lift-off process.

摘要翻译： 在根据使用三个掩模的本发明的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板的制造过程中，使用金属氧化物半导体或透明导电氧化物，从而执行有效的剥离处理。

公开(公告)号：US20100149476A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12534300

申请日：2009-08-03

申请人： Do-Hyun KIM ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Young-Joo CHOI ,  Hong-Sick PARK ,  Tae-Hyung IHN ,  Dong-Hoon LEE ,  Pil-Sang YUN ,  Je-Hyeong PARK ,  Chang-Oh JEONG ,  Je-Hun LEE ,  Sun-Young HONG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Nam-Seok SUH

发明人： Do-Hyun KIM ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Young-Joo CHOI ,  Hong-Sick PARK ,  Tae-Hyung IHN ,  Dong-Hoon LEE ,  Pil-Sang YUN ,  Je-Hyeong PARK ,  Chang-Oh JEONG ,  Je-Hun LEE ,  Sun-Young HONG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Nam-Seok SUH

IPC分类号： G02F1/1333 ,  B05D5/12 ,  B44C1/22

CPC分类号： G02F1/136286 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/136295

摘要： A display substrate includes; a base substrate, a deformation preventing layer disposed on a lower surface of the base substrate, wherein the deformation preventing layer applies a force to the base substrate to prevent the base substrate from bending, a gate line disposed on an upper surface of the base substrate, a data line disposed on the base substrate, and a pixel electrode disposed on the base substrate.

摘要翻译： 显示基板包括： 基底基板，设置在基底基板的下表面的变形防止层，其中变形防止层向基底基板施加力以防止基底基板弯曲，设置在基底基板的上表面上的栅极线 设置在基底基板上的数据线，以及配置在基底基板上的像素电极。

公开(公告)号：US20080224092A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US12075966

申请日：2008-03-14

申请人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Hong-Sick PARK ,  Sun-Young HONG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Ji-Sun LEE ,  Ki-Beom LEE ,  Sam-Young CHO ,  Byung-Soo KU ,  Hyun-Cheol SHIN ,  Kwi-Hong PARK ,  Won-Guk SEO

发明人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Hong-Sick PARK ,  Sun-Young HONG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Ji-Sun LEE ,  Ki-Beom LEE ,  Sam-Young CHO ,  Byung-Soo KU ,  Hyun-Cheol SHIN ,  Kwi-Hong PARK ,  Won-Guk SEO

IPC分类号： C09K13/08 ,  C09K13/00

CPC分类号： C23F1/14 ,  H01L21/32134

摘要： An etchant for a metal is described. In one example, the etchant includes ammonium persulfate ((NH4)2S2O8), an azole compound and water. The etchant does not include hydrogen peroxide. Thus, the etchant may etch a metal layer including copper so that an etched copper layer has a tapered profile. Furthermore, the etchant may have a high stability to maintain etching ability for a longer time. Thus, manufacturing margins may be improved so that manufacturing costs may be reduced.

摘要翻译： 描述了金属的蚀刻剂。 在一个实例中，蚀刻剂包括过硫酸铵（（NH 3）2 S 2 O 2 O 8）， 唑化合物和水。 蚀刻剂不包括过氧化氢。 因此，蚀刻剂可以蚀刻包括铜的金属层，使得蚀刻的铜层具有锥形轮廓。 此外，蚀刻剂可能具有高的稳定性，以保持较长时间的蚀刻能力。 因此，可以提高制造裕度，从而可以降低制造成本。

公开(公告)号：US20110256712A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US12857959

申请日：2010-08-17

申请人： Byeong-Jin LEE ,  Hong-Sick PARK ,  Tai-Hyung RHEE ,  Yong-Sung SONG ,  Choung-Woo PARK ,  Jong-Hyun OH

发明人： Byeong-Jin LEE ,  Hong-Sick PARK ,  Tai-Hyung RHEE ,  Yong-Sung SONG ,  Choung-Woo PARK ,  Jong-Hyun OH

IPC分类号： H01L21/768 ,  C09K13/08 ,  C09K13/10 ,  C09K13/00

CPC分类号： C09K13/10 ,  C23F1/10 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/4908

摘要： The present invention relates to an etchant for etching metal wiring, and the metal wiring etchant according to the present invention includes hydrogen peroxide at about 5 wt % to about 15 wt %, an oxidant at about 0.5 wt % to about 5 wt %, a fluoride-based compound at about 0.1 wt % to about 1 wt %, a nitrate-based compound at about 0.5 wt % to about 5 wt %, and a boron-based compound at about 0.05 wt % to about 1 wt %.

摘要翻译： 本发明涉及用于蚀刻金属布线的蚀刻剂，根据本发明的金属布线蚀刻剂包括约5重量％至约15重量％的过氧化氢，约0.5重量％至约5重量％的氧化剂， 约0.1重量％至约1重量％的氟化物基化合物，约0.5重量％至约5重量％的硝酸盐基化合物和约0.05重量％至约1重量％的硼基化合物。

公开(公告)号：US20080079006A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11850922

申请日：2007-09-06

申请人： Hong-Sick PARK ,  Bong-Kyun KIM ,  Chang-Oh JEONG ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Sun-Young HONG ,  Won-Suk SHIN ,  Byeong-Jin LEE

发明人： Hong-Sick PARK ,  Bong-Kyun KIM ,  Chang-Oh JEONG ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Sun-Young HONG ,  Won-Suk SHIN ,  Byeong-Jin LEE

IPC分类号： H01L29/04 ,  C09K13/08 ,  H01L21/00 ,  H01L23/52

CPC分类号： C09K13/08 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0439 ,  G09G2320/0223 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A thin film panel includes a substrate, a gate line formed on the substrate, a gate insulating layer formed on the gate line, a semiconductor layer formed on the gate insulating layer, a data line, including a source electrode, and a drain electrode formed on the gate insulating layer or the semiconductor layer, and a pixel electrode connected to the drain electrode, wherein at least one of the gate line and the data line and drain electrode includes a first conductive layer made of a molybdenum Mo-niobium Nb alloy and a second conductive layer made of a copper Cu-containing metal.

摘要翻译： 薄膜面板包括基板，形成在基板上的栅极线，形成在栅极线上的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的半导体层，包括源电极的数据线和形成的漏电极 在所述栅极绝缘层或所述半导体层上形成的像素电极和与所述漏极连接的像素电极，其中所述栅极线和所述数据线和漏极的至少一个包括由钼Mo-Nb铌合金构成的第一导电层，以及 由含铜铜金属制成的第二导电层。