公开(公告)号：US20150091110A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：US14039668

申请日：2013-09-27

申请人： Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Mark L. Doczy ,  Brian S. Doyle ,  Satyarth Suri ,  Robert S. Chau ,  David L. Kencke ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Anurag Chaudhry

发明人： Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Mark L. Doczy ,  Brian S. Doyle ,  Satyarth Suri ,  Robert S. Chau ,  David L. Kencke ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Anurag Chaudhry

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C29/028 ,  G11C29/56008 ,  G11C29/56012 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L43/08

摘要： Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) devices with enhanced stability and damping are described. For example, a material layer stack for a magnetic tunneling junction includes a fixed magnetic layer. A dielectric layer is disposed above the fixed magnetic layer. A first free magnetic layer is disposed above the dielectric layer. A second free magnetic layer is magnetically coupled with the first free magnetic layer.

摘要翻译： 描述了具有增强的稳定性和阻尼的垂直自旋转移转矩存储器（STTM）装置。 例如，用于磁隧道结的材料层堆叠包括固定磁性层。 电介质层设置在固定磁性层的上方。 第一自由磁性层设置在电介质层的上方。 第二自由磁性层与第一自由磁性层磁耦合。

公开(公告)号：US08913422B2

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：US13630896

申请日：2012-09-28

申请人： Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  Kaan Oguz ,  Satyarth Suri ,  Robert S. Chau ,  Charles C. Kuo ,  Mark L. Doczy ,  David L. Kencke

发明人： Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  Kaan Oguz ,  Satyarth Suri ,  Robert S. Chau ,  Charles C. Kuo ,  Mark L. Doczy ,  David L. Kencke

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15 ,  G11C11/56 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32 ,  B82Y25/00

CPC分类号： G11C11/1675 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/5607 ,  H01F10/3254 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

摘要： Switching current in Spin-Transfer Torque Memory (STTM) can be decreased. A magnetic memory cell is driven with a first pulse on a write line of the memory cell to heat the cell. The cell is then driven with a second pulse on the write line to set the state of the cell.

摘要翻译： 旋转转矩存储器（STTM）中的切换电流可以减小。 磁存储单元用存储单元的写入线上的第一个脉冲驱动，以加热单元。 然后在写入线上用第二个脉冲驱动单元以设置单元的状态。

公开(公告)号：US20140204661A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：US13995631

申请日：2011-12-22

申请人： Brian S. Doyle ,  Arijit Raychowdhury ,  Yong Ju Lee ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  David L. Kencke ,  Robert S. Chau ,  Roksana Golizadeh Mojarad

发明人： Brian S. Doyle ,  Arijit Raychowdhury ,  Yong Ju Lee ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  David L. Kencke ,  Robert S. Chau ,  Roksana Golizadeh Mojarad

IPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/16

CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/78 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： A magnetic memory having memory elements each with two magnetic tunneling junction (MTJ) devices is disclosed. The devices in each element are differentially programmed with complementary data. The devices for each element are stacked one above the other so that the element requires no more substrate area than a single MTJ device.

摘要翻译： 公开了具有各自具有两个磁隧道结（MTJ）装置的存储元件的磁存储器。 每个元件中的器件都用补充数据进行差分编程。 每个元件的器件彼此层叠，使得元件不需要比单个MTJ器件更多的衬底面积。

公开(公告)号：US20130336045A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：US13996500

申请日：2011-12-19

申请人： Charles C. Kuo ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Brian S. Doyle ,  David L. Kencke ,  Kaan Oguz ,  Robert S. Chau

发明人： Charles C. Kuo ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Brian S. Doyle ,  David L. Kencke ,  Kaan Oguz ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L29/82 ,  G11C11/16

CPC分类号： G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L29/82 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： Spin transfer torque memory (STTM) devices with half-metals and methods to write and read the devices are described. For example, a magnetic tunneling junction includes a free magnetic layer, a fixed magnetic layer, and a dielectric layer disposed between the free magnetic layer and the fixed magnetic layer. One or both of the free magnetic layer and the fixed magnetic layer includes a half-metal material at an interface with the dielectric layer.

摘要翻译： 描述了具有半金属的自旋转移转矩存储器（STTM）器件以及写入和读取器件的方法。 例如，磁性隧道结包括自由磁性层，固定磁性层和设置在自由磁性层和固定磁性层之间的电介质层。 自由磁性层和固定磁性层中的一个或两个包括与电介质层界面的半金属材料。

公开(公告)号：US20170040530A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：US15333017

申请日：2016-10-24

申请人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L43/10 ,  H01F10/16 ,  H01L43/12 ,  H01F10/14 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) devices with enhanced stability and methods of fabricating perpendicular STTM devices with enhanced stability are described. For example, a material layer stack for a magnetic tunneling junction includes a fixed magnetic layer. A dielectric layer is disposed above the fixed magnetic layer. A free magnetic layer is disposed above the dielectric layer. A conductive oxide material layer is disposed on the free magnetic layer.

摘要翻译： 描述了具有增强的稳定性的垂直自旋转移转矩存储器（STTM）装置和制造具有增强的稳定性的垂直STTM装置的方法。 例如，用于磁隧道结的材料层堆叠包括固定磁性层。 电介质层设置在固定磁性层的上方。 自由磁性层设置在电介质层的上方。 导电氧化物材料层设置在自由磁性层上。

公开(公告)号：US09728238B2

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：US13996500

申请日：2011-12-19

申请人： Charles C. Kuo ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Brian S. Doyle ,  David L. Kencke ,  Kaan Oguz ,  Robert S. Chau

发明人： Charles C. Kuo ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Brian S. Doyle ,  David L. Kencke ,  Kaan Oguz ,  Robert S. Chau

IPC分类号： G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L29/82 ,  H01L43/02 ,  H01L27/22

CPC分类号： G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L29/82 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： Spin transfer torque memory (STTM) devices with half-metals and methods to write and read the devices are described. For example, a magnetic tunneling junction includes a free magnetic layer, a fixed magnetic layer, and a dielectric layer disposed between the free magnetic layer and the fixed magnetic layer. One or both of the free magnetic layer and the fixed magnetic layer includes a half-metal material at an interface with the dielectric layer.

公开(公告)号：US20150255711A1

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：US14723310

申请日：2015-05-27

申请人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L43/10 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) devices with enhanced stability and methods of fabricating perpendicular STTM devices with enhanced stability are described. For example, a material layer stack for a magnetic tunneling junction includes a fixed magnetic layer. A dielectric layer is disposed above the fixed magnetic layer. A free magnetic layer is disposed above the dielectric layer. A conductive oxide material layer is disposed on the free magnetic layer.

摘要翻译： 描述了具有增强的稳定性的垂直自旋转移转矩存储器（STTM）装置和制造具有增强的稳定性的垂直STTM装置的方法。 例如，用于磁隧道结的材料层堆叠包括固定磁性层。 电介质层设置在固定磁性层的上方。 自由磁性层设置在电介质层的上方。 导电氧化物材料层设置在自由磁性层上。

公开(公告)号：US09054302B2

公开(公告)日：2015-06-09

申请号：US14313690

申请日：2014-06-24

申请人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) devices with enhanced stability and methods of fabricating perpendicular STTM devices with enhanced stability are described. For example, a material layer stack for a magnetic tunneling junction includes a fixed magnetic layer. A dielectric layer is disposed above the fixed magnetic layer. A free magnetic layer is disposed above the dielectric layer. A conductive oxide material layer is disposed on the free magnetic layer.

摘要翻译： 描述了具有增强的稳定性的垂直自旋转移转矩存储器（STTM）装置和制造具有增强的稳定性的垂直STTM装置的方法。 例如，用于磁隧道结的材料层堆叠包括固定磁性层。 电介质层设置在固定磁性层的上方。 自由磁性层设置在电介质层的上方。 导电氧化物材料层设置在自由磁性层上。

公开(公告)号：US20140308760A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：US14313690

申请日：2014-06-24

申请人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L43/12

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) devices with enhanced stability and methods of fabricating perpendicular STTM devices with enhanced stability are described. For example, a material layer stack for a magnetic tunneling junction includes a fixed magnetic layer. A dielectric layer is disposed above the fixed magnetic layer. A free magnetic layer is disposed above the dielectric layer. A conductive oxide material layer is disposed on the free magnetic layer.

公开(公告)号：US08796797B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13723893

申请日：2012-12-21

申请人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) devices with enhanced stability and methods of fabricating perpendicular STTM devices with enhanced stability are described. For example, a material layer stack for a magnetic tunneling junction includes a fixed magnetic layer. A dielectric layer is disposed above the fixed magnetic layer. A free magnetic layer is disposed above the dielectric layer. A conductive oxide material layer is disposed on the free magnetic layer.

摘要翻译： 描述了具有增强的稳定性的垂直自旋转移转矩存储器（STTM）装置和制造具有增强的稳定性的垂直STTM装置的方法。 例如，用于磁隧道结的材料层堆叠包括固定磁性层。 电介质层设置在固定磁性层的上方。 自由磁性层设置在电介质层的上方。 导电氧化物材料层设置在自由磁性层上。