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    Light-emitting device having a patterned surface
    2.
    发明授权
    Light-emitting device having a patterned surface 有权
    具有图案化表面的发光器件

    公开(公告)号：US08633501B2

    公开(公告)日：2014-01-21

    申请号：US12646553

    申请日：2009-12-23

    申请人： Chen Ou ,  Chiu-Lin Yao

    发明人： Chen Ou ,  Chiu-Lin Yao

    IPC分类号： H01L29/207

    CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0091

    摘要： The disclosure provides a light-emitting device comprising a substrate, an intermediate layer formed on the substrate, a first doped semiconductor layer with first conductivity-type formed on the intermediate layer, a second doped semiconductor layer with second conductivity-type formed on the first doped semiconductor layer, an active layer formed between the first doped semiconductor layer and the second doped semiconductor layer, and a patterned surface having a plurality of ordered pattern units; wherein the patterned surface is substantially not parallel to the corresponding region of the surface of the active layer.

    摘要翻译： 本发明提供一种发光器件，其包括衬底，形成在衬底上的中间层，在中间层上形成的具有第一导电型的第一掺杂半导体层，在第一衬底上形成的具有第二导电类型的第二掺杂半导体层 形成在第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间的有源层和具有多个有序图案单元的图案化表面; 其中所述图案化表面基本上不平行于所述有源层的表面的相应区域。

    High-efficiency light-emitting device and manufacturing method thereof
    3.
    发明授权
    High-efficiency light-emitting device and manufacturing method thereof 有权
    高效发光元件及其制造方法

    公开(公告)号：US08994052B2

    公开(公告)日：2015-03-31

    申请号：US13161835

    申请日：2011-06-16

    申请人： Chien-Fu Shen ,  Chao-Hsing Chen ,  Chien-Fu Huang ,  Shih-I Chen ,  Chiu-Lin Yao ,  Chia-Liang Hsu ,  Chen Ou

    发明人： Chien-Fu Shen ,  Chao-Hsing Chen ,  Chien-Fu Huang ,  Shih-I Chen ,  Chiu-Lin Yao ,  Chia-Liang Hsu ,  Chen Ou

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/58 ,  H01L33/10 ,  H01L33/22

    CPC分类号： H01L33/10 ,  H01L33/22

    摘要： A light-emitting device includes a first semiconductor layer; an active layer formed on the first semiconductor layer; a second semiconductor layer formed on the active layer; and a first pad formed on the second semiconductor layer, wherein the second semiconductor layer comprises a first region right under the first pad and a plurality of voids formed in the first region, wherein the region outside the first region in the second semiconductor layer is devoid of voids, and an area of the first region is smaller than that of the first pad in top view and the area of the first pad is smaller than that of the second semiconductor layer in top view, and the light emitted from the active layer is extracted from a top surface of the second semiconductor layer opposite the first semiconductor layer.

    摘要翻译： 发光器件包括第一半导体层; 形成在所述第一半导体层上的有源层; 形成在所述有源层上的第二半导体层; 以及形成在所述第二半导体层上的第一焊盘，其中所述第二半导体层包括位于所述第一焊盘下方的第一区域和形成在所述第一区域中的多个空隙，其中所述第二半导体层中的所述第一区域外部的区域为空 并且第一区域的面积比顶视图中的第一区域的面积小，并且第一衬垫的面积在俯视图中小于第二半导体层的面积，并且从有源层发射的光为 从与第一半导体层相对的第二半导体层的顶表面提取。

    Nitride-based light-emitting device
    5.
    发明授权
    Nitride-based light-emitting device 有权
    基于氮化物的发光器件

    公开(公告)号：US08536565B2

    公开(公告)日：2013-09-17

    申请号：US13046490

    申请日：2011-03-11

    申请人： Chen Ou ,  Wen-Hsiang Lin ,  Shih-Kuo Lai

    发明人： Chen Ou ,  Wen-Hsiang Lin ,  Shih-Kuo Lai

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

    摘要： A nitride-based light-emitting device includes a substrate and a plurality of layers formed over the substrate in the following sequence: a nitride-based buffer layer formed by nitrogen, a first group III element, and optionally, a second group III element, a first nitride-based semiconductor layer, a light-emitting layer, and a second nitride-based semiconductor layer.

    摘要翻译： 氮化物系发光器件包括基板和在该基板上形成的多个层，其顺序如下：由氮形成的基于氮化物的缓冲层，第一III族元素和任选的第二III族元素， 第一氮化物基半导体层，发光层和第二氮化物基半导体层。

    LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    7.
    发明申请
    LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
    发光装置及其制造方法

    公开(公告)号：US20100200885A1

    公开(公告)日：2010-08-12

    申请号：US12703964

    申请日：2010-02-11

    申请人： Chen Ke HSU ,  Win Jim Su ,  Chia-Ming Chuang ,  Chen Ou

    发明人： Chen Ke HSU ,  Win Jim Su ,  Chia-Ming Chuang ,  Chen Ou

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20

    摘要： A light emitting device and a method of fabricating thereof are provided. The method of fabricating the light emitting device comprises: providing a substrate having a first major surface and a second major surface; forming a plurality of light-emitting stacks on the first major surface; forming an etching protection layer on each of the light emitting stacks; forming a plurality of holes by a discontinuous laser beam on the substrate; etching the plurality of holes; and slicing off the substrate along the plurality of holes to form a light emitting device. The light emitting device has a substrate wherein the sidewall of the substrate comprising a first area with a substantially flat surface and a second area with substantially textured surface.

    摘要翻译： 提供一种发光器件及其制造方法。 制造发光器件的方法包括：提供具有第一主表面和第二主表面的衬底; 在所述第一主表面上形成多个发光堆叠; 在每个发光堆上形成蚀刻保护层; 通过基板上的不连续激光束形成多个孔; 蚀刻多个孔; 并且沿着所述多个孔切割所述基板以形成发光器件。 发光器件具有衬底，其中衬底的侧壁包括具有基本平坦表面的第一区域和具有基本纹理表面的第二区域。

    Semiconductor light-emitting device having stacked transparent electrodes
    8.
    发明申请
    Semiconductor light-emitting device having stacked transparent electrodes 有权
    具有堆叠的透明电极的半导体发光器件

    公开(公告)号：US20080241526A1

    公开(公告)日：2008-10-02

    申请号：US12078375

    申请日：2008-03-31

    申请人： Chen Ou ,  Chen-Ke Hsu

    发明人： Chen Ou ,  Chen-Ke Hsu

    IPC分类号： H01J1/63

    CPC分类号： H01L33/42 ,  H01L33/14 ,  Y10T428/265

    摘要： This application is related to a semiconductor light-emitting device including a substrate, a semiconductor epitaxial layer over the substrate and having a first surface distant from the substrate, a first transparent conductive layer formed on the first surface, and a second transparent conductive layer formed on the first transparent conductive layer and having a second surface smaller than a first surface of the first transparent conductive layer.

    摘要翻译： 本申请涉及一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：基板，在基板上的半导体外延层，并且具有远离基板的第一表面;形成在第一表面上的第一透明导电层，以及形成的第二透明导电层 在第一透明导电层上并且具有小于第一透明导电层的第一表面的第二表面。

    Light-emitting apparatus
    9.
    发明申请
    Light-emitting apparatus 审中-公开
    发光装置

    公开(公告)号：US20070200493A1

    公开(公告)日：2007-08-30

    申请号：US11581439

    申请日：2006-10-17

    申请人： Tzu-Chieh Hsu ,  Ching-San Tao ,  Mei-Chun Liu ,  Mei-Lan Wu ,  Chen Ou ,  Min-Hsun Hsieh

    发明人： Tzu-Chieh Hsu ,  Ching-San Tao ,  Mei-Chun Liu ,  Mei-Lan Wu ,  Chen Ou ,  Min-Hsun Hsieh

    IPC分类号： H01J1/62 ,  H01J63/04

    CPC分类号： H01L33/42 ,  H01L33/10 ,  H01L33/20 ,  H01L33/405

    摘要： The light-emitting apparatus comprises a substrate, a first semiconductor layer formed on the substrate, a light-emitting layer formed on the first semiconductor layer, a second semiconductor layer formed on the light-emitting layer, a first transparent conductive oxide layer formed on the second semiconductor layer, a reflective metal layer form on the transparent conductive oxide layer, and a first electrode formed on the reflective metal layer; characterized in that the first transparent conductive oxide layer is formed with a plurality of cavities on the interface between the first transparent conductive oxide layer and the reflective metal layer for improving the adhesion strength therebetween.

    摘要翻译： 发光装置包括基板，形成在基板上的第一半导体层，形成在第一半导体层上的发光层，形成在发光层上的第二半导体层，形成在第一半导体层上的第一透明导电氧化物层 所述第二半导体层，在所述透明导电氧化物层上形成反射金属层，以及形成在所述反射金属层上的第一电极; 其特征在于，所述第一透明导电氧化物层在所述第一透明导电氧化物层和所述反射金属层之间的界面上形成有多个空腔，以改善其间的粘合强度。