利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

37 条记录 (耗时 0.021 秒)

    SOLAR CELL WITH SHADE-FREE FRONT ELECTRODE
    1.
    发明申请
    SOLAR CELL WITH SHADE-FREE FRONT ELECTRODE 审中-公开
    太阳能电池与无电镀前电极

    公开(公告)号：US20110277816A1

    公开(公告)日：2011-11-17

    申请号：US13048804

    申请日：2011-03-15

    申请人： Zheng Xu ,  Jianming Fu ,  Jiunn Benjamin Heng ,  Chentao Yu

    发明人： Zheng Xu ,  Jianming Fu ,  Jiunn Benjamin Heng ,  Chentao Yu

    IPC分类号： H01L31/052 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

    CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/52

    摘要： One embodiment of the present invention provides a solar cell with shade-free front electrode. The solar cell includes a photovoltaic body, a front-side ohmic contact layer situated above the photovoltaic body, a back-side ohmic contact layer situated below the photovoltaic body, a front-side electrode situated above the front-side ohmic contact layer, and a back-side electrode situated below the back-side ohmic contact layer. The front-side electrode includes a plurality of parallel metal grid lines, and the surface of at least one metal grid line is curved, thereby allowing incident light hitting the curved surface to be reflected downward and absorbed by the solar cell surface adjacent to the metal grid line.

    摘要翻译： 本发明的一个实施例提供一种具有无遮蔽的前电极的太阳能电池。 太阳能电池包括光电体，位于光电体上方的前侧欧姆接触层，位于光伏体下方的背面欧姆接触层，位于前侧欧姆接触层上方的前侧电极，以及 位于背侧欧姆接触层下方的背面电极。 前侧电极包括多个平行的金属网格线，并且至少一个金属网格线的表面是弯曲的，从而允许入射到该曲面的入射光向下反射并被靠近金属的太阳能电池表面吸收 网格线。

    SILICON-BASED DIELECTRIC STACK PASSIVATION OF SI-EPITAXIAL THIN-FILM SOLAR CELLS
    2.
    发明申请
    SILICON-BASED DIELECTRIC STACK PASSIVATION OF SI-EPITAXIAL THIN-FILM SOLAR CELLS 有权
    硅绝缘薄膜太阳能电池的硅基电介质堆积

    公开(公告)号：US20100258168A1

    公开(公告)日：2010-10-14

    申请号：US12421470

    申请日：2009-04-09

    申请人： Chentao Yu ,  Jianming Fu ,  Jiunn Benjamin Heng

    发明人： Chentao Yu ,  Jianming Fu ,  Jiunn Benjamin Heng

    IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： One embodiment of the present invention provides a solar cell. The solar cell includes a metallurgical-grade Si (MG-Si) substrate, a first layer of heavily doped crystalline-Si situated above the MG-Si substrate, a layer of lightly doped crystalline-Si situated above the first heavily doped crystalline-Si layer, a backside ohmic-contact layer situated on the backside of the MG-Si substrate, a second layer of heavily doped crystalline-Si situated above the lightly doped crystalline-Si layer, a first layer of dielectric situated above the second heavily doped crystalline-Si layer, a second layer of dielectric situated above the first dielectric layer, and front electrodes situated above the second dielectric layer.

    摘要翻译： 本发明的一个实施例提供一种太阳能电池。 太阳能电池包括冶金级Si（MG-Si）衬底，位于MG-Si衬底上方的重掺杂晶体Si的第一层，位于第一重掺杂晶体Si上方的轻掺杂晶体Si层 层，位于MG-Si衬底的背面上的背面欧姆接触层，位于轻掺杂晶体Si层上方的重掺杂晶体Si的第二层，位于第二重掺杂结晶 -Si层，位于第一介电层上方的第二层电介质，以及位于第二介电层上方的前电极。

    SOLAR CELL WITH ELECTROPLATED METAL GRID
    4.
    发明申请
    SOLAR CELL WITH ELECTROPLATED METAL GRID 有权
    带电镀金属网的太阳能电池

    公开(公告)号：US20120060911A1

    公开(公告)日：2012-03-15

    申请号：US13220532

    申请日：2011-08-29

    申请人： Jianming Fu ,  Zheng Xu ,  Chentao Yu ,  Jiunn Benjamin Heng

    发明人： Jianming Fu ,  Zheng Xu ,  Chentao Yu ,  Jiunn Benjamin Heng

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0232

    CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

    摘要： One embodiment of the present invention provides a method for fabricating solar cells. During operation, an anti-reflection layer is deposited on top of a semiconductor structure to form a photovoltaic structure, and a front-side electrode grid comprising a metal stack is formed on top of the photovoltaic structure. The metal stack comprises a metal-adhesive layer comprising Ti or Ta, and a conducting layer comprising Cu or Ag situated above the metal-adhesive layer.

    摘要翻译： 本发明的一个实施例提供一种制造太阳能电池的方法。 在操作期间，在半导体结构的顶部上沉积抗反射层以形成光伏结构，并且在光伏结构的顶部上形成包括金属叠层的前侧电极栅格。 金属叠层包括由Ti或Ta构成的金属粘合剂层，以及包含位于金属粘合剂层上方的Cu或Ag的导电层。

    SOLAR CELL FABRICATED BY SILICON LIQUID-PHASE DEPOSITION
    7.
    发明申请
    SOLAR CELL FABRICATED BY SILICON LIQUID-PHASE DEPOSITION 审中-公开
    由硅液相沉积制成的太阳能电池

    公开(公告)号：US20090255574A1

    公开(公告)日：2009-10-15

    申请号：US12102490

    申请日：2008-04-14

    申请人： Chentao Yu ,  Jianming Fu

    发明人： Chentao Yu ,  Jianming Fu

    IPC分类号： H01L31/072 ,  H01L31/04 ,  C25D5/00 ,  H01L31/0368

    CPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/075 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

    摘要： One embodiment of the present invention provides a solar cell. The solar cell includes a substrate; a polycrystalline Si (poly-Si) thin-film layer which includes a p+ layer situated above the substrate, wherein the poly-Si thin-film layer is hydrogenated; a contact under-layer situated between the foreign substrate and the poly-Si thin-film layer; a metal layer situated below the contact layer, wherein part of the metal layer reaches the p+ layer through the contact under-layer; an n-type doped amorphous-Si (a-Si) thin-film layer situated above the poly-Si thin-film layer forming a heterojunction; an optional intrinsic layer situated between the poly-Si thin-film layer and the n-type doped a-Si thin-film layer; a transparent conductive layer situated above the n-type doped a-Si thin-film layer; and a front-side electrode situated above the transparent conductive layer.

    摘要翻译： 本发明的一个实施例提供一种太阳能电池。 太阳能电池包括基板; 多晶硅（poly-Si）薄膜层，其包含位于所述基板上方的p +层，其中所述多晶硅薄膜层被氢化; 位于外部基板和多晶硅薄膜层之间的接触层; 位于所述接触层下方的金属层，其中所述金属层的一部分通过所述接触下层到达所述p +层; 位于形成异质结的多晶硅薄膜层上方的n型掺杂非晶Si（a-Si）薄膜层; 位于多晶硅薄膜层和n型掺杂a-Si薄膜层之间的可选本征层; 位于n型掺杂a-Si薄膜层上方的透明导电层; 以及位于透明导电层上方的前侧电极。

    SOLAR CELLS FABRICATED BY USING CVD EPITAXIAL SI FILMS ON METALLURGICAL-GRADE SI WAFERS
    9.
    发明申请
    SOLAR CELLS FABRICATED BY USING CVD EPITAXIAL SI FILMS ON METALLURGICAL-GRADE SI WAFERS 有权
    通过使用CVD外延膜在冶金级SI WAFERS上制造的太阳能电池

    公开(公告)号：US20100065111A1

    公开(公告)日：2010-03-18

    申请号：US12343116

    申请日：2008-12-23

    申请人： Jianming Fu ,  Zheng Xu ,  Peijun Ding ,  Chentao Yu ,  Guanghua Song ,  Jianjun Liang

    发明人： Jianming Fu ,  Zheng Xu ,  Peijun Ding ,  Chentao Yu ,  Guanghua Song ,  Jianjun Liang

    IPC分类号： H01L31/0288

    CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L21/3221 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： One embodiment of the present invention provides a method for fabricating a solar cell. The method includes: melting a metallurgical-grade (MG) Si feedstock, lowering a single-crystalline Si seed to touch the surface of the molten MG-Si, slowly pulling out a single-crystal Si ingot of the molten MG-Si, processing the Si ingot into single crystal Si wafers to form MG-Si substrates for subsequent epitaxial growth, leaching out residual metal impurities in the MG-Si substrate, epitaxially growing a layer of single-crystal Si thin film doped with boron on the MG-Si substrate, doping phosphor to the single-crystal Si thin film to form an emitter layer, depositing an anti-reflection layer on top of the single-crystal Si thin film, and forming the front and the back electrical contacts.

    摘要翻译： 本发明的一个实施例提供一种制造太阳能电池的方法。 该方法包括：熔化冶金级（MG）Si原料，降低单晶Si种子以接触熔融的MG-Si的表面，缓慢拉出熔融的MG-Si的单晶Si锭，加工 Si晶锭形成单晶Si晶片以形成用于随后的外延生长的MG-Si衬底，浸出MG-Si衬底中的残余金属杂质，在MG-Si上外延生长掺杂有硼的单晶Si薄膜层 衬底，掺杂磷光体到单晶Si薄膜以形成发射极层，在单晶Si薄膜的顶部沉积抗反射层，并形成前后电接触。