公开(公告)号：US20130026622A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13193969

申请日：2011-07-29

申请人： Chita CHUANG ,  Yao-Chun CHUANG ,  Tsung-Shu LIN ,  Chen-Cheng KUO ,  Chen-Shien CHEN

发明人： Chita CHUANG ,  Yao-Chun CHUANG ,  Tsung-Shu LIN ,  Chen-Cheng KUO ,  Chen-Shien CHEN

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00

摘要： A bump structure in a semiconductor device or a packing assembly includes an under-bump metallization (UBM) layer formed on a conductive pad of a semiconductor substrate. The UBM layer has a width greater than a width of the conductive pad.

摘要翻译： 半导体器件或封装组件中的凸块结构包括在半导体衬底的导电焊盘上形成的凸块下金属化（UBM）层。 UBM层的宽度大于导电焊盘的宽度。