公开(公告)号：US5492737A

公开(公告)日：1996-02-20

申请号：US244573

申请日：1994-08-01

申请人： Christopher Dobson ,  Adrian Kiermasz ,  Knut Beekmann ,  Christine Shearer ,  Edmond Ling ,  Alan Winn ,  Rob Wilby

发明人： Christopher Dobson ,  Adrian Kiermasz ,  Knut Beekmann ,  Christine Shearer ,  Edmond Ling ,  Alan Winn ,  Rob Wilby

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32 ,  C23C14/26

CPC分类号： H01J37/32082 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/3328

摘要： A reactor 10 defines a chamber 11 in which are disposed an upper electrode 12 and a lower workpiece electrode 13. The upper electrode is connected to a R.F. supply whilst the lower electrode is connected to a stress control unit 14. The stress control unit is used to adjust or maintain the effective resistance of the connection between the workpiece electrode 13 and ground.

摘要翻译： PCT No.PCT / GB92 / 02238 Sec。 371日期1994年8月1日 102（e）日期1994年8月1日PCT 1992年12月2日PCT PCT。 出版物WO93 / 11276 日期：1993年6月10日。反应器10限定了一个室11，其中设置有上电极12和下工件电极13.上电极连接到R.F. 供电，而下电极连接到应力控制单元14.应力控制单元用于调节或保持工件电极13和地之间的连接的有效电阻。

公开(公告)号：US07923383B2

公开(公告)日：2011-04-12

申请号：US10401184

申请日：2003-03-28

申请人： Knut Beekmann ,  Guy Patrick Tucker

发明人： Knut Beekmann ,  Guy Patrick Tucker

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31604

摘要： This invention relates to a method of treating a semiconductor wafer and in particular, but not exclusively, to planarisation. The method consists of depositing a liquid short-chain polymer formed from a silicon containing bas or vapour. Subsequently water and OH are removed and the layer is stabilised.

摘要翻译： 本发明涉及一种处理半导体晶片的方法，具体而非排他地涉及平面化。 该方法包括沉积由含硅底物或蒸汽形成的液态短链聚合物。 随后除去水和OH，并使层稳定。

公开(公告)号：US07309662B1

公开(公告)日：2007-12-18

申请号：US09763641

申请日：2000-06-26

申请人： Katherine Giles ,  Knut Beekmann ,  Christopher David Dobson ,  John MacNeil ,  Antony Paul Wilby

发明人： Katherine Giles ,  Knut Beekmann ,  Christopher David Dobson ,  John MacNeil ,  Antony Paul Wilby

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612

摘要： This invention relates to a method and apparatus for forming a film on the substrate. The method comprises supplying to the chamber in gaseous or vapor form a silicon containing organic compound and an oxidizing agent in the presence of a plasma to deposit a film on the substrate and setting the film such that carbon containing groups are retained therein. In particular embodiments the setting is achieved by exposing the film to H2 plasma.

摘要翻译： 本发明涉及一种在基片上形成薄膜的方法和装置。 该方法包括在等离子体存在下以气态或蒸气形式将含硅的有机化合物和氧化剂供应到室中，以将膜沉积在基材上并使膜固化以使含碳基团保留在其中。 在具体实施方案中，通过将膜暴露于H 2 O 3等离子体来实现设定。

公开(公告)号：US07202167B2

公开(公告)日：2007-04-10

申请号：US10946310

申请日：2004-09-22

申请人： Knut Beekmann ,  Kathrine Giles

发明人： Knut Beekmann ,  Kathrine Giles

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/02167 ,  C23C16/325 ,  C23C16/36 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A barrier limits the diffusion of a metal, such as copper, into an insulating layer. The barrier may take the form of insulating layer made of a silicon carbide type material which has been exposed to ionised hydrogen subsequent to deposition. Preferably the material contains nitrogen and it is particularly preferred that the material has a dielectric constant of 3.5 or less.

摘要翻译： 屏障将金属（例如铜）的扩散限制在绝缘层中。 阻挡层可以采用由沉积后暴露于电离氢的碳化硅型材料制成的绝缘层的形式。 优选地，该材料含有氮，特别优选该材料的介电常数为3.5或更小。

公开(公告)号：US20050042887A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：US10946310

申请日：2004-09-22

申请人： Knut Beekmann ,  Kathrine Giles

发明人： Knut Beekmann ,  Kathrine Giles

IPC分类号： C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  C23C16/56 ,  H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/40 ,  C23C16/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02167 ,  C23C16/325 ,  C23C16/36 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A barrier limits the diffusion of a metal, such as copper, into an insulating layer. The barrier may take the form of insulating layer made of a silicon carbide type material which has been exposed to ionised hydrogen subsequent to deposition. Preferably the material contains nitrogen and it is particularly preferred that the material has a dielectric constant of 3.5 or less.

摘要翻译： 屏障将金属（例如铜）的扩散限制在绝缘层中。 阻挡层可以采用由沉积后暴露于电离氢的碳化硅型材料制成的绝缘层的形式。 优选地，该材料含有氮，特别优选该材料的介电常数为3.5或更小。