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    Relaxed InGaN/AlGaN Templates
    7.
    发明申请
    Relaxed InGaN/AlGaN Templates 有权
    轻松的InGaN / AlGaN模板

    公开(公告)号：US20110150017A1

    公开(公告)日：2011-06-23

    申请号：US12642558

    申请日：2009-12-18

    申请人： Christopher L. Chua ,  Zhihong Yang ,  Andre Strittmatter ,  Mark R. Teepe

    发明人： Christopher L. Chua ,  Zhihong Yang ,  Andre Strittmatter ,  Mark R. Teepe

    IPC分类号： H01S5/00 ,  H01L29/12 ,  H01L21/04 ,  H01L33/00

    CPC分类号： H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

    摘要： A relaxed InGaN template employs a GaN or InGaN nucleation layer grown at low temperatures on a conventional base layer (e.g., sapphire). The nucleation layer is typically very rough and multi-crystalline. A single-crystal InGaN buffer layer is then grown at normal temperatures. Although not necessary, the buffer layer is typically undoped, and is usually grown at high pressures to encourage planarization and to improve surface smoothness. A subsequent n-doped cap layer can then be grown at low pressures to form the n-contact of a photonic or electronic device. In some cases, a wetting layer—typically low temperature AlN—is grown prior to the nucleation layer. Other templates, such as AlGaN on Si or SiC, are also produced using the method of the present invention.

    摘要翻译： 放宽的InGaN模板采用在常规基底层（例如，蓝宝石）上在低温下生长的GaN或InGaN成核层。 成核层通常非常粗糙和多晶。 然后在常温下生长单晶InGaN缓冲层。 虽然不是必需的，缓冲层通常是未掺杂的，并且通常在高压下生长以促进平坦化并改善表面平滑度。 然后可以在低压下生长随后的n掺杂的盖层，以形成光子或电子器件的n接触。 在一些情况下，在成核层之前生长润湿层（通常是低温AlN）。 也可以使用本发明的方法制造其它模板，例如Si或SiC上的AlGaN。

    Relaxed InGaN/AlGaN Templates
    10.
    发明申请
    Relaxed InGaN/AlGaN Templates 有权
    轻松的InGaN / AlGaN模板

    公开(公告)号：US20110281424A1

    公开(公告)日：2011-11-17

    申请号：US13193530

    申请日：2011-07-28

    申请人： Christopher L. Chua ,  Zhihong Yang ,  Andre Strittmatter ,  Mark R. Teepe

    发明人： Christopher L. Chua ,  Zhihong Yang ,  Andre Strittmatter ,  Mark R. Teepe

    IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B25/10 ,  C30B25/02

    CPC分类号： H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

    摘要： A relaxed InGaN template is formed by growing a GaN or InGaN nucleation layer at low temperatures on a conventional base layer (e.g., sapphire). The nucleation layer is typically very rough and multi-crystalline. A single-crystal InGaN buffer layer is then grown at normal temperatures on the nucleation layer. Although not necessary, the buffer layer is typically undoped, and is usually grown at high pressures to encourage planarization and to improve surface smoothness. A subsequent n-doped cap layer can then be grown at low pressures to form the n-contact of a photonic or electronic device. In some cases, a wetting layer—typically low temperature AlN—is grown prior to the nucleation layer. Other templates, such as AlGaN on Si or SiC, are also produced using the method of the present invention.

    摘要翻译： 通过在常规基底层（例如，蓝宝石）上在低温下生长GaN或InGaN成核层来形成松弛的InGaN模板。 成核层通常非常粗糙和多晶。 然后在成核层上的常温下生长单晶InGaN缓冲层。 虽然不是必需的，缓冲层通常是未掺杂的，并且通常在高压下生长以促进平坦化并改善表面平滑度。 然后可以在低压下生长随后的n掺杂的盖层，以形成光子或电子器件的n接触。 在一些情况下，在成核层之前生长润湿层（通常是低温AlN）。 也可以使用本发明的方法制造其它模板，例如Si或SiC上的AlGaN。