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    Image sensor having compressive layers
    1.
    发明授权
    Image sensor having compressive layers 有权
    具有压缩层的图像传感器

    公开(公告)号：US09059057B2

    公开(公告)日：2015-06-16

    申请号：US13492258

    申请日：2012-06-08

    申请人： Chun-Han Tsao ,  Chih-Yu Lai ,  Chih-Hui Huang ,  Cheng-Ta Wu ,  Yeur-Luen Tu ,  Ching-Chun Wang ,  Shyh-Fann Ting ,  Chia-Shiung Tsai

    发明人： Chun-Han Tsao ,  Chih-Yu Lai ,  Chih-Hui Huang ,  Cheng-Ta Wu ,  Yeur-Luen Tu ,  Ching-Chun Wang ,  Shyh-Fann Ting ,  Chia-Shiung Tsai

    IPC分类号： H01L31/102 ,  H01L21/00 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148

    CPC分类号： H01L31/02164 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/148 ,  H01L51/4273

    摘要： An image sensor device including a semiconductor substrate that includes an array region and a black level correction region. The array region contains a plurality of radiation-sensitive pixels. The black level correction region contains one or more reference pixels. The substrate has a front side and a back side. The image sensor device includes a first compressively-stressed layer formed on the back side of the substrate. The first compressively-stressed layer contains silicon oxide, and is negatively charged. The second compressively-stressed layer contains silicon nitride, and is negatively charged. A metal shield is formed over at least a portion of the black level correction region. The image sensor device includes a third compressively-stressed layer formed on the metal shield and the second compressively-stressed layer. The third compressively-stressed layer contains silicon oxide. A sidewall of the metal shield is protected by the third compressively-stressed layer.

    摘要翻译： 一种包括具有阵列区域和黑色电平校正区域的半导体衬底的图像传感器装置。 阵列区域包含多个辐射敏感像素。 黑色电平校正区域包含一个或多个参考像素。 基板具有前侧和后侧。 图像传感器装置包括形成在基板的背面上的第一压缩应力层。 第一压应力层含有氧化硅，带负电荷。 第二压应力层含有氮化硅，带负电荷。 在黑色电平校正区域的至少一部分上形成金属屏蔽。 图像传感器装置包括形成在金属屏蔽和第二压缩应力层上的第三压缩应力层。 第三压缩应力层含有氧化硅。 金属屏蔽层的侧壁由第三压应力层保护。

    Backside Surface Treatment of Semiconductor Chips
    4.
    发明申请
    Backside Surface Treatment of Semiconductor Chips 有权
    半导体芯片的背面表面处理

    公开(公告)号：US20130040446A1

    公开(公告)日：2013-02-14

    申请号：US13205179

    申请日：2011-08-08

    申请人： Chih-Yu Lai ,  Cheng-Ta Wu ,  Kai-Chun Hsu ,  Yeur-Luen Tu ,  Ching-Chun Wang ,  Chia-Shiung Tsai

    发明人： Chih-Yu Lai ,  Cheng-Ta Wu ,  Kai-Chun Hsu ,  Yeur-Luen Tu ,  Ching-Chun Wang ,  Chia-Shiung Tsai

    IPC分类号： H01L21/265

    CPC分类号： H01L27/14687 ,  H01L27/1464

    摘要： A method includes performing a grinding to a backside of a semiconductor substrate, wherein a remaining portion of the semiconductor substrate has a back surface. A treatment is then performed on the back surface using a method selected from the group consisting essentially of a dry treatment and a plasma treatment. Process gases that are used in the treatment include oxygen (O2). The plasma treatment is performed without vertical bias in a direction perpendicular to the back surface.

    摘要翻译： 一种方法包括对半导体衬底的背面进行研磨，其中半导体衬底的剩余部分具有背面。 然后使用基本上由干法处理和等离子体处理组成的组中的方法在背面进行处理。 用于处理的工艺气体包括氧（O 2）。 在垂直于后表面的方向上进行等离子体处理而没有垂直偏压。

    Method and apparatus for reducing stripe patterns
    6.
    发明授权
    Method and apparatus for reducing stripe patterns 有权
    减少条纹图案的方法和装置

    公开(公告)号：US09099389B2

    公开(公告)日：2015-08-04

    申请号：US13371303

    申请日：2012-02-10

    申请人： Chung Chien Wang ,  Yeur-Luen Tu ,  Cheng-Ta Wu ,  Chia-Shiung Tsai

    发明人： Chung Chien Wang ,  Yeur-Luen Tu ,  Cheng-Ta Wu ,  Chia-Shiung Tsai

    IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L27/146

    CPC分类号： H01L21/268 ,  G01B11/14 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

    摘要： A method for reducing stripe patterns comprising receiving scattered light signals from a backside surface of a laser annealed backside illuminated image sensor wafer, generating a backside surface image based upon the scattered light signals, determining a distance between an edge of a sensor array of the laser anneal backside illuminated image sensor wafer and an adjacent boundary of a laser beam and re-calibrating the laser beam if the distance is less than a predetermined value.

    摘要翻译： 一种用于减少条纹图案的方法，包括从激光退火背面照射图像传感器晶片的背面接收散射光信号，基于散射光信号产生背面图像，确定激光器的传感器阵列的边缘之间的距离 退火背面照射的图像传感器晶片和激光束的相邻边界，并且如果距离小于预定值则重新校准激光束。

    Method to Form a CMOS Image Sensor
    7.
    发明申请
    Method to Form a CMOS Image Sensor 有权
    形成CMOS图像传感器的方法

    公开(公告)号：US20140061738A1

    公开(公告)日：2014-03-06

    申请号：US13602494

    申请日：2012-09-04

    申请人： Chung Chien Wang ,  Yeur-Luen Tu ,  Cheng-Ta Wu ,  Jiech-Fun Lu ,  Chun-Wei Chang ,  Wang-Pen Mo ,  Jhy-Jyi Sze ,  Chia-Shiung Tsai

    发明人： Chung Chien Wang ,  Yeur-Luen Tu ,  Cheng-Ta Wu ,  Jiech-Fun Lu ,  Chun-Wei Chang ,  Wang-Pen Mo ,  Jhy-Jyi Sze ,  Chia-Shiung Tsai

    IPC分类号： H01L31/0216

    CPC分类号： H01L21/266 ,  H01L27/14689

    摘要： The present disclosure relates to a method and composition to limit crystalline defects introduced in a semiconductor device during ion implantation. A high-temperature low dosage implant is performed utilizing a tri-layer photoresist which maintains the crystalline structure of the semiconductor device while limiting defect formation within the semiconductor device. The tri-layer photoresist comprises a layer of spin-on carbon deposited onto a substrate, a layer of silicon containing hard-mask formed above the layer of spin-on carbon, and a layer of photoresist formed above the layer of silicon containing hard-mask. A pattern formed in the layer of photoresist is sequentially transferred to the silicon containing hard-mask, then to the spin-on carbon, and defines an area of the substrate to be selectively implanted with ions.

    摘要翻译： 本发明涉及在离子注入期间限制在半导体器件中引入的结晶缺陷的方法和组合物。 使用保持半导体器件的晶体结构同时限制半导体器件内的缺陷形成的三层光致抗蚀剂进行高温低剂量注入。 三层光致抗蚀剂包括沉积在基底上的旋涂碳层，在旋涂碳层上方形成的含硅的硬掩模层，以及形成在含硅硬质层的硅层之上的光致抗蚀剂层， 面具。 形成在光致抗蚀剂层上的图案被顺序地转移到含硅的硬掩模，然后转移到旋涂碳上，并且限定要选择性地注入离子的衬底区域。

    Method to form a CMOS image sensor
    8.
    发明授权
    Method to form a CMOS image sensor 有权
    形成CMOS图像传感器的方法

    公开(公告)号：US08759225B2

    公开(公告)日：2014-06-24

    申请号：US13602494

    申请日：2012-09-04

    申请人： Chung Chien Wang ,  Yeur-Luen Tu ,  Cheng-Ta Wu ,  Jiech-Fun Lu ,  Chun-Wei Chang ,  Wang-Pen Mo ,  Jhy-Jyi Sze ,  Chia-Shiung Tsai

    发明人： Chung Chien Wang ,  Yeur-Luen Tu ,  Cheng-Ta Wu ,  Jiech-Fun Lu ,  Chun-Wei Chang ,  Wang-Pen Mo ,  Jhy-Jyi Sze ,  Chia-Shiung Tsai

    IPC分类号： H01L21/311

    CPC分类号： H01L21/266 ,  H01L27/14689

    摘要： The present disclosure relates to a method and composition to limit crystalline defects introduced in a semiconductor device during ion implantation. A high-temperature low dosage implant is performed utilizing a tri-layer photoresist which maintains the crystalline structure of the semiconductor device while limiting defect formation within the semiconductor device. The tri-layer photoresist comprises a layer of spin-on carbon deposited onto a substrate, a layer of silicon containing hard-mask formed above the layer of spin-on carbon, and a layer of photoresist formed above the layer of silicon containing hard-mask. A pattern formed in the layer of photoresist is sequentially transferred to the silicon containing hard-mask, then to the spin-on carbon, and defines an area of the substrate to be selectively implanted with ions.

    摘要翻译： 本发明涉及在离子注入期间限制在半导体器件中引入的结晶缺陷的方法和组合物。 使用保持半导体器件的晶体结构同时限制半导体器件内的缺陷形成的三层光致抗蚀剂进行高温低剂量注入。 三层光致抗蚀剂包括沉积在基底上的旋涂碳层，在旋涂碳层上方形成的含硅的硬掩模层，以及形成在含硅硬质层的硅层之上的光致抗蚀剂层， 面具。 形成在光致抗蚀剂层上的图案被顺序地转移到含硅的硬掩模，然后转移到旋涂碳上，并且限定要选择性地注入离子的衬底区域。