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    Method for forming self-aligned dual salicide in CMOS technologies
    3.
    发明授权
    Method for forming self-aligned dual salicide in CMOS technologies 失效
    在CMOS技术中形成自对准双重自杀机的方法

    公开(公告)号：US07112481B2

    公开(公告)日：2006-09-26

    申请号：US11254929

    申请日：2005-10-20

    申请人： Sunfei Fang ,  Cyril Cabral, Jr. ,  Chester T. Dziobkowski ,  John J. Ellis-Monaghan ,  Christian Lavoie ,  Zhijiong Luo ,  James S. Nakos ,  An L. Steegen ,  Clement H. Wann

    发明人： Sunfei Fang ,  Cyril Cabral, Jr. ,  Chester T. Dziobkowski ,  John J. Ellis-Monaghan ,  Christian Lavoie ,  Zhijiong Luo ,  James S. Nakos ,  An L. Steegen ,  Clement H. Wann

    IPC分类号： H01L21/8238

    CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835

    摘要： A method of fabricating a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device, wherein the method comprises forming a first well region in a semiconductor substrate for accommodation of a first type semiconductor device; forming a second well region in the semiconductor substrate for accommodation of a second type semiconductor device; shielding the first type semiconductor device with a mask; depositing a first metal layer over the second type semiconductor device; performing a first salicide formation on the second type semiconductor device; removing the mask; depositing a second metal layer over the first and second type semiconductor devices; and performing a second salicide formation on the first type semiconductor device. The method requires only one pattern level and it eliminates pattern overlay as it also simplifies the processes to form different silicide material over different devices.

    摘要翻译： 一种制造互补金属氧化物半导体（CMOS）器件的方法，其中所述方法包括在用于容纳第一类型半导体器件的半导体衬底中形成第一阱区; 在所述半导体衬底中形成用于容纳第二类型半导体器件的第二阱区; 用掩模屏蔽第一类型半导体器件; 在所述第二类型半导体器件上沉积第一金属层; 在所述第二类型半导体器件上执行第一自对准硅化物形成; 去除面膜; 在所述第一和第二类型半导体器件上沉积第二金属层; 以及在所述第一类型半导体器件上执行第二自对准硅化物形成。 该方法仅需要一个图案级别，并且消除图案覆盖，因为它也简化了在不同设备上形成不同硅化物材料的工艺。

    Method for forming self-aligned dual fully silicided gates in CMOS devices
    8.
    发明授权
    Method for forming self-aligned dual fully silicided gates in CMOS devices 失效
    在CMOS器件中形成自对准双完全硅化栅的方法

    公开(公告)号：US07122472B2

    公开(公告)日：2006-10-17

    申请号：US10904885

    申请日：2004-12-02

    申请人： Sunfei Fang ,  Cyril Cabral, Jr. ,  Chester T. Dziobkowski ,  Christian Lavoie ,  Clement H. Wann

    发明人： Sunfei Fang ,  Cyril Cabral, Jr. ,  Chester T. Dziobkowski ,  Christian Lavoie ,  Clement H. Wann

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/823835

    摘要： A method of forming a dual self-aligned fully silicided gate in a CMOS device requiring only one lithography level, wherein the method comprises forming a first type semiconductor device having a first well region in a semiconductor substrate, first source/drain silicide areas in the first well region, and a first type gate isolated from the first source/drain silicide areas; forming a second type semiconductor device having a second well region in the semiconductor substrate, second source/drain silicide areas in the second well region, and a second type gate isolated from the second source/drain silicide areas; selectively forming a first metal layer over the second type semiconductor device; performing a first fully silicided (FUSI) gate formation on only the second type gate; depositing a second metal layer over the first and second type semiconductor devices; and performing a second FUSI gate formation on only the first type gate.

    摘要翻译： 一种在仅需要一个光刻级别的CMOS器件中形成双自对准全硅化栅的方法，其中所述方法包括在半导体衬底中形成具有第一阱区的第一类型半导体器件，其中第一源极/漏极硅化物区域 第一阱区域和从第一源极/漏极硅化物区域隔离的第一类型栅极; 形成在所述半导体衬底中具有第二阱区域的第二类型半导体器件，所述第二阱区域中的第二源极/漏极硅化物区域和与所述第二源极/漏极硅化物区域隔离的第二类型栅极; 在所述第二类型半导体器件上选择性地形成第一金属层; 仅在第二型栅极上执行第一完全硅化（FUSI）栅极形成; 在所述第一和第二类型半导体器件上沉积第二金属层; 以及仅在第一类型栅极上执行第二FUSI栅极形成。

    Metal gate MOSFET by full semiconductor metal alloy conversion
    9.
    发明授权
    Metal gate MOSFET by full semiconductor metal alloy conversion 失效
    金属栅极MOSFET采用全半导体金属合金转换

    公开(公告)号：US07151023B1

    公开(公告)日：2006-12-19

    申请号：US11161372

    申请日：2005-08-01

    申请人： Hasan M. Nayfeh ,  Mahender Kumar ,  Sunfei Fang ,  Jakub T Kedzierski ,  Cyril Cabral, Jr.

    发明人： Hasan M. Nayfeh ,  Mahender Kumar ,  Sunfei Fang ,  Jakub T Kedzierski ,  Cyril Cabral, Jr.

    IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/4763 ,  H01L29/00

    CPC分类号： H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

    摘要： A MOSFET structure and method of forming is described. The method includes forming a metal-containing layer that is thick enough to fully convert the semiconductor gate stack to a semiconductor metal alloy in a first MOSFET type region but only thick enough to partially convert the semiconductor gate stack to a semiconductor metal alloy in a second MOSFET type region. In one embodiment, the gate stack in a first MOSFET region is recessed prior to forming the metal-containing layer so that the height of the first MOSFET semiconductor stack is less than the height of the second MOSFET semiconductor stack. In another embodiment, the metal-containing layer is thinned over one MOSFET region relative to the other MOSFET region prior to the conversion process.

    摘要翻译： 描述了MOSFET结构和形成方法。 该方法包括形成足够厚的含金属层，以将半导体栅极堆叠完全转换成第一MOSFET型区域中的半导体金属合金，但是仅仅足够厚以将第二半导体栅极堆叠部分地转换成半导体金属合金 MOSFET类型区域。 在一个实施例中，在形成含金属层之前，第一MOSFET区域中的栅极堆叠是凹进的，使得第一MOSFET半导体堆叠的高度小于第二MOSFET半导体堆叠的高度。 在另一个实施例中，在转换过程之前，含金属层相对于另一个MOSFET区域在一个MOSFET区域上变薄。