公开(公告)号：US20080081127A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11900382

申请日：2007-09-11

申请人： David Thompson ,  David Peters ,  Scott Meiere

发明人： David Thompson ,  David Peters ,  Scott Meiere

IPC分类号： C07F11/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： C07F17/00

摘要： This invention relates to organometallic compounds represented by the formula (L1)yM(L2)z-y wherein M is a Group 5 metal or a Group 6 metal, L1 is a substituted or unsubstituted anionic 6 electron donor ligand, L2 is the same or different and is (i) a substituted or unsubstituted anionic 2 electron donor ligand, (ii) a substituted or unsubstituted cationic 2 electron donor ligand, or (iii) a substituted or unsubstituted neutral 2 electron donor ligand; y is an integer of 1, and z is the valence of M; and wherein the sum of the oxidation number of M and the electric charges of L1 and L2 is equal to 0.; a process for producing the organometallic compounds; and a method for depositing a metal and/or metal carbide/nitride layer, e.g., a tungsten, tungsten nitride, tungsten carbide, or tungsten carbonitride layer, on a substrate by the thermal or plasma enhanced dissociation of the organometallic precursor compounds, e.g., by CVD or ALD techniques. The metal and/or metal carbide layer is useful as a liner or barrier layer for conducting metals and high dielectric constant materials in integrated circuit manufacturing.

摘要翻译： 本发明涉及由下式（L 1/2）M（L 2）z y表示的有机金属化合物，其中 M是第5族金属或第6族金属，L 1是取代或未取代的阴离子6电子给体配体，L 2相同或不同，为（i 取代或未取代的阴离子2电子供体配体，（ii）取代或未取代的阳离子2电子给体配体，或（iii）取代或未取代的中性2电子供体配体; y是1的整数，z是M的化合价; 并且其中M的氧化数和L 1和L 2的电荷之和等于0。 一种生产有机金属化合物的方法; 以及用于通过有机金属前体化合物的热或等离子体增强的解离在衬底上沉积金属和/或金属碳化物/氮化物层（例如钨，氮化钨，碳化钨或碳氮化钨）的方法，例如， 通过CVD或ALD技术。 金属和/或金属碳化物层可用作集成电路制造中用于导电金属和高介电常数材料的衬垫或阻挡层。

公开(公告)号：US20070075427A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：US11240005

申请日：2005-09-30

申请人： Adrien Lavoie ,  Valery Dubin ,  Juan Dominguez ,  Kevin O'Brien ,  Steven Johnston ,  John Peck ,  David Thompson ,  David Peters

发明人： Adrien Lavoie ,  Valery Dubin ,  Juan Dominguez ,  Kevin O'Brien ,  Steven Johnston ,  John Peck ,  David Thompson ,  David Peters

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for forming a metal carbide layer begins with providing a substrate, an organometallic precursor material, at least one doping agent such as nitrogen, and a plasma such as a hydrogen plasma. The substrate is placed within a reaction chamber; and heated. A process cycle is then performed, where the process cycle includes pulsing the organometallic precursor material into the reaction chamber, pulsing the doping agent into the reaction chamber, and pulsing the plasma into the reaction chamber, such that the organometallic precursor material, the doping agent, and the plasma react at the surface of the substrate to form a metal carbide layer. The process cycles can be repeated and varied to form a graded metal carbide layer.

摘要翻译： 形成金属碳化物层的方法开始于提供衬底，有机金属前体材料，至少一种掺杂剂如氮气，以及诸如氢等离子体的等离子体。 将基板放置在反应室内; 并加热。 然后进行处理循环，其中工艺循环包括将有机金属前体材料脉冲到反应室中，将掺杂剂脉冲到反应室中，并将等离子体脉冲到反应室中，使得有机金属前体材料，掺杂剂 并且等离子体在基板表面反应形成金属碳化物层。 可以重复和改变工艺循环以形成渐变的金属碳化物层。

公开(公告)号：US20070069177A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：US11501075

申请日：2006-08-09

申请人： David Peters ,  David Thompson

发明人： David Peters ,  David Thompson

IPC分类号： H01M4/88 ,  H01B1/12 ,  H01B1/00

CPC分类号： C07F17/00

摘要： This invention relates to organometallic precursor compounds represented by the formula (Cp(R′)x)yM(H)z-y, a process for producing the organometallic precursor compounds, and a method for depositing a metal and/or metal carbide layer, e.g., Ta metal and/or TaC layer, on a substrate by the thermal or plasma enhanced disassociation of the organometallic precursor compounds, e.g., by CVD or ALD techniques. The metal and/or metal carbide layer is useful as a liner or barrier layer for conducting metals and high dielectric constant materials in integrated circuit manufacturing.

摘要翻译： 本发明涉及由式（Cp（R'）x M（H）zy）表示的有机金属前体化合物， 生产有机金属前体化合物的方法，以及通过有机金属前体化合物的热或等离子体增强分离来沉积金属和/或金属碳化物层例如Ta金属和/或TaC层的方法，例如通过CVD 或ALD技术。 金属和/或金属碳化物层可用作集成电路制造中用于导电金属和高介电常数材料的衬垫或阻挡层。

公开(公告)号：US08925400B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US13512685

申请日：2010-11-30

申请人： Rennie Hill ,  David Thompson ,  Peter Ward

发明人： Rennie Hill ,  David Thompson ,  Peter Ward

IPC分类号： F16L55/26 ,  F16L55/28 ,  F16L55/40

CPC分类号： F16L55/28 ,  F16L55/40

摘要： An instrumented pig comprises a foam body having an outer surface and an inner cavity in which, in use, is located a sealed unit housing at least a part of a parameter measurement apparatus configured to measure at least one parameter from which the extent of deflection of the outer surface of the foam body may be derived, the sealed unit including at least one sensor configured to generate an output signal representative of the at least one measured parameter.

摘要翻译： 仪表式猪包括具有外表面和内腔的泡沫体，在使用中，所述发泡体位于密封单元中，所述密封单元容纳参数测量装置的至少一部分，所述参数测量装置被配置成测量至少一个参数， 可以导出泡沫体的外表面，密封单元包括至少一个被配置为产生表示至少一个测量参数的输出信号的传感器。

公开(公告)号：US08906457B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13549910

申请日：2012-07-16

申请人： David Thompson ,  Jeffrey W. Anthis ,  Christian Dussarrat ,  Clement Lansalot-Matras

发明人： David Thompson ,  Jeffrey W. Anthis ,  Christian Dussarrat ,  Clement Lansalot-Matras

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/45553

摘要： Methods for deposition of metal films consisting essentially of Co, Mn, Ru or a lanthanide on surfaces using metal coordination complexes are provided. The precursors used in the process include a 2-methylimine pyrrolyl ligand and/or N,N′-diisopropylformamidinato ligand. The precursors may also contain cyclopentadienyl, pentamethylcyclopentadienyl or pyrrolyl groups.

摘要翻译： 提供了使用金属配位络合物在表面上沉积基本由Co，Mn，Ru或镧系金属构成的金属膜的方法。 在该方法中使用的前体包括2-甲基亚胺吡咯基配体和/或N，N'-二异丙基甲酰胺配体。 前体还可以含有环戊二烯基，五甲基环戊二烯基或吡咯基。

公开(公告)号：US20140242806A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：US14193088

申请日：2014-02-28

申请人： David Knapp ,  David Thompson

发明人： David Knapp ,  David Thompson

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02175 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02194

摘要： Described are methods and apparatuses for the stabilization of precursors, which can be used for the deposition of manganese-containing films. Certain methods and apparatus relate to lined ampoules and/or 2-electron donor ligands.

摘要翻译： 描述了用于稳定前体的方法和装置，其可用于沉积含锰膜。 某些方法和装置涉及内衬安瓿和/或2-电子给体配体。

公开(公告)号：US20140023785A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：US13555832

申请日：2012-07-23

申请人： David Knapp ,  David Thompson

发明人： David Knapp ,  David Thompson

IPC分类号： C23C16/18

CPC分类号： C23C16/18 ,  C07F17/00

摘要： Provided are precursors and methods of using same to deposit film consisting essentially of nickel. Certain methods comprise providing a substrate surface; exposing the substrate surface to a vapor comprising a precursor having a structure represented by formula (I): wherein R1 is t-butyl and each R2 is each independently any C1-C3 alkyl group; and exposing the substrate to a reducing gas to provide a film consisting essentially of nickel on the substrate surface.

摘要翻译： 提供的是使用其沉积基本上由镍组成的膜的前体和方法。 某些方法包括提供基底表面; 将基材表面暴露于包含具有由式（I）表示的结构的前体的蒸气：其中R 1是叔丁基，每个R 2各自独立地是任何C 1 -C 3烷基; 并将衬底暴露于还原气体，以在衬底表面上提供基本上由镍组成的膜。

公开(公告)号：US20140017408A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US13930194

申请日：2013-06-28

申请人： Srinivas Gandikota ,  Xinliang Lu ,  Shih Chung Chen ,  Wei Tang ,  Jing Zhou ,  Seshadri Ganguli ,  David Thompson ,  Jeffrey W. Anthis ,  Atif Noori ,  Faruk Gungor ,  Dien-Yeh Wu ,  Mei Chang ,  Xinyu Fu ,  Yu Lei

发明人： Srinivas Gandikota ,  Xinliang Lu ,  Shih Chung Chen ,  Wei Tang ,  Jing Zhou ,  Seshadri Ganguli ,  David Thompson ,  Jeffrey W. Anthis ,  Atif Noori ,  Faruk Gungor ,  Dien-Yeh Wu ,  Mei Chang ,  Xinyu Fu ,  Yu Lei

IPC分类号： C23C18/00

CPC分类号： C23C18/00 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45553

摘要： Provided are methods of depositing films comprising alloys of aluminum, which may be suitable as N-metal films. Certain methods comprise exposing a substrate surface to a metal halide precursor comprising a metal halide selected from TiCl4, TaCl5 and HfCl4 to provide a metal halide at the substrate surface; purging metal halide; exposing the substrate surface to an alkyl aluminum precursor comprising one or more of dimethyaluminum hydride, diethylhydridoaluminum, methyldihydroaluminum, and an alkyl aluminum hydrides of the formula [(CxHy)3-aAlHa]n, wherein x has a value of 1 to 3, y has a value of 2x+2, a has a value of 1 to 2, and n has a value of 1 to 4; and exposing the substrate surface to an alane-containing precursor comprising one or more of dimethylethylamine alane, methylpyrrolidinealane, di(methylpyrolidine)alane, and trimethyl amine alane borane. Other methods comprise exposing a substrate surface to a metal precursor and trimethyl amine alane borane.

摘要翻译： 提供了沉积包括铝合金的膜的方法，其可以适合作为N-金属膜。 某些方法包括将衬底表面暴露于包含选自TiCl 4，TaCl 5和HfCl 4的金属卤化物的金属卤化物前体，以在衬底表面提供金属卤化物; 清洗金属卤化物; 将基材表面暴露于包含一种或多种二氢化铝氢化物，二乙基氢化铝，甲基二氢铝和式[（C x H y）3-a AlHa] n的烷基铝氢化物的烷基铝前体，其中x具有1至3的值，y 具有2x + 2的值，a具有1至2的值，并且n具有1至4的值; 并将基材表面暴露于含有二甲基乙基胺丙烷，甲基吡咯烷烃，二（甲基吡咯烷）甲烷和三甲基胺丙烷硼烷中的一种或多种的含Alane的前体。 其他方法包括将基底表面暴露于金属前体和三甲基胺丙烷硼烷。

公开(公告)号：US20140004274A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13923599

申请日：2013-06-21

申请人： David Thompson

发明人： David Thompson

IPC分类号： C23C16/40

CPC分类号： C23C16/404

摘要： Described are methods of depositing a metal film by chemical reaction on a substrate. The method comprises: exposing the substrate to flows of a first reactant gas comprising a group 2 metal and a second reactant gas comprising a halide to form a first layer containing a metal halide on the substrate; exposing the substrate to a third reactant gas comprising an oxidant to form a second layer containing a metal peroxide or metal hydroxide on the substrate during; exposing the substrate to heat or a plasma to convert the metal peroxide or metal hydroxide to metal oxide. The method may be repeated to form the metal oxide film absent any metal carbonate impurity.

摘要翻译： 描述了通过化学反应将金属膜沉积在基底上的方法。 该方法包括：将衬底暴露于包含第2族金属的第一反应气体和包含卤化物的第二反应气体的流动，以在衬底上形成含有金属卤化物的第一层; 将衬底暴露于包含氧化剂的第三反应气体，以在衬底期间在衬底上形成含有金属过氧化物或金属氢氧化物的第二层; 将基底暴露于加热或等离子体以将金属过氧化物或金属氢氧化物转化为金属氧化物。 可以重复该方法以形成没有金属碳酸盐杂质的金属氧化物膜。

公开(公告)号：US20130131281A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13522756

申请日：2011-01-17

申请人： Adam Gronowski ,  Carsten Kreuder ,  John Lovegrove ,  Paul Nguyen ,  David Thompson ,  Hanns-Ingolf Paul ,  Rolf Feller ,  Udo Weisner

发明人： Adam Gronowski ,  Carsten Kreuder ,  John Lovegrove ,  Paul Nguyen ,  David Thompson ,  Hanns-Ingolf Paul ,  Rolf Feller ,  Udo Weisner

IPC分类号： C08F8/22

CPC分类号： C08F8/22 ,  C08C19/14 ,  C08F2/06 ,  C08F6/003 ,  C08F210/12 ,  C08L23/283 ,  C08F236/08

摘要： The invention relates to an energy efficient, environmentally favourable process for the preparation of brominated rubbers, in particular bromobutyl rubber, that uses a common medium for both solution polymerization and subsequent bromination of the rubber and which further exhibits an enhanced bromine usage due to the use of a oxidizing agent. More particularly, the invention relates to a process that employs a common aliphatic medium for both solution polymerization and bromination of rubber in the presence of a brominating agent and an oxidizing agent with intermediate removal of un-reacted monomers.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制备溴化橡胶，特别是溴化丁基橡胶的能量效率高，环境友好的方法，其使用普通介质进行溶液聚合和随后的溴化溴化，并且由于使用而进一步显示出增强的溴用量 的氧化剂。 更具体地说，本发明涉及一种在溴化剂和氧化剂存在下使用普通脂族介质进行溶液聚合和溴化溴化的方法，同时中间除去未反应的单体。