公开(公告)号：US07660175B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US12040719

申请日：2008-02-29

申请人： Dieter Kohlert ,  Erhard Sixt ,  Rainer Holmer ,  Georg Seidemann ,  Berthold Schuderer ,  Gunther Mackh ,  Sabine Penka ,  Grit Schwalbe-Dietrich ,  Bernhard Duschinger ,  Josef Hermann

发明人： Dieter Kohlert ,  Erhard Sixt ,  Rainer Holmer ,  Georg Seidemann ,  Berthold Schuderer ,  Gunther Mackh ,  Sabine Penka ,  Grit Schwalbe-Dietrich ,  Bernhard Duschinger ,  Josef Hermann

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： G11C29/48 ,  G11C29/1201 ,  G11C2029/0403

摘要： An embodiment of an integrated circuit comprises a plurality of cells. Each cell comprises a first supply node, a second supply node, a series connection with a first transistor, a second transistor and an electrical element. The series connection is coupled between the first and the second supply node. The electrical element includes a first and a second node. A third transistor is coupled between the first node of the electrical element and a first output node of the cell and a fourth transistor is coupled between the second node of the electrical element and the second output node of the cell. A control terminal of the first, the third and the fourth transistor is coupled to a first control node of the cell and a control terminal of the second transistor is coupled to a second control node of the cell.

摘要翻译： 集成电路的实施例包括多个单元。 每个单元包括第一电源节点，第二电源节点，与第一晶体管的串联连接，第二晶体管和电气元件。 串联连接耦合在第一和第二供电节点之间。 电气元件包括第一和第二节点。 第三晶体管耦合在电元件的第一节点和单元的第一输出节点之间，第四晶体管耦合在电元件的第二节点和单元的第二输出节点之间。 第一，第三和第四晶体管的控制端子耦合到单元的第一控制节点，并且第二晶体管的控制端耦合到单元的第二控制节点。

公开(公告)号：US20090219773A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US12040719

申请日：2008-02-29

申请人： Dieter Kohlert ,  Erhard Sixt ,  Rainer Holmer ,  Georg Seidemann ,  Berthold Schuderer ,  Gunther Mackh ,  Sabine Penka ,  Grit Schwalbe-Dietrich ,  Bernhard Duschinger ,  Josef Hermann

发明人： Dieter Kohlert ,  Erhard Sixt ,  Rainer Holmer ,  Georg Seidemann ,  Berthold Schuderer ,  Gunther Mackh ,  Sabine Penka ,  Grit Schwalbe-Dietrich ,  Bernhard Duschinger ,  Josef Hermann

IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C8/00

CPC分类号： G11C29/48 ,  G11C29/1201 ,  G11C2029/0403

摘要： An embodiment of an integrated circuit comprises a plurality of cells. Each cell comprises a first supply node, a second supply node, a series connection with a first transistor, a second transistor and an electrical element. The series connection is coupled between the first and the second supply node. The electrical element includes a first and a second node. A third transistor is coupled between the first node of the electrical element and a first output node of the cell and a fourth transistor is coupled between the second node of the electrical element and the second output node of the cell. A control terminal of the first, the third and the fourth transistor is coupled to a first control node of the cell and a control terminal of the second transistor is coupled to a second control node of the cell.

摘要翻译： 集成电路的实施例包括多个单元。 每个单元包括第一电源节点，第二电源节点，与第一晶体管的串联连接，第二晶体管和电气元件。 串联连接耦合在第一和第二供电节点之间。 电气元件包括第一和第二节点。 第三晶体管耦合在电元件的第一节点和单元的第一输出节点之间，第四晶体管耦合在电元件的第二节点和单元的第二输出节点之间。 第一，第三和第四晶体管的控制端子耦合到单元的第一控制节点，并且第二晶体管的控制端耦合到单元的第二控制节点。

公开(公告)号：US07816791B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US11854296

申请日：2007-09-12

申请人： Carsten Ahrens ,  Sven Albers ,  Klaus Gnannt ,  Ulrich Krumbein ,  Gunther Mackh ,  Patrick Schelauske ,  Berthold Schuderer ,  Georg Seidemann

发明人： Carsten Ahrens ,  Sven Albers ,  Klaus Gnannt ,  Ulrich Krumbein ,  Gunther Mackh ,  Patrick Schelauske ,  Berthold Schuderer ,  Georg Seidemann

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A bonding pad on a substrate has a first metal structure establishing an electrical connection between a device and a bonding area, and a second metal structure arranged at the bonding area. The first metal structure extends, within the bonding area, at least over part of the bonding area between the substrate and the second metal structure, so as to contact the second metal structure, the second metal structure being harder than the first metal structure.

摘要翻译： 衬底上的接合焊盘具有在器件和接合区域之间建立电连接的第一金属结构和布置在接合区域处的第二金属结构。 所述第一金属结构在所述接合区域内延伸所述基板与所述第二金属结构之间的所述接合区域的至少一部分以与所述第二金属结构接触，所述第二金属结构比所述第一金属结构硬。

公开(公告)号：US20080067682A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11854296

申请日：2007-09-12

申请人： Carsten Ahrens ,  Sven Albers ,  Klaus Gnannt ,  Ulrich Krumbein ,  Gunther Mackh ,  Patrick Schelauske ,  Berthold Schuderer ,  Georg Seidemann

发明人： Carsten Ahrens ,  Sven Albers ,  Klaus Gnannt ,  Ulrich Krumbein ,  Gunther Mackh ,  Patrick Schelauske ,  Berthold Schuderer ,  Georg Seidemann

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A bonding pad on a substrate has a first metal structure establishing an electrical connection between a device and a bonding area, and a second metal structure arranged at the bonding area. The first metal structure extends, within the bonding area, at least over part of the bonding area between the substrate and the second metal structure, so as to contact the second metal structure, the second metal structure being harder than the first metal structure.

摘要翻译： 衬底上的接合焊盘具有在器件和接合区域之间建立电连接的第一金属结构和布置在接合区域处的第二金属结构。 所述第一金属结构在所述接合区域内延伸所述基板与所述第二金属结构之间的所述接合区域的至少一部分以与所述第二金属结构接触，所述第二金属结构比所述第一金属结构硬。

公开(公告)号：US09236290B2

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：US13365774

申请日：2012-02-03

申请人： Carsten Ahrens ,  Rudolf Berger ,  Manfred Frank ,  Uwe Hoeckele ,  Bernhard Knott ,  Ulrich Krumbein ,  Wolfgang Lehnert ,  Berthold Schuderer ,  Juergen Wagner ,  Stefan Willkofer

发明人： Carsten Ahrens ,  Rudolf Berger ,  Manfred Frank ,  Uwe Hoeckele ,  Bernhard Knott ,  Ulrich Krumbein ,  Wolfgang Lehnert ,  Berthold Schuderer ,  Juergen Wagner ,  Stefan Willkofer

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L23/31 ,  H01L21/78 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for producing a semiconductor device having a sidewall insulation includes providing a semiconductor body having a first side and a second side lying opposite the first side. At least one first trench is at least partly filled with insulation material proceeding from the first side in the direction toward the second side into the semiconductor body. The at least one first trench is produced between a first semiconductor body region for a first semiconductor device and a second semiconductor body region for a second semiconductor device. An isolating trench extends from the first side of the semiconductor body in the direction toward the second side of the semiconductor body between the first and second semiconductor body regions in such a way that at least part of the insulation material of the first trench adjoins at least a sidewall of the isolating trench. The second side of the semiconductor body is partly removed as far as the isolating trench.

摘要翻译： 一种制造具有侧壁绝缘体的半导体器件的方法包括提供具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体本体。 至少一个第一沟槽至少部分地填充有绝缘材料，该绝缘材料从朝向第二侧的方向的第一侧进入半导体本体。 在第一半导体器件的第一半导体体区域和第二半导体器件的第二半导体本体区域之间产生至少一个第一沟槽。 隔离沟槽从半导体本体的第一侧沿第一和第二半导体主体区域之间的半导体本体的第二侧的方向延伸，使得第一沟槽的绝缘材料的至少一部分至少与第一沟槽的绝缘材料相邻 隔离沟槽的侧壁。 半导体主体的第二面部分地被去除到隔离沟槽的一侧。

公开(公告)号：US20120034760A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US12851292

申请日：2010-08-05

申请人： Berthold Schuderer ,  Carsten Ahrens

发明人： Berthold Schuderer ,  Carsten Ahrens

IPC分类号： H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L2224/02371

摘要： In one embodiment, a method for forming the semiconductor device includes forming a first trench from a front side of a substrate. The substrate has a front side and an opposite back side, and the first trench having sidewalls and a bottom surface. A insulator layer is formed over the sidewalls and the bottom surface. A first conductive layer is formed over a top portion of the sidewalls of the first trench. The substrate is separated along the first trench.

摘要翻译： 在一个实施例中，用于形成半导体器件的方法包括从衬底的前侧形成第一沟槽。 衬底具有前侧和相对的后侧，并且第一沟槽具有侧壁和底表面。 在侧壁和底表面上形成绝缘体层。 第一导电层形成在第一沟槽的侧壁的顶部上方。 衬底沿着第一沟槽分离。

公开(公告)号：US20120119389A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US12946138

申请日：2010-11-15

申请人： Markus Menath ,  Hermann Wendt ,  Berthold Schuderer

发明人： Markus Menath ,  Hermann Wendt ,  Berthold Schuderer

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： A method includes structuring a semiconductor substrate to produce a number semiconductor chips. Each of the semiconductor chips includes a first main face and a number of side faces. An indentation is formed at a transition between the first main face and the side faces.

摘要翻译： 一种方法包括构造半导体衬底以产生数量的半导体芯片。 每个半导体芯片包括第一主面和多个侧面。 在第一主面和侧面之间的过渡处形成有凹陷。

公开(公告)号：US20060024946A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10511851

申请日：2003-03-17

申请人： Jurgen Forster ,  Klemens Prugl ,  Berthold Schuderer

发明人： Jurgen Forster ,  Klemens Prugl ,  Berthold Schuderer

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/2855 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method in which a base layer is deposited in a contact hole region under a protective gas, where base layer contains a nitride as main constituent. After the deposition of the base layer, a covering layer is deposited under gaseous nitrogen. An adhesion promoting layer results which is simple to produce and has good electrical properties.

摘要翻译： 其中基层沉积在保护气体下方的接触孔区域中的方法，其中基层含有氮化物作为主要成分。 在沉积基层之后，在气态氮下沉积覆盖层。 产生粘附促进层，其易于制备并具有良好的电性能。

公开(公告)号：US08163629B2

公开(公告)日：2012-04-24

申请号：US12851292

申请日：2010-08-05

申请人： Berthold Schuderer ,  Carsten Ahrens

发明人： Berthold Schuderer ,  Carsten Ahrens

IPC分类号： H01L21/301

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L2224/02371

摘要： In one embodiment, a method for forming the semiconductor device includes forming a first trench from a front side of a substrate. The substrate has a front side and an opposite back side, and the first trench having sidewalls and a bottom surface. A insulator layer is formed over the sidewalls and the bottom surface. A first conductive layer is formed over a top portion of the sidewalls of the first trench. The substrate is separated along the first trench.

摘要翻译： 在一个实施例中，用于形成半导体器件的方法包括从衬底的前侧形成第一沟槽。 衬底具有前侧和相对的后侧，并且第一沟槽具有侧壁和底表面。 在侧壁和底表面上形成绝缘体层。 第一导电层形成在第一沟槽的侧壁的顶部上方。 衬底沿着第一沟槽分离。

公开(公告)号：US07825510B2

公开(公告)日：2010-11-02

申请号：US12032267

申请日：2008-02-15

申请人： Jürgen Förster ,  Klemens Prügl ,  Berthold Schuderer

发明人： Jürgen Förster ,  Klemens Prügl ,  Berthold Schuderer

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/2855 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method in which a base layer is deposited in a contact hole region under a protective gas, where base layer contains a nitride as main constituent. After the deposition of the base layer, a covering layer is deposited under gaseous nitrogen. An adhesion promoting layer results which is simple to produce and has good electrical properties.

摘要翻译： 其中基层沉积在保护气体下方的接触孔区域中的方法，其中基层含有氮化物作为主要成分。 在沉积基层之后，在气态氮下沉积覆盖层。 产生粘附促进层，其易于制备并具有良好的电性能。