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    High-density probe array
    1.
    发明授权
    High-density probe array 失效
    高密度探头阵列

    公开(公告)号：US07583095B2

    公开(公告)日：2009-09-01

    申请号：US11464571

    申请日：2006-08-15

    申请人： Dong-Chul Yoo ,  Byoung-Jae Bae ,  Jang-Eun Heo ,  Ji-Eun Lim ,  Dong-Hyun Im

    发明人： Dong-Chul Yoo ,  Byoung-Jae Bae ,  Jang-Eun Heo ,  Ji-Eun Lim ,  Dong-Hyun Im

    IPC分类号： G01R31/02

    CPC分类号： G01R3/00 ,  Y10T29/49151

    摘要： A probe array may be fabricated by forming probes arranged on a sacrificial substrate, forming a probe substrate above the probes, and removing the sacrificial substrate. In one embodiment, first probes may be two-dimensionally formed in row and column directions on a sacrificial substrate. Second probes may be formed between the first probes arranged in the row direction such that a distance between the first and second probes is smaller than the resolution limit in a lithography process. A probe substrate may be formed on the sacrificial substrate having the first and second probes, and the sacrificial substrate may be removed.

    摘要翻译： 可以通过形成设置在牺牲衬底上的探针，在探针上方形成探针衬底，以及去除牺牲衬底来制造探针阵列。 在一个实施例中，第一探针可以在牺牲衬底上在行和列方向上二维地形成。 可以在布置在行方向上的第一探针之间形成第二探针，使得第一和第二探针之间的距离小于光刻工艺中的分辨率极限。 可以在具有第一和第二探针的牺牲衬底上形成探针衬底，并且可以去除牺牲衬底。

    Phase-change memory device using a variable resistance structure
    9.
    发明授权
    Phase-change memory device using a variable resistance structure 有权
    使用可变电阻结构的相变存储器件

    公开(公告)号：US08148710B2

    公开(公告)日：2012-04-03

    申请号：US12805824

    申请日：2010-08-20

    申请人： Suk-Hun Choi ,  Chang-Ki Hong ,  Yoon-Ho Son ,  Jang-Eun Heo

    发明人： Suk-Hun Choi ,  Chang-Ki Hong ,  Yoon-Ho Son ,  Jang-Eun Heo

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L29/08 ,  H01L29/18

    CPC分类号： H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

    摘要： A phase-change memory device including a first contact region and a second contact region formed on a semiconductor substrate. A first insulating layer with a first contact hole and a second contact hole is disposed on the semiconductor substrate, exposing the first and second contact regions. A first conductive layer is disposed on the first insulating interlayer to fill the first and the second contact holes. A first protection layer pattern and a lower wiring protection pattern are disposed on the first conductive layer. A first contact with a first electrode and a second contact with a lower wiring are disposed so as to connect the first and second contact regions. A second protection layer with a second electrode is disposed on the first protection layer pattern and the lower wiring protection pattern. A via filled with a phase-change material is disposed between the first electrode and the second electrode.

    摘要翻译： 一种相变存储器件，包括形成在半导体衬底上的第一接触区域和第二接触区域。 具有第一接触孔和第二接触孔的第一绝缘层设置在半导体衬底上，暴露第一和第二接触区域。 第一导电层设置在第一绝缘中间层上以填充第一和第二接触孔。 第一保护层图案和下布线保护图案设置在第一导电层上。 设置与第一电极和与下布线的第二接触件的第一接触，以便连接第一和第二接触区域。 具有第二电极的第二保护层设置在第一保护层图案和下布线保护图案上。 填充有相变材料的通孔设置在第一电极和第二电极之间。