公开(公告)号：US20080048226A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：US11819602

申请日：2007-06-28

申请人： Jang-Eun Heo ,  Suk-Hun Choi ,  Dong-Hyun Im ,  Dong-Chul Yoo ,  Ik-Soo Kim

发明人： Jang-Eun Heo ,  Suk-Hun Choi ,  Dong-Hyun Im ,  Dong-Chul Yoo ,  Ik-Soo Kim

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/57

摘要： Provided are FeRAM device constructions and fabrication methods that provide for the direct connection of metal patterns to ferroelectric capacitors. The FeRAM device constructions utilize a combination of one or more barrier layers incorporated in conductive plugs, barrier layers incorporated in primary conductive patterns or conductive patterns formed using one or more noble metals to suppress parametric drift associated with conventional FeRAM constructions.

摘要翻译： 提供了FeRAM器件结构和制造方法，其提供金属图案与铁电电容器的直接连接。 FeRAM器件结构利用结合在导电插塞中的一个或多个阻挡层的组合，并入主导电图案中的阻挡层或使用一种或多种贵金属形成的导电图案以抑制与传统FeRAM结构相关的参数漂移。

公开(公告)号：US20080020489A1

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：US11778880

申请日：2007-07-17

申请人： Dong Hyun Im ,  Byoung-Jae Bae ,  Ik-Soo Kim ,  Jang-Eun Heo ,  Choong-Man Lee ,  Dong-Chul Yoo

发明人： Dong Hyun Im ,  Byoung-Jae Bae ,  Ik-Soo Kim ,  Jang-Eun Heo ,  Choong-Man Lee ,  Dong-Chul Yoo

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02197 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

摘要： A method of fabricating a ferroelectric device includes forming a ferroelectric layer on a substrate in a reaction chamber. An inactive gas is provided into the reaction chamber while unloading the substrate therefrom to thereby substantially inhibit formation of an impurity layer on the ferroelectric layer.

摘要翻译： 制造铁电体元件的方法包括在反应室中的基板上形成铁电体层。 在反应室中提供惰性气体，同时从其中卸载衬底，从而基本上抑制铁电层上的杂质层的形成。

公开(公告)号：US07585683B2

公开(公告)日：2009-09-08

申请号：US11778880

申请日：2007-07-17

申请人： Dong-Hyun Im ,  Byoung-Jae Bae ,  Ik-Soo Kim ,  Jang-Eun Heo ,  Choong-Man Lee ,  Dong-Chul Yoo

发明人： Dong-Hyun Im ,  Byoung-Jae Bae ,  Ik-Soo Kim ,  Jang-Eun Heo ,  Choong-Man Lee ,  Dong-Chul Yoo

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02197 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

摘要： A method of fabricating a ferroelectric device includes forming a ferroelectric layer on a substrate in a reaction chamber. An inactive gas is provided into the reaction chamber while unloading the substrate therefrom to thereby substantially inhibit formation of an impurity layer on the ferroelectric layer.

摘要翻译： 制造铁电体元件的方法包括在反应室中的基板上形成铁电体层。 在反应室中提供惰性气体，同时从其中卸载衬底，从而基本上抑制铁电层上的杂质层的形成。

公开(公告)号：US07811834B2

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：US12183657

申请日：2008-07-31

申请人： Dong-Hyun Im ,  Ik-Soo Kim ,  Choong-Man Lee ,  Jang-Eun Heo ,  Sung-Ju Lee

发明人： Dong-Hyun Im ,  Ik-Soo Kim ,  Choong-Man Lee ,  Jang-Eun Heo ,  Sung-Ju Lee

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/409 ,  H01L28/56

摘要： A method of forming a ferroelectric layer is provided. A metal-organic source gas is provided into a chamber into which an oxidation gas is provided for a first time period to form ferroelectric grains on a substrate. A ferroelectric layer is formed by performing at least twice a step of providing a metal-organic source gas into the chamber during the first time period using a pulse method to grow the ferroelectric grains.

摘要翻译： 提供了形成铁电体层的方法。 金属有机源气体被提供到第一时间段内提供氧化气体的室中，以在基板上形成铁电晶粒。 通过使用脉冲方法在第一时间段内进行至少两次提供金属有机源气体的步骤来形成铁电层，以生长铁电晶粒。

公开(公告)号：US20090061538A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US12222700

申请日：2008-08-14

申请人： Jang-Eun Heo ,  Choong-Man Lee ,  Ik-Soo Kim ,  Dong-Hyun Im

发明人： Jang-Eun Heo ,  Choong-Man Lee ,  Ik-Soo Kim ,  Dong-Hyun Im

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01G4/085 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/56

摘要： In a method of forming a ferroelectric capacitor, a lower electrode layer is formed on a substrate. A first crystalline layer is formed on the lower electrode layer. A ferroelectric layer is formed on the first crystalline layer. The first crystalline layer one of prevents a component of the ferroelectric layer from diffusing into the lower electrode layer and mitigates fatigue of the ferroelectric layer. An upper electrode layer is formed on the ferroelectric layer.

摘要翻译： 在形成铁电电容器的方法中，在基板上形成下电极层。 在下电极层上形成第一晶体层。 在第一晶体层上形成铁电层。 第一晶体层防止铁电层的成分扩散到下电极层中，并减轻铁电层的疲劳。 在铁电层上形成上电极层。

公开(公告)号：US20090035877A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US12183657

申请日：2008-07-31

申请人： Dong-Hyun Im ,  Ik-Soo Kim ,  Choong-Man Lee ,  Jang-Eun Heo ,  Sung-Ju Lee

发明人： Dong-Hyun Im ,  Ik-Soo Kim ,  Choong-Man Lee ,  Jang-Eun Heo ,  Sung-Ju Lee

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/409 ,  H01L28/56

摘要： A method of forming a ferroelectric layer is provided. A metal-organic source gas is provided into a chamber into which an oxidation gas is provided for a first time period to form ferroelectric grains on a substrate. A ferroelectric layer is formed by performing at least twice a step of providing a metal-organic source gas into the chamber during the first time period using a pulse method to grow the ferroelectric grains.

摘要翻译： 提供了形成铁电体层的方法。 金属有机源气体被提供到第一时间段内提供氧化气体的室中，以在基板上形成铁电晶粒。 通过使用脉冲方法在第一时间段内进行至少两次提供金属有机源气体的步骤来形成铁电层，以生长铁电晶粒。

公开(公告)号：US08644062B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US12819498

申请日：2010-06-21

申请人： Ik-Soo Kim ,  Sung-Lae Cho ,  Do-Hyung Kim ,  Hyeong-Geun An ,  Dong-Hyun Im ,  Eun-Hee Cho

发明人： Ik-Soo Kim ,  Sung-Lae Cho ,  Do-Hyung Kim ,  Hyeong-Geun An ,  Dong-Hyun Im ,  Eun-Hee Cho

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/5685 ,  G11C8/08 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021

摘要： A multi-level memory device includes an insulating layer having an opening therein, and a multi-level cell (MLC) formed in the opening that has a resistance level varies based on the data stored therein. The MLC is configured to have a resistance level that varies as write pulses having the same pulse height and different pulse widths are applied to the MLC.

摘要翻译： 多级存储器件包括其中具有开口的绝缘层，并且形成在开口中的具有电阻电平的多电平单元（MLC）基于存储在其中的数据而变化。 MLC被配置为具有随着具有相同脉冲高度和不同脉冲宽度的写入脉冲被施加到MLC而变化的电阻电平。

公开(公告)号：US20120040508A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US13188981

申请日：2011-07-22

申请人： Gyu-Hwan Oh ,  Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Ik-Soo Kim ,  Dong-Hyun Im ,  Doo-Hwan Park ,  Kyoung-Ha Eom ,  Sung-Un Kwon ,  Chul-Ho Shin ,  Sang-Sup Jeong

发明人： Gyu-Hwan Oh ,  Sung-Lae Cho ,  Byoung-Jae Bae ,  Ik-Soo Kim ,  Dong-Hyun Im ,  Doo-Hwan Park ,  Kyoung-Ha Eom ,  Sung-Un Kwon ,  Chul-Ho Shin ,  Sang-Sup Jeong

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/1683 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06

摘要： A conductive pattern on a substrate is formed. An insulating layer having an opening exposing the conductive pattern is formed. A bottom electrode is formed on the conductive pattern and a first sidewall of the opening. A spacer is formed on the bottom electrode and a second sidewall of the opening. The spacer and the bottom electrode are formed to be lower than a top surface of the insulating layer. A data storage plug is formed on the bottom electrode and the spacer. The data storage plug has a first sidewall aligned with a sidewall of the bottom electrode and a second sidewall aligned with a sidewall of the spacer. A bit line is formed on the data storage plug.

摘要翻译： 形成基板上的导电图案。 形成具有露出导电图案的开口的绝缘层。 底部电极形成在导电图案和开口的第一侧壁上。 在底部电极和开口的第二侧壁上形成间隔物。 间隔件和底部电极形成为低于绝缘层的顶表面。 数据存储插头形成在底部电极和间隔件上。 数据存储插头具有与底部电极的侧壁对准的第一侧壁和与间隔件的侧壁对准的第二侧壁。 在数据存储插头上形成位线。

公开(公告)号：US07838326B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US12405408

申请日：2009-03-17

申请人： Jin-Il Lee ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Hye-Young Park ,  Do-Hyung Kim ,  Dong-Hyun Im

发明人： Jin-Il Lee ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Hye-Young Park ,  Do-Hyung Kim ,  Dong-Hyun Im

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L45/1683 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

摘要： Provided are methods of fabricating a semiconductor device including a phase change layer. Methods may include forming a dielectric layer on a substrate, forming an opening in the dielectric layer and depositing, on the substrate having the opening, a phase change layer that contains an element that lowers a process temperature of a thermal treatment process to a temperature that is lower than a melting point of the phase change layer. Methods may include migrating a portion of the phase change layer from outside the opening, into the opening by the thermal treatment process that includes the process temperature that is lower than the melting point of the phase change layer.

摘要翻译： 提供制造包括相变层的半导体器件的方法。 方法可以包括在衬底上形成电介质层，在电介质层中形成开口，并在具有开口的衬底上沉积相变层，该相变层含有将热处理工艺的工艺温度降低到 低于相变层的熔点。 方法可以包括通过包括低于相变层的熔点的工艺温度的热处理工艺将一部分相变层从开口外部迁移到开口中。

公开(公告)号：US20110272663A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US13103013

申请日：2011-05-06

申请人： Hyeong-Geun An ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Dong-Hyun Im ,  Eun-Hee Cho

发明人： Hyeong-Geun An ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Dong-Hyun Im ,  Eun-Hee Cho

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/249 ,  H01L45/1226

摘要： A nonvolatile memory device and a method of fabricating the same are provided. The nonvolatile memory device includes a conductive pillar that extends from a substrate in a first direction, a variable resistor that surrounds the conductive pillar, a switching material layer that surrounds the variable resistor, a first conductive layer that extends in a second direction, and a first electrode that extends in a third direction and contacts the first conductive layer and the switching material layer. Not one of the first, second, and third directions is parallel to another one of the first, second, and third directions.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储器件包括从第一方向从衬底延伸的导电柱，围绕导电柱的可变电阻器，围绕可变电阻器的开关材料层，沿第二方向延伸的第一导电层，以及 第一电极，其在第三方向上延伸并接触第一导电层和开关材料层。 第一，第二和第三方向中没有一个平行于第一，第二和第三方向的另一个。