公开(公告)号：US08866218B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US13918562

申请日：2013-06-14

申请人： Fairchild Semiconductor Corporation

发明人： Daniel M. Kinzer ,  Steven Sapp ,  Chung-Lin Wu ,  Oseob Jeon ,  Bigidis Dosdos

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L23/62 ,  H01L23/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L24/13 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： In one general aspect, a system can include a through-silicon-via (TSV) coupling a drain region associated with a vertical transistor to a back metal disposed on a second side of the substrate opposite the first side. The system can include a first metal layer, and a second metal layer aligned orthogonal to the first metal layer. The system can define a conduction path extending substantially vertically through the TSV to the substrate and laterally through the substrate.

摘要翻译： 在一个一般方面，系统可以包括将与垂直晶体管相关联的漏极区域与布置在与第一侧相对的衬底的第二侧上的背面金属耦合的穿硅通孔（TSV）。 该系统可以包括第一金属层和与第一金属层正交排列的第二金属层。 该系统可以限定通过TSV基本垂直延伸到衬底并横向穿过衬底的导电路径。

公开(公告)号：US09391193B2

公开(公告)日：2016-07-12

申请号：US14628989

申请日：2015-02-23

申请人： Fairchild Semiconductor Corporation

发明人： Joseph A. Yedinak ,  Ashok Challa ,  Daniel M. Kinzer ,  Dean E. Probst ,  Daniel Calafut

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

摘要： Exemplary power semiconductor devices with features providing increased breakdown voltage and other benefits are disclosed.

公开(公告)号：US20150194521A1

公开(公告)日：2015-07-09

申请号：US14628989

申请日：2015-02-23

申请人： Fairchild Semiconductor Corporation

发明人： Joseph A. Yedinak ,  Ashok Challa ,  Daniel M. Kinzer ,  Dean E. Probst ,  Daniel Calafut

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

摘要： Exemplary power semiconductor devices with features providing increased breakdown voltage and other benefits are disclosed.

摘要翻译： 公开了具有提供增加的击穿电压和其他益处的特征的示例性功率半导体器件。

公开(公告)号：US20140042532A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US14058954

申请日：2013-10-21

申请人： Fairchild Semiconductor Corporation

发明人： Joseph A. Yedinak ,  Ashok Challa ,  Daniel M. Kinzer ,  Dean E. Probst ,  Daniel Calafut

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

摘要： Exemplary power semiconductor devices with features providing increased breakdown voltage and other benefits are disclosed.

公开(公告)号：US08963212B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US14058954

申请日：2013-10-21

申请人： Fairchild Semiconductor Corporation

发明人： Joseph A. Yedinak ,  Ashok Challa ,  Daniel M. Kinzer ,  Dean E. Probst ,  Daniel Calafut

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

摘要： In one general aspsect, a semiconductor device can include at least a first device region and a second device region disposed at a surface of a semiconductor region where the second device region is adjacent to the first device region and spaced apart from the first device region. That semiconductor device can include a connection region disposed between the first device region and the second device region, and a trench extending into the semiconductor region and at least extending from the first device region, through the connection region, and to the second device region. The semiconductor device can include a dielectric layer lining opposing sidewalls of the trench, an electrode disposed in the trench, and a conductive trace disposed over a portion of the trench in the connection region and electrically coupled to a portion of the electrode disposed in the connection region.

摘要翻译： 在一个一般的方面中，半导体器件可以包括至少第一器件区域和第二器件区域，第二器件区域和第二器件区域设置在半导体区域的表面，其中第二器件区域与第一器件区域相邻并且与第一器件区域间隔开。 该半导体器件可以包括设置在第一器件区域和第二器件区域之间的连接区域，以及延伸到半导体区域中并且至少从第一器件区域延伸穿过连接区域到第二器件区域的沟槽。 半导体器件可以包括在沟槽的相对的侧壁衬里的介质层，设置在沟槽中的电极和布置在连接区域中的沟槽的一部分上的导电迹线，并电耦合到布置在连接中的电极的一部分 地区。