利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

12 条记录 (耗时 0.046 秒)

    Device manufacturing method and computer program product
    4.
    发明申请
    Device manufacturing method and computer program product 有权
    设备制造方法和计算机程序产品

    公开(公告)号：US20070187358A1

    公开(公告)日：2007-08-16

    申请号：US11435296

    申请日：2006-05-17

    申请人： Richard Johannes Van Haren ,  Maurits Schaar ,  Ewoud Vreugdenhil ,  Harry Sewell

    发明人： Richard Johannes Van Haren ,  Maurits Schaar ,  Ewoud Vreugdenhil ,  Harry Sewell

    IPC分类号： C23F1/00 ,  G06F19/00 ,  B44C1/22 ,  G01L21/30

    CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144

    摘要： A method of forming features, e.g. contact holes, at a higher density than is possible with conventional lithographic techniques involves forming an array of sacrificial positive features, conformally depositing a sacrificial layer so that negative features are formed interleaved with the positive features, directionally etching the sacrificial layer and removing the sacrificial features. The result is an array of holes at a higher density than the original sacrificial features. These may then be transferred into the underlying substrate using a desired process. Also, the method may be repeated to create arrays at even higher densities.

    摘要翻译： 形成特征的方法，例如 以比常规光刻技术更高的密度接触孔包括形成牺牲性特征阵列，从而保形地沉积牺牲层，使得负特征与正特征交错形成，定向蚀刻牺牲层并去除牺牲特征 。 结果是以比原始牺牲特征更高的密度的孔阵列。 然后可以使用所需的方法将这些物质转移到下面的基底中。 此外，可以重复该方法以以更高的密度创建阵列。

    Alignment tool for a lithographic apparatus
    7.
    发明申请
    Alignment tool for a lithographic apparatus 失效
    光刻设备对准工具

    公开(公告)号：US20070222990A1

    公开(公告)日：2007-09-27

    申请号：US11389494

    申请日：2006-03-27

    申请人： Sami Musa ,  Richard Johannes Van Haren ,  Maurits Schaar

    发明人： Sami Musa ,  Richard Johannes Van Haren ,  Maurits Schaar

    IPC分类号： G01B11/00

    CPC分类号： G03F9/7049 ,  G03F9/7015 ,  G03F9/7088

    摘要： An alignment tool for a lithographic apparatus illuminates an alignment mark on a substrate with an alignment beam and measures the reflected spectrum. The reflected spectrum is compared with a reference mark to determine any misalignment. A blazed sub-wavelength grating is used to deflect the sub-beams created by diffracting the alignment beam from the alignment mark onto the reference mark.

    摘要翻译： 用于光刻设备的对准工具用对准光照射衬底上的对准标记并测量反射光谱。 将反射光谱与参考标记进行比较以确定任何未对准。 使用闪耀的亚波长光栅来将通过将对准光束从对准标记衍射衍射到参考标记而产生的子光束偏转。

    Alignment devices and methods for providing phase depth control
    8.
    发明申请
    Alignment devices and methods for providing phase depth control 有权
    对准装置和提供相位深度控制的方法

    公开(公告)号：US20070132996A1

    公开(公告)日：2007-06-14

    申请号：US11606374

    申请日：2006-11-30

    申请人： Richard Johannes Van Haren ,  Sami Musa

    发明人： Richard Johannes Van Haren ,  Sami Musa

    IPC分类号： G01B11/00

    CPC分类号： G03F9/7076

    摘要： Alignment marks for use on substrates. An exemplary implementation provides phase depth control. A grating mark, for example, can be etched on a silicon wafer with sub-wavelength segmentation in the spacing portion of the alignment grating's period. The sub-wavelength segmentation can be applied to the spaces or to the lines, or both, of an alignment grating to control the phase depth of the grating. By applying segmentation with a period smaller than the alignment light wavelength in either the space(s) and/or in the line(s) of the grating, the effective refractive index in that region can be manipulated. This change in the effective index will result in a change in the phase depth (optical path length). By varying the duty cycle of the sub-wavelength segmented region, the effective refractive index can be controlled, thereby providing selective control over the phase depth.

    摘要翻译： 用于基板的对准标记。 示例性实施例提供相位深度控制。 例如，可以在对准光栅的周期的间隔部分中的亚波长分割的硅晶片上蚀刻光栅标记。 亚波长分割可以应用于对准光栅的空间或线或两者，以控制光栅的相位深度。 通过在光栅的空间和/或线中以比对准光波长小的周期进行分割，可以操纵该区域中的有效折射率。 有效指标的变化将导致相位深度（光程长度）的变化。 通过改变亚波长分割区域的占空比，可以控制有效折射率，从而提供对相位深度的选择性控制。

    Binary sinusoidal sub-wavelength gratings as alignment marks
    10.
    发明申请
    Binary sinusoidal sub-wavelength gratings as alignment marks 有权
    二进正弦亚波长光栅作为对准标记

    公开(公告)号：US20070114678A1

    公开(公告)日：2007-05-24

    申请号：US11284407

    申请日：2005-11-22

    申请人： Richard Johannes Van Haren ,  Sami Musa

    发明人： Richard Johannes Van Haren ,  Sami Musa

    IPC分类号： H01L23/544

    CPC分类号： G03F9/7049 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/7088

    摘要： The present invention relates to alignment marks for use on substrates, the alignment marks consisting of periodic 2-dimensional arrays of structures, the spacing of the structures being smaller than an alignment beam but larger than an exposure beam and the width of the structures varying sinusoidally from one end of an array to the other.

    摘要翻译： 本发明涉及在基板上使用的对准标记，对准标记由周期性二维结构阵列组成，其结构的间距小于对准光束但大于曝光光束，并且结构的宽度正弦变化 从阵列的一端到另一端。