公开(公告)号：US20060137969A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11026644

申请日：2004-12-29

申请人： Gerald Feldewerth ,  John Barnak ,  Michael Goldstein

发明人： Gerald Feldewerth ,  John Barnak ,  Michael Goldstein

IPC分类号： C23C14/00

CPC分类号： H01J37/3429 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3491

摘要： The present invention relates to a composite sputtering target comprising a plurality of bonded metal pieces. The composite sputtering target further comprises a bonded region between the metal pieces. The bonded region may comprise an inter-metallic region upon bonding. The composite sputter target of the present invention may be used in conjunction with an apparatus for sputtering alloy films on substrates.

摘要翻译： 复合溅射靶技术领域本发明涉及一种复合溅射靶，其包括多个接合金属片。 复合溅射靶还包括金属片之间的接合区域。 接合区域在结合时可以包括金属间区域。 本发明的复合溅射靶可以与用于在基板上溅射合金膜的装置结合使用。

公开(公告)号：US20050212133A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US10812464

申请日：2004-03-29

申请人： John Barnak ,  Gerald Feldewerth ,  Ming Fang ,  Kevin Lee ,  Tzuen-Luh Huang ,  Harry Liang ,  Seshu Sattiraju ,  Margherita Chang ,  Andrew Yeoh

发明人： John Barnak ,  Gerald Feldewerth ,  Ming Fang ,  Kevin Lee ,  Tzuen-Luh Huang ,  Harry Liang ,  Seshu Sattiraju ,  Margherita Chang ,  Andrew Yeoh

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L21/00 ,  H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00

摘要： Apparatus and methods of fabricating an under bump metallization structure including an adhesion layer abutting a conductive pad, a molybdenum-containing barrier layer abutting the adhesion layer, a wetting layer abutting the molybdenum-containing barrier layer, and high tin content solder material abutting the wetting layer. The wetting layer may be substantially subsumed in the high content solder forming an intermetallic compound layer. The molybdenum-containing barrier layer prevents the movement of tin in the high tin content solder material from migrating to dielectric layers abutting the conductive pad and potentially causing delamination and/or attacking any underlying structures, particularly copper structures, which may be present.

摘要翻译： 制造凸起下金属化结构的装置和方法包括邻接导电垫的粘附层，邻接粘合层的含钼阻挡层，邻接含钼阻挡层的润湿层和邻接润湿剂的高锡含量焊料 层。 润湿层可以基本上包含在形成金属间化合物层的高含量焊料中。 含钼阻挡层防止高锡含量焊料材料中的锡的移动不会迁移到邻接导电焊盘的电介质层，并可能导致分层和/或攻击可能存在的任何下面的结构，特别是铜结构。

公开(公告)号：US20050250323A1

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：US11181610

申请日：2005-07-13

申请人： John Barnak ,  Gerald Feldewerth ,  Ming Fang ,  Kevin Lee ,  Tzuen-Luh Huang ,  Harry Liang ,  Seshu Sattiraju ,  Margherita Chang ,  Andrew Yeoh

发明人： John Barnak ,  Gerald Feldewerth ,  Ming Fang ,  Kevin Lee ,  Tzuen-Luh Huang ,  Harry Liang ,  Seshu Sattiraju ,  Margherita Chang ,  Andrew Yeoh

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00

摘要： Apparatus and methods of fabricating an under bump metallization structure including an adhesion layer abutting a conductive pad, a molybdenum-containing barrier layer abutting the adhesion layer, a wetting layer abutting the molybdenum-containing barrier layer, and high tin content solder material abutting the wetting layer. The wetting layer may be substantially subsumed in the high content solder forming an intermetallic compound layer. The molybdenum-containing barrier layer prevents the movement of tin in the high tin content solder material from migrating to dielectric layers abutting the conductive pad and potentially causing delamination and/or attacking any underlying structures, particularly copper structures, which may be present.

摘要翻译： 制造凸起下金属化结构的装置和方法包括邻接导电垫的粘附层，邻接粘合层的含钼阻挡层，邻接含钼阻挡层的润湿层和邻接润湿剂的高锡含量焊料 层。 润湿层可以基本上包含在形成金属间化合物层的高含量焊料中。 含钼阻挡层防止高锡含量焊料材料中的锡的移动不会迁移到邻接导电焊盘的电介质层，并可能导致分层和/或攻击可能存在的任何下面的结构，特别是铜结构。

公开(公告)号：US06821407B1

公开(公告)日：2004-11-23

申请号：US10231147

申请日：2002-08-27

申请人： Jonathan D. Reid ,  Timothy Mark Archer ,  Thomas Tan Vu ,  Seshasayee Varadarajan ,  Jon Henri ,  Steven T. Mayer ,  David Sauer ,  Anita Kang ,  Gerald Feldewerth

发明人： Jonathan D. Reid ,  Timothy Mark Archer ,  Thomas Tan Vu ,  Seshasayee Varadarajan ,  Jon Henri ,  Steven T. Mayer ,  David Sauer ,  Anita Kang ,  Gerald Feldewerth

IPC分类号： C25D338

CPC分类号： C25D21/12 ,  C25D17/002 ,  C25D17/12 ,  C25F7/00 ,  H05K3/241

摘要： An electroplating system includes (a) a phosphorized anode having an average grain size of at least about 50 micrometers and (b) plating apparatus that separates the anode from the cathode and prevents most particles generated at the anode from passing to the cathode. The separation may be accomplished by interposing a microporous chemical transport barrier between the anode and cathode. The relatively few particles that are generated at the large grain phosphorized copper anode are prevented from passing into the cathode (wafer) chamber area and thereby causing a defect in the part.

摘要翻译： 电镀系统包括（a）平均晶粒尺寸为至少约50微米的磷化阳极和（b）将阳极与阴极分离的电镀装置，并防止在阳极处产生的大多数颗粒通过阴极。 分离可以通过在阳极和阴极之间插入微孔化学传输阻挡层来实现。 在大晶粒磷化铜阳极处产生的相对较少的颗粒被阻止进入阴极（晶片）室区域，从而导致该部分的缺陷。