公开(公告)号：US20050212133A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US10812464

申请日：2004-03-29

申请人： John Barnak ,  Gerald Feldewerth ,  Ming Fang ,  Kevin Lee ,  Tzuen-Luh Huang ,  Harry Liang ,  Seshu Sattiraju ,  Margherita Chang ,  Andrew Yeoh

发明人： John Barnak ,  Gerald Feldewerth ,  Ming Fang ,  Kevin Lee ,  Tzuen-Luh Huang ,  Harry Liang ,  Seshu Sattiraju ,  Margherita Chang ,  Andrew Yeoh

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L21/00 ,  H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00

摘要： Apparatus and methods of fabricating an under bump metallization structure including an adhesion layer abutting a conductive pad, a molybdenum-containing barrier layer abutting the adhesion layer, a wetting layer abutting the molybdenum-containing barrier layer, and high tin content solder material abutting the wetting layer. The wetting layer may be substantially subsumed in the high content solder forming an intermetallic compound layer. The molybdenum-containing barrier layer prevents the movement of tin in the high tin content solder material from migrating to dielectric layers abutting the conductive pad and potentially causing delamination and/or attacking any underlying structures, particularly copper structures, which may be present.

摘要翻译： 制造凸起下金属化结构的装置和方法包括邻接导电垫的粘附层，邻接粘合层的含钼阻挡层，邻接含钼阻挡层的润湿层和邻接润湿剂的高锡含量焊料 层。 润湿层可以基本上包含在形成金属间化合物层的高含量焊料中。 含钼阻挡层防止高锡含量焊料材料中的锡的移动不会迁移到邻接导电焊盘的电介质层，并可能导致分层和/或攻击可能存在的任何下面的结构，特别是铜结构。

公开(公告)号：US20050250323A1

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：US11181610

申请日：2005-07-13

申请人： John Barnak ,  Gerald Feldewerth ,  Ming Fang ,  Kevin Lee ,  Tzuen-Luh Huang ,  Harry Liang ,  Seshu Sattiraju ,  Margherita Chang ,  Andrew Yeoh

发明人： John Barnak ,  Gerald Feldewerth ,  Ming Fang ,  Kevin Lee ,  Tzuen-Luh Huang ,  Harry Liang ,  Seshu Sattiraju ,  Margherita Chang ,  Andrew Yeoh

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00

摘要： Apparatus and methods of fabricating an under bump metallization structure including an adhesion layer abutting a conductive pad, a molybdenum-containing barrier layer abutting the adhesion layer, a wetting layer abutting the molybdenum-containing barrier layer, and high tin content solder material abutting the wetting layer. The wetting layer may be substantially subsumed in the high content solder forming an intermetallic compound layer. The molybdenum-containing barrier layer prevents the movement of tin in the high tin content solder material from migrating to dielectric layers abutting the conductive pad and potentially causing delamination and/or attacking any underlying structures, particularly copper structures, which may be present.

摘要翻译： 制造凸起下金属化结构的装置和方法包括邻接导电垫的粘附层，邻接粘合层的含钼阻挡层，邻接含钼阻挡层的润湿层和邻接润湿剂的高锡含量焊料 层。 润湿层可以基本上包含在形成金属间化合物层的高含量焊料中。 含钼阻挡层防止高锡含量焊料材料中的锡的移动不会迁移到邻接导电焊盘的电介质层，并可能导致分层和/或攻击可能存在的任何下面的结构，特别是铜结构。

公开(公告)号：US20060137969A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11026644

申请日：2004-12-29

申请人： Gerald Feldewerth ,  John Barnak ,  Michael Goldstein

发明人： Gerald Feldewerth ,  John Barnak ,  Michael Goldstein

IPC分类号： C23C14/00

CPC分类号： H01J37/3429 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3491

摘要： The present invention relates to a composite sputtering target comprising a plurality of bonded metal pieces. The composite sputtering target further comprises a bonded region between the metal pieces. The bonded region may comprise an inter-metallic region upon bonding. The composite sputter target of the present invention may be used in conjunction with an apparatus for sputtering alloy films on substrates.

摘要翻译： 复合溅射靶技术领域本发明涉及一种复合溅射靶，其包括多个接合金属片。 复合溅射靶还包括金属片之间的接合区域。 接合区域在结合时可以包括金属间区域。 本发明的复合溅射靶可以与用于在基板上溅射合金膜的装置结合使用。

公开(公告)号：US20050244572A1

公开(公告)日：2005-11-03

申请号：US10835867

申请日：2004-04-29

申请人： Robert Bristol ,  Bryan Rice ,  Ming Fang ,  John Barnak ,  Melissa Shell

发明人： Robert Bristol ,  Bryan Rice ,  Ming Fang ,  John Barnak ,  Melissa Shell

IPC分类号： B32B15/04 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  H05H1/00

CPC分类号： G03F7/70958 ,  C23C14/083 ,  C23C14/165 ,  G03F7/70175 ,  G03F7/70916 ,  G21K1/06 ,  G21K2201/067

摘要： Passivation coatings and gettering agents may be used in an Extreme Ultraviolet (EUV) source which uses tin (Sn) vapor as a plasma “fuel” to prevent contamination and corresponding loss of reflectivity due to tin contamination. The passivation coating may be a material to which tin does not adhere, and may be placed on reflective surfaces in the source chamber. The gettering agent may be a material that reacts strongly with tin, and may be placed outside of the collector mirrors and/or on non-reflective surfaces. A passivation coating may also be provided on the insulator between the anode and cathode of the source electrodes to prevent shorting due to tin coating the insulator surface.

摘要翻译： 钝化涂层和吸气剂可以用于使用锡（Sn）蒸气作为等离子体“燃料”的极紫外（EUV）源，以防止污染和相应的锡污染引起的反射率的损失。 钝化涂层可以是锡不粘附的材料，并且可以放置在源室中的反射表面上。 吸气剂可以是与锡强烈反应的材料，并且可以放置在集电镜和/或非反射表面之外。 也可以在源电极的阳极和阴极之间的绝缘体上提供钝化涂层，以防止由于涂覆绝缘体表面的锡而导致短路。

公开(公告)号：US20060030104A1

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：US11248737

申请日：2005-10-11

申请人： Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Steven Keating ,  Chris Barns ,  Brian Doyle ,  Michael McSwiney ,  Jack Kavalieros ,  John Barnak

发明人： Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Steven Keating ,  Chris Barns ,  Brian Doyle ,  Michael McSwiney ,  Jack Kavalieros ,  John Barnak

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/7833 ,  Y10S438/926

摘要： At least a p-type and n-type semiconductor device deposited upon a semiconductor wafer containing metal or metal alloy gates. More particularly, a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) device is formed on a semiconductor wafer having n-type and p-type metal gates.

摘要翻译： 至少p型和n型半导体器件沉积在包含金属或金属合金栅极的半导体晶片上。 更具体地，在具有n型和p型金属栅极的半导体晶片上形成互补金属氧化物半导体（CMOS）器件。

公开(公告)号：US20050040469A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：US10946502

申请日：2004-09-20

申请人： Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Steven Keating ,  Chris Barns ,  Brian Doyle ,  Michael McSwiney ,  Jack Kavalieros ,  John Barnak

发明人： Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Steven Keating ,  Chris Barns ,  Brian Doyle ,  Michael McSwiney ,  Jack Kavalieros ,  John Barnak

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/7833 ,  Y10S438/926

摘要： At least a p-type and n-type semiconductor device deposited upon a semiconductor wafer containing metal or metal alloy gates. More particularly, a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) device is formed on a semiconductor wafer having n-type and p-type metal gates.

摘要翻译： 至少p型和n型半导体器件沉积在包含金属或金属合金栅极的半导体晶片上。 更具体地，在具有n型和p型金属栅极的半导体晶片上形成互补金属氧化物半导体（CMOS）器件。

公开(公告)号：US20050045961A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：US10652350

申请日：2003-08-29

申请人： John Barnak ,  Mark Doczy ,  Robert Chau ,  Collin Borla

发明人： John Barnak ,  Mark Doczy ,  Robert Chau ,  Collin Borla

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

摘要： A technique for producing an enhanced gate structure having a silicon-nitride buffer. Embodiments relate to the structure and development of a gate structure having a silicon-nitride buffer layer deposited upon a dielectric layer, upon which a gate material, such as polysilicon, is deposited.

公开(公告)号：US06855639B1

公开(公告)日：2005-02-15

申请号：US10632470

申请日：2003-08-01

申请人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  John Barnak ,  Paul R. Markworth

发明人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  John Barnak ,  Paul R. Markworth

IPC分类号： H01L21/3063 ,  H01L21/28 ,  H01L21/311 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/31111

摘要： A high-K thin film patterning solution is disclosed to address structural and process limitations of conventional patterning techniques. Subsequent to formation of gate structures adjacent a high-K dielectric layer, a portion of the high-K dielectric layer material is reduced, preferably via exposure to hydrogen gas, to form a reduced portion of the high-K dielectric layer. The reduced portion may be selectively removed utilizing wet etch chemistries to leave behind a trench of desirable geometric properties.

摘要翻译： 公开了一种高K薄膜图形解决方案，以解决常规图案化技术的结构和工艺限制。 在与高K电介质层相邻形成栅极结构之后，优选通过暴露于氢气来降低高K电介质层材料的一部分，以形成高K电介质层的减少的部分。 可以使用湿蚀刻化学物质选择性地去除还原部分，以留下所需几何性质的沟槽。

公开(公告)号：US20050026451A1

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：US10632470

申请日：2003-08-01

申请人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  John Barnak ,  Paul Markworth

发明人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  John Barnak ,  Paul Markworth

IPC分类号： H01L21/3063 ,  H01L21/28 ,  H01L21/311 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/31111

摘要： A high-K thin film patterning solution is disclosed to address structural and process limitations of conventional patterning techniques. Subsequent to formation of gate structures adjacent a high-K dielectric layer, a portion of the high-K dielectric layer material is reduced, preferably via exposure to hydrogen gas, to form a reduced portion of the high-K dielectric layer. The reduced portion may be selectively removed utilizing wet etch chemistries to leave behind a trench of desirable geometric properties.

摘要翻译： 公开了一种高K薄膜图形解决方案，以解决常规图案化技术的结构和工艺限制。 在与高K电介质层相邻形成栅极结构之后，优选通过暴露于氢气来降低高K电介质层材料的一部分，以形成高K电介质层的减少的部分。 可以使用湿蚀刻化学物质选择性地去除还原部分，以留下所需几何性质的沟槽。

公开(公告)号：US20050017238A1

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：US10626336

申请日：2003-07-24

申请人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  John Barnak

发明人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  John Barnak

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L21/02323 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31683

摘要： A liquid form oxidizer may be utilized to form a high dielectric constant dielectric material from a metallic precursor for semiconductor applications. The use of a liquid rather than a gaseous oxidizer reduces the presence of an oxidation under layer under the metallic precursor. It may also, in some embodiments, result in a purer dielectric film.

摘要翻译： 可以使用液体形式氧化剂从用于半导体应用的金属前体形成高介电常数电介质材料。 液体而不是气态氧化剂的使用减少了在金属前体下面氧化层的存在。 在一些实施例中，也可以产生更纯的电介质膜。