公开(公告)号：US20090310640A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12419128

申请日：2009-04-06

申请人： Hitoshi Sato ,  Roy B. Chung ,  Feng Wu ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hitoshi Sato ,  Roy B. Chung ,  Feng Wu ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01L29/66 ,  H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16

摘要： A III-nitride optoelectronic device comprising a light emitting diode (LED) or laser diode with a peak emission wavelength longer than 500 nm. The III-nitride device has a dislocation density, originating from interfaces between an indium containing well layer and barrier layers, less than 9×109 cm−2. The III-nitride device is grown with an interruption time, between growth of the well layer and barrier layers, of more than 1 minute.

摘要翻译： III族氮化物光电子器件包括具有长于500nm的峰值发射波长的发光二极管（LED）或激光二极管。 III族氮化物器件具有源于含铟阱层和阻挡层之间的界面的位错密度，小于9×10 9 cm -2。 III族氮化物器件在阱层和阻挡层的生长之间的中断时间长达1分钟以上生长。

公开(公告)号：US08299452B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US13405590

申请日：2012-02-27

申请人： Hitoshi Sato ,  Hirohiko Hirasawa ,  Roy B. Chung ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Hitoshi Sato ,  Hirohiko Hirasawa ,  Roy B. Chung ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16

摘要： A yellow Light Emitting Diode (LED) with a peak emission wavelength in the range 560-580 nm is disclosed. The LED is grown on one or more III-nitride-based semipolar planes and an active layer of the LED is composed of indium (In) containing single or multi-quantum well structures. The LED quantum wells have a thickness in the range 2-7 nm. A multi-color LED or white LED comprised of at least one semipolar yellow LED is also disclosed.

摘要翻译： 公开了具有560-580nm范围内的峰值发射波长的黄色发光二极管（LED）。 LED在一个或多个III族氮化物基半极平面上生长，并且LED的有源层由包含单量子阱或多量子阱结构的铟（In）组成。 LED量子阱的厚度范围为2-7nm。 还公开了由至少一个半极性黄色LED组成的多色LED或白色LED。

公开(公告)号：US08148713B2

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US12419119

申请日：2009-04-06

申请人： Hitoshi Sato ,  Hirohiko Hirasawa ,  Roy B. Chung ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Hitoshi Sato ,  Hirohiko Hirasawa ,  Roy B. Chung ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/02 ,  H01L33/08 ,  Y10S977/755

摘要： A yellow Light Emitting Diode (LED) with a peak emission wavelength in the range 560-580 nm is disclosed. The LED is grown on one or more III-nitride-based semipolar planes and an active layer of the LED is composed of indium (In) containing single or multi-quantum well structures. The LED quantum wells have a thickness in the range 2-7 nm. A multi-color LED or white LED comprised of at least one semipolar yellow LED is also disclosed.

公开(公告)号：US20120205620A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13405590

申请日：2012-02-27

申请人： Hitoshi Sato ,  Hirohiko Hirasawa ,  Roy B. Chung ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Hitoshi Sato ,  Hirohiko Hirasawa ,  Roy B. Chung ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16

摘要： A yellow Light Emitting Diode (LED) with a peak emission wavelength in the range 560-580 nm is disclosed. The LED is grown on one or more III-nitride-based semipolar planes and an active layer of the LED is composed of indium (In) containing single or multi-quantum well structures. The LED quantum wells have a thickness in the range 2-7 nm. A multi-color LED or white LED comprised of at least one semipolar yellow LED is also disclosed.

摘要翻译： 公开了具有560-580nm范围内的峰值发射波长的黄色发光二极管（LED）。 LED在一个或多个III族氮化物基半极平面上生长，并且LED的有源层由包含单量子阱或多量子阱结构的铟（In）组成。 LED量子阱的厚度范围为2-7nm。 还公开了由至少一个半极性黄色LED组成的多色LED或白色LED。

公开(公告)号：US20090250686A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：US12419119

申请日：2009-04-06

申请人： Hitoshi Sato ,  Hirohiko Hirasawa ,  Roy B. Chung ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Hitoshi Sato ,  Hirohiko Hirasawa ,  Roy B. Chung ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/02 ,  H01L33/08 ,  Y10S977/755

摘要： A yellow Light Emitting Diode (LED) with a peak emission wavelength in the range 560-580 nm is disclosed. The LED is grown on one or more III-nitride-based semipolar planes and an active layer of the LED is composed of indium (In) containing single or multi-quantum well structures. The LED quantum wells have a thickness in the range 2-7 nm. A multi-color LED or white LED comprised of at least one semipolar yellow LED is also disclosed.

摘要翻译： 公开了具有560-580nm范围内的峰值发射波长的黄色发光二极管（LED）。 LED在一个或多个III族氮化物基半极平面上生长，并且LED的有源层由包含单量子阱或多量子阱结构的铟（In）组成。 LED量子阱的厚度范围为2-7nm。 还公开了由至少一个半极性黄色LED组成的多色LED或白色LED。

公开(公告)号：US20120138891A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13282794

申请日：2011-10-27

申请人： Roy B. Chung ,  Changseok Han ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Roy B. Chung ,  Changseok Han ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32

摘要： A method for reduction of efficiency droop using an (Al, In, Ga)N/AlxIn1-xN superlattice electron blocking layer (SL-EBL) in nitride based light emitting diodes.

摘要翻译： 在氮化物基发光二极管中使用（Al，In，Ga）N / Al x In 1-x N超晶格电子阻挡层（SL-EBL）降低效率下降的方法。

公开(公告)号：US20100108985A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12610945

申请日：2009-11-02

申请人： Roy B. Chung ,  Zhen Chen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Roy B. Chung ,  Zhen Chen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/30 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333

摘要： A high-power and high-efficiency light emitting device with emission wavelength (λpeak) ranging from 280 nm to 360 nm is fabricated. The new device structure uses non-polar or semi-polar AlInN and AlInGaN alloys grown on a non-polar or semi-polar bulk GaN substrate.

摘要翻译： 制造了发射波长（λpeak）范围从280nm到360nm的大功率和高效率发光器件。 新器件结构使用在非极性或半极性体积GaN衬底上生长的非极性或半极性AlInN和AlInGaN合金。

公开(公告)号：US08357925B2

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：US13300977

申请日：2011-11-21

申请人： Roy B. Chung ,  Zhen Chen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Roy B. Chung ,  Zhen Chen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L33/30 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333

摘要： A high-power and high-efficiency light emitting device with emission wavelength (λpeak) ranging from 280 nm to 360 nm is fabricated. The new device structure uses non-polar or semi-polar AlInN and AlInGaN alloys grown on a non-polar or semi-polar bulk GaN substrate.

摘要翻译： 制造了发射波长（λpeak）范围从280nm到360nm的大功率和高效率发光器件。 新器件结构使用在非极性或半极性体积GaN衬底上生长的非极性或半极性AlInN和AlInGaN合金。

公开(公告)号：US20120061645A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US13300977

申请日：2011-11-21

申请人： Roy B. Chung ,  Zhen Chen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Roy B. Chung ,  Zhen Chen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/02

CPC分类号： H01L33/30 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333

摘要： A high-power and high-efficiency light emitting device with emission wavelength (λpeak) ranging from 280 nm to 360 nm is fabricated. The new device structure uses non-polar or semi-polar AlInN and AlInGaN alloys grown on a non-polar or semi-polar bulk GaN substrate.

摘要翻译： 制造了发射波长（λpeak）范围从280nm到360nm的大功率和高效率发光器件。 新器件结构使用在非极性或半极性体积GaN衬底上生长的非极性或半极性AlInN和AlInGaN合金。

公开(公告)号：US08084763B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US12610945

申请日：2009-11-02

申请人： Roy B. Chung ,  Zhen Chen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Roy B. Chung ,  Zhen Chen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L33/30 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333

摘要： A high-power and high-efficiency light emitting device with emission wavelength (λpeak) ranging from 280 nm to 360 nm is fabricated. The new device structure uses non-polar or semi-polar AlInN and AlInGaN alloys grown on a non-polar or semi-polar bulk GaN substrate.

摘要翻译： 制造了发射波长（λpeak）范围从280nm到360nm的大功率和高效率发光器件。 新器件结构使用在非极性或半极性体积GaN衬底上生长的非极性或半极性AlInN和AlInGaN合金。