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    METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
    3.
    发明申请
    METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20110244689A1

    公开(公告)日：2011-10-06

    申请号：US13076856

    申请日：2011-03-31

    申请人： So-ra Han ,  Yool Kang ,  Seong-ho Moon ,  Kyung-hwan Yoon ,  Hyoung-hee Kim ,  Seong-woon Choi ,  Seok-hwan Oh

    发明人： So-ra Han ,  Yool Kang ,  Seong-ho Moon ,  Kyung-hwan Yoon ,  Hyoung-hee Kim ,  Seong-woon Choi ,  Seok-hwan Oh

    IPC分类号： H01L21/311

    CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/40 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76229

    摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes forming a first mask pattern on a substrate by using a material including a polymer having a protection group de-protectable by an acid, the first mask pattern having a plurality of holes; forming a capping layer on an exposed surface of the first mask pattern, the capping layer including an acid source; diffusing the acid source into the first mask pattern so that the protection group becomes de-protectable from the polymer in the first mask pattern; forming a second mask layer on the capping layer, the second mask layer separate from the first mask pattern and filling the plurality of holes in the first mask pattern; and forming a plurality of second mask patterns in the plurality of holes by removing the capping layer and the first mask pattern.

    摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：通过使用包括具有可被酸去保护的保护基的聚合物的材料在基板上形成第一掩模图案，所述第一掩模图案具有多个孔; 在所述第一掩模图案的暴露表面上形成覆盖层，所述封盖层包括酸源; 将酸源扩散到第一掩模图案中，使得保护基团在第一掩模图案中从聚合物变得不可保护; 在所述覆盖层上形成第二掩模层，所述第二掩模层与所述第一掩模图案分离并填充所述第一掩模图案中的所述多个孔; 以及通过去除所述封盖层和所述第一掩模图案，在所述多个孔中形成多个第二掩模图案。

    METHOD OF FORMING A MASK PATTERN, METHOD OF FORMING A MINUTE PATTERN, AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
    4.
    发明申请
    METHOD OF FORMING A MASK PATTERN, METHOD OF FORMING A MINUTE PATTERN, AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME 有权
    形成掩模图案的方法，形成分钟图案的方法和使用其制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20110053362A1

    公开(公告)日：2011-03-03

    申请号：US12873574

    申请日：2010-09-01

    申请人： Hyoung-Hee KIM ,  Yool Kang ,  Seong-Ho Moon ,  Seok-Hwan Oh ,  So-Ra Han ,  Seong-Woon Choi

    发明人： Hyoung-Hee KIM ,  Yool Kang ,  Seong-Ho Moon ,  Seok-Hwan Oh ,  So-Ra Han ,  Seong-Woon Choi

    IPC分类号： H01L21/28 ,  G03F7/20

    CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

    摘要： A method of forming a mask pattern, a method of forming a minute pattern, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same, the method of forming the mask pattern including forming first mask patterns on a substrate; forming first preliminary capping layers on the first mask patterns; irradiating energy to the first preliminary capping patterns to form second preliminary capping layers ionically bonded with the first mask patterns; applying an acid to the second preliminary capping layers to form capping layers; forming a second mask layer between the capping layers, the second mask layer having a solubility lower than that of the capping layers; and removing the capping layers to form second mask patterns.

    摘要翻译： 形成掩模图案的方法，形成微小图案的方法以及使用其形成半导体器件的方法，所述掩模图案的形成方法包括在基板上形成第一掩模图案; 在第一掩模图案上形成第一初步封盖层; 向第一初步封盖图案照射能量以形成与第一掩模图案离子键合的第二初步封盖层; 向第二初步封盖层施加酸以形成封盖层; 在所述封盖层之间形成第二掩模层，所述第二掩模层的溶解度低于所述封盖层的溶解度; 并去除覆盖层以形成第二掩模图案。

    Method of forming a mask pattern, method of forming a minute pattern, and method of manufacturing a semiconductor device using the same
    5.
    发明授权
    Method of forming a mask pattern, method of forming a minute pattern, and method of manufacturing a semiconductor device using the same 有权
    形成掩模图案的方法，形成微小图案的方法以及使用其形成半导体器件的方法

    公开(公告)号：US08227349B2

    公开(公告)日：2012-07-24

    申请号：US12873574

    申请日：2010-09-01

    申请人： Hyoung-Hee Kim ,  Yool Kang ,  Seong-Ho Moon ,  Seok-Hwan Oh ,  So-Ra Han ,  Seong-Woon Choi

    发明人： Hyoung-Hee Kim ,  Yool Kang ,  Seong-Ho Moon ,  Seok-Hwan Oh ,  So-Ra Han ,  Seong-Woon Choi

    IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302 ,  H01L21/469 ,  H01L21/3205

    CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

    摘要： A method of forming a mask pattern, a method of forming a minute pattern, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same, the method of forming the mask pattern including forming first mask patterns on a substrate; forming first preliminary capping layers on the first mask patterns; irradiating energy to the first preliminary capping patterns to form second preliminary capping layers ionically bonded with the first mask patterns; applying an acid to the second preliminary capping layers to form capping layers; forming a second mask layer between the capping layers, the second mask layer having a solubility lower than that of the capping layers; and removing the capping layers to form second mask patterns.

    摘要翻译： 形成掩模图案的方法，形成微小图案的方法以及使用其形成半导体器件的方法，所述掩模图案的形成方法包括在基板上形成第一掩模图案; 在第一掩模图案上形成第一初步封盖层; 向第一初步封盖图案照射能量以形成与第一掩模图案离子键合的第二初步封盖层; 向第二初步封盖层施加酸以形成封盖层; 在所述封盖层之间形成第二掩模层，所述第二掩模层的溶解度低于所述封盖层的溶解度; 并去除覆盖层以形成第二掩模图案。

    METHODS OF FORMING FINE PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICE
    6.
    发明申请
    METHODS OF FORMING FINE PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    形成半导体器件精细图案的方法

    公开(公告)号：US20110027993A1

    公开(公告)日：2011-02-03

    申请号：US12794890

    申请日：2010-06-07

    申请人： Seongho Moon ,  Yool Kang ,  HyoungHee Kim ,  Seokhwan Oh ,  So-Ra Han ,  Seongwoon Choi

    发明人： Seongho Moon ,  Yool Kang ,  HyoungHee Kim ,  Seokhwan Oh ,  So-Ra Han ,  Seongwoon Choi

    IPC分类号： H01L21/308

    CPC分类号： H01L21/32139 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144

    摘要： A method of forming fine patterns of a semiconductor device is provided. The method includes forming plural preliminary first mask patterns, which are spaced apart from each other by a first distance in a direction parallel to a surface of a substrate, on the substrate; forming an acid solution layer on the substrate to cover the plural preliminary first mask patterns; forming plural first mask patterns which are spaced apart from each other by a second distance larger than the first distance, of which upper and side portions are surrounded by acid diffusion regions having first solubility; exposing the first acid diffusion regions by removing the acid solution layer; forming a second mask layer having second solubility lower than the first solubility in spaces between the acid diffusion regions; and forming plural second mask patterns located between the plural first mask patterns, respectively, by removing the acid diffusion regions by the dissolvent.

    摘要翻译： 提供了形成半导体器件的精细图案的方法。 该方法包括在基板上形成在平行于基板的表面的方向上彼此间隔开第一距离的多个初步第一掩模图案; 在所述基板上形成酸溶液层以覆盖所述多个初步第一掩模图案; 形成彼此间隔开大于第一距离的第二距离的多个第一掩模图案，其中上侧部分和第二部分被具有第一溶解度的酸性扩散区域包围; 通过除去酸溶液层暴露第一酸扩散区; 在所述酸扩散区之间形成第二掩模层，所述第二掩模层的第二溶解度低于所述第一溶解度; 以及分别通过所述溶剂除去所述酸扩散区而形成位于所述多个第一掩模图案之间的多个第二掩模图案。

    Methods of forming fine patterns of semiconductor device
    7.
    发明授权
    Methods of forming fine patterns of semiconductor device 有权
    形成半导体器件精细图案的方法

    公开(公告)号：US08314036B2

    公开(公告)日：2012-11-20

    申请号：US12794890

    申请日：2010-06-07

    申请人： Seongho Moon ,  Yool Kang ,  HyoungHee Kim ,  Seokhwan Oh ,  So-Ra Han ,  Seongwoon Choi

    发明人： Seongho Moon ,  Yool Kang ,  HyoungHee Kim ,  Seokhwan Oh ,  So-Ra Han ,  Seongwoon Choi

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/32139 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144

    摘要： A method of forming fine patterns of a semiconductor device is provided. The method includes forming plural preliminary first mask patterns, which are spaced apart from each other by a first distance in a direction parallel to a surface of a substrate, on the substrate; forming an acid solution layer on the substrate to cover the plural preliminary first mask patterns; forming plural first mask patterns which are spaced apart from each other by a second distance larger than the first distance, of which upper and side portions are surrounded by acid diffusion regions having first solubility; exposing the first acid diffusion regions by removing the acid solution layer; forming a second mask layer having second solubility lower than the first solubility in spaces between the acid diffusion regions; and forming plural second mask patterns located between the plural first mask patterns, respectively, by removing the acid diffusion regions by the dissolvent.

    摘要翻译： 提供了形成半导体器件的精细图案的方法。 该方法包括在基板上形成在平行于基板的表面的方向上彼此间隔开第一距离的多个初步第一掩模图案; 在所述基板上形成酸溶液层以覆盖所述多个初步第一掩模图案; 形成彼此间隔开大于第一距离的第二距离的多个第一掩模图案，其中上侧部分和第二部分被具有第一溶解度的酸性扩散区域包围; 通过除去酸溶液层暴露第一酸扩散区; 在所述酸扩散区之间形成第二掩模层，所述第二掩模层的第二溶解度低于所述第一溶解度; 以及分别通过所述溶剂除去所述酸扩散区而形成位于所述多个第一掩模图案之间的多个第二掩模图案。

    Double photolithography methods with reduced intermixing of solvents
    9.
    发明申请
    Double photolithography methods with reduced intermixing of solvents 审中-公开
    双光刻法减少了溶剂的混合

    公开(公告)号：US20060127816A1

    公开(公告)日：2006-06-15

    申请号：US11296816

    申请日：2005-12-07

    申请人： Yool Kang ,  Han-ku Cho ,  Sang-Gyun Woo ,  Suk-Joo Lee ,  Man-Hyung Ryoo ,  Mitsuhiro Hata ,  Hyung-Rae Lee

    发明人： Yool Kang ,  Han-ku Cho ,  Sang-Gyun Woo ,  Suk-Joo Lee ,  Man-Hyung Ryoo ,  Mitsuhiro Hata ,  Hyung-Rae Lee

    IPC分类号： G03F7/00

    CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273

    摘要： The present invention provides a double photolithography method in which, after a first photoresist pattern including a crosslinkable agent is formed on a semiconductor substrate, a crosslinkage is formed in a molecular structure of the first photoresist pattern. A second photoresist film may be formed on a surface of the semiconductor substrate on which the crosslinked first photoresist patterns are formed. Second photoresist patterns may be formed by exposing, post-exposure baking, and developing the second photoresist film.

    摘要翻译： 本发明提供一种双光刻方法，其中在半导体衬底上形成包括可交联剂的第一光致抗蚀剂图案之后，在第一光致抗蚀剂图案的分子结构中形成交联。 可以在其上形成有交联的第一光致抗蚀剂图案的半导体衬底的表面上形成第二光致抗蚀剂膜。 可以通过曝光，曝光后烘烤和显影第二光致抗蚀剂膜来形成第二光致抗蚀剂图案。

    METHODS OF FORMING METAL OR METAL NITRIDE PATTERNS AND METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES
    10.
    发明申请
    METHODS OF FORMING METAL OR METAL NITRIDE PATTERNS AND METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES 审中-公开
    形成金属或金属氮化物图案的方法和制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20130040448A1

    公开(公告)日：2013-02-14

    申请号：US13570812

    申请日：2012-08-09

    申请人： Joo-Hyung Yang ,  Yool Kang ,  Hyung-Rae Lee ,  Kyu-Sik Shin ,  Jae-ho Kim ,  Dong-Jun Lee

    发明人： Joo-Hyung Yang ,  Yool Kang ,  Hyung-Rae Lee ,  Kyu-Sik Shin ,  Jae-ho Kim ,  Dong-Jun Lee

    IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76838

    摘要： In a method of forming a metal or metal nitride pattern, a metal or metal nitride layer is formed on a substrate, and a photoresist pattern is formed on the metal or metal nitride layer. An over-coating composition is coated on the metal or metal nitride layer and on the photoresist pattern to form a capping layer on the photoresist pattern. The over-coating composition includes a polymer having amine groups as a side chain or a branch and a solvent. A remaining portion of the over-coating composition is removed by washing with a hydrophilic solution. The metal or metal nitride layer is partially removed using the capping layer and the photoresist pattern as an etching mask.

    摘要翻译： 在形成金属或金属氮化物图形的方法中，在基板上形成金属或金属氮化物层，并且在金属或金属氮化物层上形成光刻胶图案。 在金属或金属氮化物层和光致抗蚀剂图案上涂覆过涂层组合物以在光致抗蚀剂图案上形成覆盖层。 该覆盖组合物包括具有侧基或分支和溶剂的胺基的聚合物。 通过用亲水溶液洗涤除去剩余部分的外涂层组合物。 使用覆盖层和光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来部分去除金属或金属氮化物层。