公开(公告)号：US20110291120A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13109263

申请日：2011-05-17

申请人： Young-jo Tak ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

发明人： Young-jo Tak ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/06

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L33/08 ,  H01L33/405 ,  H01L33/641 ,  H01L2933/0016

摘要： Example embodiments of the present invention relate to a light emitting device having a connection structure and a method of manufacturing the light emitting device. The method of manufacturing may include forming a light emitting region and electrode layers on a substrate in which a plurality of cell regions and a bridge for partially connecting the cell regions are disposed, thereby providing a light emitting device that controls stress with relative ease and integrates electrical connections between the cell regions.

摘要翻译： 本发明的示例性实施例涉及具有连接结构的发光器件和制造发光器件的方法。 制造方法可以包括在其上设置多个单元区域和用于部分连接单元区域的桥的基板上形成发光区域和电极层，从而提供相对容易地控制应力的发光装置 电池区之间的电连接。

公开(公告)号：US20110272712A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US12926854

申请日：2010-12-14

申请人： Hyung-su Jeong ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee

发明人： Hyung-su Jeong ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0025 ,  H01L27/156 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

摘要： Example embodiments are directed to a light-emitting device including a patterned emitting unit and a method of manufacturing the light-emitting device. The light-emitting device includes a first electrode on a top of a semiconductor layer, and a second electrode on a bottom of the semiconductor layer, wherein the semiconductor layer is a pattern array formed of a plurality of stacks. A space between the plurality of stacks is filled with an insulating layer, and the first electrode is on the insulating layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及包括图案化发光单元的发光器件和制造发光器件的方法。 发光器件包括在半导体层的顶部上的第一电极和在半导体层的底部上的第二电极，其中半导体层是由多个堆叠形成的图案阵列。 多个堆叠之间的空间填充有绝缘层，并且第一电极在绝缘层上。

公开(公告)号：US08581276B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US12801268

申请日：2010-06-01

申请人： Jae-won Lee ,  Su-hee Chae ,  Jun-youn Kim ,  Young-jo Tak

发明人： Jae-won Lee ,  Su-hee Chae ,  Jun-youn Kim ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L2933/0016

摘要： Example embodiments relate to a light emitting device and a method of fabricating the light emitting device. The light emitting device may include an n-type clad layer including a plurality of nitride semiconductor layers, at least one interlayer disposed between the plurality of nitride semiconductor layers, a via hole in which a first electrode is formed, a p-type clad layer, and an active layer between the n-type clad layer and the p-type clad layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及发光器件和制造发光器件的方法。 发光器件可以包括包括多个氮化物半导体层的n型覆盖层，设置在多个氮化物半导体层之间的至少一个中间层，形成有第一电极的通孔，p型覆盖层 ，以及n型覆盖层和p型覆盖层之间的有源层。

公开(公告)号：US20110127489A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12801268

申请日：2010-06-01

申请人： Jae-won Lee ,  Su-hee Chae ,  Jun-youn Kim ,  Young-jo Tak

发明人： Jae-won Lee ,  Su-hee Chae ,  Jun-youn Kim ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/36

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L2933/0016

摘要： Example embodiments relate to a light emitting device and a method of fabricating the light emitting device. The light emitting device may include an n-type clad layer including a plurality of nitride semiconductor layers, at least one interlayer disposed between the plurality of nitride semiconductor layers, a via hole in which a first electrode is formed, a p-type clad layer, and an active layer between the n-type clad layer and the p-type clad layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及发光器件和制造发光器件的方法。 发光器件可以包括包括多个氮化物半导体层的n型覆盖层，设置在多个氮化物半导体层之间的至少一个中间层，形成有第一电极的通孔，p型覆盖层 ，以及n型覆盖层和p型覆盖层之间的有源层。

公开(公告)号：US08592839B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US12926854

申请日：2010-12-14

申请人： Hyung-su Jeong ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee

发明人： Hyung-su Jeong ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee

IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L33/00 ,  H01L29/207

CPC分类号： H01L33/0025 ,  H01L27/156 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

摘要： Example embodiments are directed to a light-emitting device including a patterned emitting unit and a method of manufacturing the light-emitting device. The light-emitting device includes a first electrode on a top of a semiconductor layer, and a second electrode on a bottom of the semiconductor layer, wherein the semiconductor layer is a pattern array formed of a plurality of stacks. A space between the plurality of stacks is filled with an insulating layer, and the first electrode is on the insulating layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及包括图案化发光单元的发光器件和制造发光器件的方法。 发光器件包括在半导体层的顶部上的第一电极和在半导体层的底部上的第二电极，其中半导体层是由多个堆叠形成的图案阵列。 多个堆叠之间的空间填充有绝缘层，并且第一电极在绝缘层上。

公开(公告)号：US09337381B2

公开(公告)日：2016-05-10

申请号：US14484456

申请日：2014-09-12

申请人： Jun-youn Kim ,  Young-jo Tak ,  Jae-kyun Kim ,  Joo-sung Kim ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae

发明人： Jun-youn Kim ,  Young-jo Tak ,  Jae-kyun Kim ,  Joo-sung Kim ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L21/02 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/0025 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： A semiconductor buffer structure includes a silicon substrate, a nucleation layer formed on the silicon substrate, and a buffer layer formed on the nucleation layer. The buffer layer includes a first layer formed of a nitride semiconductor material having a uniform composition rate, a second layer formed of the same material as the nucleation layer on the first layer, and a third layer formed of the same material with the same composition ratio as the first layer on the second layer.

摘要翻译： 半导体缓冲结构包括硅衬底，形成在硅衬底上的成核层和形成在成核层上的缓冲层。 缓冲层包括由具有均匀组成比的氮化物半导体材料形成的第一层，由与第一层上的成核层相同的材料形成的第二层和由相同组成比的相同材料形成的第三层 作为第二层的第一层。

公开(公告)号：US20120153261A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US13157681

申请日：2011-06-10

申请人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Example embodiments relate to a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device. The semiconductor device may include a pre-seeding layer and a nucleation layer. The pre-seeding layer may include a first material for pre-seeding and a second material for masking so as to reduce tensile stress.

摘要翻译： 示例实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件可以包括预接种层和成核层。 预播种层可以包括用于预播种的第一材料和用于掩蔽的第二材料，以便降低拉伸应力。

公开(公告)号：US08541771B2

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：US13157681

申请日：2011-06-10

申请人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Example embodiments relate to a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device. The semiconductor device may include a pre-seeding layer and a nucleation layer. The pre-seeding layer may include a first material for pre-seeding and a second material for masking so as to reduce tensile stress.

摘要翻译： 示例实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。 半导体器件可以包括预接种层和成核层。 预播种层可以包括用于预播种的第一材料和用于掩蔽的第二材料，以便降低拉伸应力。

公开(公告)号：US20120007143A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US12983414

申请日：2011-01-03

申请人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02658 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/32341

摘要： A substrate structure and method of manufacturing the same are disclosed. The substrate structure may includes a substrate on which a plurality of protrusions are formed on one surface thereof and a plurality of buffer layers formed according to a predetermined pattern and formed spaced apart from each other on the plurality of protrusions.

摘要翻译： 公开了一种基板结构及其制造方法。 基板结构可以包括在其一个表面上形成有多个突起的基板和根据预定图案形成并且在多个突起上彼此间隔开地形成的多个缓冲层。

公开(公告)号：US08643059B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US12983414

申请日：2011-01-03

申请人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

发明人： Jun-youn Kim ,  Su-hee Chae ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02658 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/32341

摘要： A substrate structure and method of manufacturing the same are disclosed. The substrate structure may includes a substrate on which a plurality of protrusions are formed on one surface thereof and a plurality of buffer layers formed according to a predetermined pattern and formed spaced apart from each other on the plurality of protrusions.

摘要翻译： 公开了一种基板结构及其制造方法。 基板结构可以包括在其一个表面上形成有多个突起的基板和根据预定图案形成并且在多个突起上彼此间隔开地形成的多个缓冲层。