公开(公告)号：US20100148195A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12710181

申请日：2010-02-22

申请人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hiroshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hiroshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L29/205

CPC分类号： H01L21/02433 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地将基板，基板加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基板，在加热的基板上沉积In x Ga 1-x N成核层，沉积半极性氮化物 半导体薄膜在InxGa1-xN成核层上，并在氮气过压下冷却衬底。

公开(公告)号：US08110482B2

公开(公告)日：2012-02-07

申请号：US12710181

申请日：2010-02-22

申请人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02433 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地将基板，基板加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基板，在加热的基板上沉积In x Ga 1-x N成核层，沉积半极性氮化物 半导体薄膜在InxGa1-xN成核层上，并在氮气过压下冷却衬底。

公开(公告)号：US08368179B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US13311986

申请日：2011-12-06

申请人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/20

CPC分类号： H01L21/02433 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地将基板，基板加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基板，在加热的基板上沉积In x Ga 1-x N成核层，沉积半极性氮化物 半导体薄膜在InxGa1-xN成核层上，并在氮气过压下冷却衬底。

公开(公告)号：US20140183579A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：US13732532

申请日：2013-01-02

申请人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/18 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L33/16

摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地将基板，基板加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基板，在加热的基板上沉积In x Ga 1-x N成核层，沉积半极性氮化物 半导体薄膜在InxGa1-xN成核层上，并在氮气过压下冷却衬底。

公开(公告)号：US20120074525A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13311986

申请日：2011-12-06

申请人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L33/16

CPC分类号： H01L21/02433 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地将基板，基板加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基板，在加热的基板上沉积In x Ga 1-x N成核层，沉积半极性氮化物 半导体薄膜在InxGa1-xN成核层上，并在氮气过压下冷却衬底。

公开(公告)号：US07691658B2

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US11655573

申请日：2007-01-19

申请人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L21/02433 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1−xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1−xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地将基板，基板加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基板，在加热的基板上沉积In x Ga 1-x N成核层，沉积半极性氮化物 半导体薄膜在InxGa1-xN成核层上，并在氮气过压下冷却衬底。

公开(公告)号：US20070218703A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11655573

申请日：2007-01-19

申请人： John Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin Haskell ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin Haskell ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/31 ,  B05D3/12 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02433 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地对基片进行杂交，将基底加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基底，沉积In x 在加热的衬底上的N-X成核层，在In N x Ga 1-x N成核层上沉积半极性氮化物半导体薄膜，并冷却 底物在氮气过压下。

公开(公告)号：US08682657B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13107070

申请日：2011-05-13

申请人： Ji-Hyuk Lim ,  Jang-Young Ryu ,  Dong-Seon Lee

发明人： Ji-Hyuk Lim ,  Jang-Young Ryu ,  Dong-Seon Lee

IPC分类号： G10L21/02

CPC分类号： H04M9/08 ,  G10L21/0364 ,  G10L2021/02165

摘要： An apparatus and a method for improving communication sound quality in a mobile terminal in order to remove a neighboring noise that occurs together with a user's voice signal in a mobile terminal by discriminating signals occurring at different distances using two microphones and removing a noise. The mobile terminal preferably includes a first microphone, a second microphone, and a voice processor. The first microphone receives a voice signal occurring at a closer distance from the mobile terminal and a voice signal occurring at a longer distance from the mobile terminal. The second microphone receives only a voice signal occurring at the long distance. The voice processor discriminates between the signal occurring at the long distance and the signal occurring at the close distance by receiving voice signals received via the first microphone and the second microphone at different phases.

摘要翻译： 一种用于改善移动终端中的通信音质的装置和方法，以便通过使用两个麦克风识别在不同距离处发生的信号并消除噪声来消除与移动终端中的用户语音信号一起出现的相邻噪声。 移动终端优选地包括第一麦克风，第二麦克风和语音处理器。 第一麦克风接收在距离移动终端更近距离处发生的语音信号，以及距离移动终端更远的距离发生的语音信号。 第二麦克风仅接收长距离发生的语音信号。 语音处理器通过接收经由第一麦克风和第二麦克风在不同相位接收的语音信号来鉴别在长距离发生的信号和在近距离发生的信号。

公开(公告)号：US06972516B2

公开(公告)日：2005-12-06

申请号：US10172294

申请日：2002-06-14

申请人： Andrew J. Steckl ,  Dong-Seon Lee

发明人： Andrew J. Steckl ,  Dong-Seon Lee

IPC分类号： C09K11/08 ,  C09K11/77 ,  H01J1/63 ,  H05B33/14 ,  H01J1/62 ,  H01J63/04

CPC分类号： H05B33/14 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7743 ,  H01J1/63

摘要： An electroluminescent device in which the intensity of the light emission is enhanced by photopumping with radiation from a radiation source of a suitable photon energy. The photopumping radiation from the radiation source interacts with the wide band-gap semiconductor forming the electroluminescent device so as to, when the device is electrically biased to provide light emission, generate additional carriers that enhance the intensity of the light emission from a light-emitting element present in the wide band-gap semiconductor. A waveguide structure may be integrated into a substrate carrying the electroluminescent device for transferring the radiation from the radiation source to the electroluminescent device. Multiple electroluminescent devices may be arranged in pixels for forming a flat panel display in which certain of the devices are photopumped with radiation.

摘要翻译： 一种电致发光器件，其中通过用来自适当光子能量的辐射源的辐射进行光吸收来增强发光强度。 来自辐射源的光吸收辐射与形成电致发光器件的宽带隙半导体相互作用，以便当器件被电偏置以提供光发射时，产生附加的载流子，其增强发光的发光强度 存在于宽带隙半导体中的元素。 波导结构可以集成到承载电致发光器件的衬底中，用于将辐射从辐射源传送到电致发光器件。 多个电致发光器件可以以像素布置以形成其中某些器件用辐射照射的平板显示器。

公开(公告)号：US5585210A

公开(公告)日：1996-12-17

申请号：US536122

申请日：1995-09-29

申请人： Dong-Seon Lee ,  Chang-Jin Sohn ,  Woo-Sung Han ,  Gee-Hoo Kim

发明人： Dong-Seon Lee ,  Chang-Jin Sohn ,  Woo-Sung Han ,  Gee-Hoo Kim

IPC分类号： G03F1/70 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F7/70433 ,  G03F1/36

摘要： A mask pattern for manufacturing a resist pattern of a semiconductor device through photolithography is provided with an additional mask pattern whose size is such that resist patterns are not formed after exposure on the spaces thereof. Using such a mask pattern, a manufacturing method of fine patterns enables the formation of specific patterns having an improved profile.

摘要翻译： 通过光刻制造半导体器件的抗蚀剂图案的掩模图案设置有附加的掩模图案，其尺寸使得在其空间上曝光之后不形成抗蚀剂图案。 使用这种掩模图案，精细图案的制造方法能够形成具有改进的轮廓的特定图案。