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    Low operating current and low noise semiconductor laser device for optical disk memories
    3.
    发明授权
    Low operating current and low noise semiconductor laser device for optical disk memories 失效
    用于光盘存储器的低工作电流和低噪声半导体激光器件

    公开(公告)号：US5386429A

    公开(公告)日：1995-01-31

    申请号：US40655

    申请日：1993-03-31

    申请人： Hiroki Naito ,  Masahiro Kume ,  Hideyuki Sugiura ,  Toru Takayama ,  Kunio Itoh ,  Issei Ohta ,  Hirokazu Shimizu

    发明人： Hiroki Naito ,  Masahiro Kume ,  Hideyuki Sugiura ,  Toru Takayama ,  Kunio Itoh ,  Issei Ohta ,  Hirokazu Shimizu

    IPC分类号： H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/32 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S3/19

    CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2013 ,  H01S5/221 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/32308 ,  H01S5/3432

    摘要： A semiconductor laser device suitable as a light source for an optical disk may be operated at a low operating current with low noise for the 780 nm band. The device comprises: a certain conduction type Ga.sub.1-Y1 Al.sub.Y1 As first light guide layer, a Ga.sub.1-Y2 Al.sub.Y2 As second light guide layer of said certain conduction type, or an In.sub.0.5 Ga.sub.0.5 P or an In.sub.0.5 (GaAl).sub.0.5 P or an InGaAsP second light guide layer, successively formed one upon another at least in one side of the principal plane of an active layer; an opposite conduction type Ga.sub.1-Z Al.sub.Z As current blocking layer formed on the second light guide layer and provided with a stripe-like window; and a Ga.sub.1-Y3 Al.sub.Y3 As cladding layer of the same conduction type as the light guide layers formed on the stripe-like window. The relations of Z>Y3>Y2 and Y1>Y2 define the AlAs mole fractions.

    摘要翻译： 适合作为光盘的光源的半导体激光器装置可以在780nm波段的低噪声的低工作电流下工作。 该装置包括：一定导电型Ga1-Y1AlY1As第一导光层，具有所述一定导电类型的Ga1-Y2AlY2As第二导光层，或In0.5Ga0.5P或In0.5（GaAl）0.5P或InGaAsP 第二导光层，在有源层的主平面的至少一个侧面依次形成; 形成在第二导光层上并具有条状窗的相反导电型Ga1-ZAlZAs电流阻挡层; 以及与形成在条状窗上的导光层相同的导电类型的Ga1-Y3AlY3As包覆层。 Z> Y3> Y2和Y1> Y2的关系定义了AlAs摩尔分数。

    Acryl rubber foaming compositions and foamed acryl rubber
    6.
    发明授权
    Acryl rubber foaming compositions and foamed acryl rubber 失效
    丙烯酸橡胶发泡组合物和发泡丙烯酸橡胶

    公开(公告)号：US4952609A

    公开(公告)日：1990-08-28

    申请号：US476595

    申请日：1990-02-07

    申请人： Motoo Fukushima ,  Masaharu Takahashi ,  Kunio Itoh

    发明人： Motoo Fukushima ,  Masaharu Takahashi ,  Kunio Itoh

    IPC分类号： C08J9/06 ,  C08J9/10

    CPC分类号： C08J9/10 ,  C08J2333/04

    摘要： Acryl rubber foaming compositions comprising (A) an acrylic polymer prepared by copolymerizing an acrylate or methacrylate with a monomer having at least two aliphatic unsaturated bonds per molecule, (B) a pyrolytic organic foaming agent, and (C) an organic peroxide can be molded, cured and foamed into acryl rubber foams having improved heat insulation, heat resistance, weatherability, crack resistance, and oil resistance without a need for sulfur vulcanizer.

    摘要翻译： 丙烯酸酯橡胶发泡组合物，其包含（A）通过使丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯与每分子具有至少两个脂肪族不饱和键的单体（B）热解有机发泡剂和（C）有机过氧化物共聚而制备的丙烯酸类聚合物， 固化并发泡成具有改善的隔热性，耐热性，耐候性，抗裂性和耐油性的丙烯酸橡胶泡沫，而不需要硫硫化剂。

    Method of manufacturing semiconductor device
    8.
    发明授权
    Method of manufacturing semiconductor device 失效
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US4675074A

    公开(公告)日：1987-06-23

    申请号：US761023

    申请日：1985-07-31

    申请人： Masaru Wada ,  Hirokazu Shimizu ,  Takao Shibutani ,  Kunio Itoh ,  Ken Hamada ,  Iwao Teramoto

    发明人： Masaru Wada ,  Hirokazu Shimizu ,  Takao Shibutani ,  Kunio Itoh ,  Ken Hamada ,  Iwao Teramoto

    IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L33/00 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/323 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

    CPC分类号： H01S5/2232 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30617 ,  H01L33/0062 ,  H01S5/32308 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/32316

    摘要： The invention provides a chemical etching method for a semiconductor device, which comprises a step of forming a first layer of Ga.sub.1-x Al.sub.x As (0.ltoreq.x . The slope angle of etch face of the second layer depends on the mol fraction y of the second layer, and the slope angle of etch face of the first layer depends on the mol fraction y of the second layer and the mol fraction x of the first layer. These facts are best utilized in the invention so that the etch profile of the first layer may have a desired slope angle. By utilizing this chemical etching method it is possible to produce by chemical etching a semiconductor laser having a flat cavity facet perpendicular to a junction; it is also possible to provide an inner stripe type semiconductor laser having grooves whose side walls are perpendicular.

    摘要翻译： 本发明提供一种用于半导体器件的化学蚀刻方法，其包括形成具有表面（100）的第一层Ga 1-x Al x As（0 的方向化学蚀刻所述层的步骤。 第二层的蚀刻面的倾斜角取决于第二层的摩尔分数y，第一层的蚀刻面的倾斜角取决于第二层的摩尔分数y和第一层的摩尔分数x 层。 这些事实在本发明中最好地利用，使得第一层的蚀刻轮廓可以具有期望的倾斜角。 通过利用这种化学蚀刻方法，可以通过化学蚀刻具有垂直于结的平坦腔面的半导体激光器来制造; 也可以提供具有侧壁垂直的槽的内条型半导体激光器。

    Semiconductor laser
    9.
    发明授权
    Semiconductor laser 失效
    半导体激光器

    公开(公告)号：US4651322A

    公开(公告)日：1987-03-17

    申请号：US754195

    申请日：1985-07-10

    申请人： Hirokazu Shimizu ,  Kunio Itoh ,  Takashi Sugino ,  Masaru Wada ,  Iwao Teramoto ,  Kazuo Fujimoto

    发明人： Hirokazu Shimizu ,  Kunio Itoh ,  Takashi Sugino ,  Masaru Wada ,  Iwao Teramoto ,  Kazuo Fujimoto

    IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/223 ,  H01S3/19

    CPC分类号： H01S5/2238 ,  H01S5/028

    摘要： In a laser of such type that the distribution of the effective refractive index varies in a direction which is along the face of its active layer and perpendicular to the direction of the laser light transmission, thereby defining the active region to be between a pair of refractive index changing zones, the refractive indexes of a pair of end surfaces of a laser resonator (i.e. the active region) is made smaller than the intrinsic refractive indexes of the cleavage face of the active layer.

    摘要翻译： 在这种类型的激光器中，有效折射率的分布沿着其有源层的面并且垂直于激光传输的方向的方向变化，从而将有源区域限定在一对折射率 折射率变化区域，使激光谐振器（即有源区域）的一对端面的折射率小于有源层的解理面的固有折射率。

    Terraced substrate semiconductor laser
    10.
    发明授权
    Terraced substrate semiconductor laser 失效
    梯形衬底半导体激光器

    公开(公告)号：US4488306A

    公开(公告)日：1984-12-11

    申请号：US358104

    申请日：1982-03-15

    申请人： Takashi Sugino ,  Kunio Itoh ,  Masaru Wada ,  Hirokazu Shimizu ,  Hiroyuki Mizuno ,  Kazuo Fujimoto

    发明人： Takashi Sugino ,  Kunio Itoh ,  Masaru Wada ,  Hirokazu Shimizu ,  Hiroyuki Mizuno ,  Kazuo Fujimoto

    IPC分类号： H01L21/208 ,  H01S5/00 ,  H01S5/024 ,  H01S5/223 ,  H01S3/19

    CPC分类号： H01S5/2238 ,  H01S5/024 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/3203

    摘要： In a semiconductor laser of terraced substrate type, comprising on a terraced substrate (11) of n-GaAs substrate, a first clad layer (12) of n-GaAlAs, an active layer (13) of non-doped GaAlAs, a second clad layer (14) of p-GaAlAs and a current limiting layer (15) of n-GaAs, and further thereon a thick overriding layer (19) of n-GaAlAs with strip shaped opening (191), are epitaxially formed, and a current injection layer (16) is formed by Zn diffusion through the opening (191) in a manner one corner (161) of the injection front penetrate the current limiting layer (15) and reaches the second clad layer (14). By means of thick overriding layer (19), shortcircuiting between the active layer (13) and a p-side electrode (7) is prevented.

    摘要翻译： 在梯形衬底类型的半导体激光器中，包括在n-GaAs衬底的梯形衬底（11）上，n-GaAlAs的第一覆盖层（12），非掺杂GaAlAs的有源层（13），第二覆层 p-GaAlAs的层（14）和n-GaAs的限流层（15），并且还具有带条形开口（191）的n-GaAlAs厚的覆盖层（19），外延形成电流 注入层（16）以注入前沿的一个角部（161）穿过开口（191）的Zn扩散形成，穿过限流层（15）并到达第二覆层（14）。 通过厚覆盖层（19），防止有源层（13）和p侧电极（7）之间的短路。