公开(公告)号：US20070037349A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11526788

申请日：2006-09-25

申请人： Martin Gutsche ,  Harald Seidl ,  Peter Moll

发明人： Martin Gutsche ,  Harald Seidl ,  Peter Moll

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L27/1085

摘要： To form a semiconductor device, a plurality of upwardly extending conductors can be formed. The conductors extend outward from a surface of a semiconductor body, adjacent ones of the conductors being separated from each other by a separating material. At least one support structure is formed between adjacent ones of the upwardly extending conductors. The support structure is formed of a material different than the separating material. The separating material can be removed and further processing can be performed on the semiconductor device.

摘要翻译： 为了形成半导体器件，可以形成多个向上延伸的导体。 导体从半导体本体的表面向外延伸，相邻的导体通过分离材料相互分离。 在相邻的向上延伸的导体之间形成至少一个支撑结构。 支撑结构由与分离材料不同的材料形成。 可以去除分离材料并且可以在半导体器件上进行进一步的处理。

公开(公告)号：US07456461B2

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：US11112940

申请日：2005-04-22

申请人： Martin Gutsche ,  Harald Seidl ,  Peter Moll

发明人： Martin Gutsche ,  Harald Seidl ,  Peter Moll

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L27/10817 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/90

摘要： The present invention relates to a stacked capacitor array and a fabrication method for a stacked capacitor array having a multiplicity of stacked capacitors, an insulator keeping at least two adjacent stacked capacitors mutually spaced apart, so that no electrical contact can arise between them and the stacked capacitors are mechanically stabilized.

摘要翻译： 本发明涉及叠层电容器阵列和叠层电容器阵列的制造方法，所述层叠电容器阵列具有多个层叠的电容器，绝缘体保持至少两个彼此间隔开的相邻叠层电容器，使得它们之间不会发生电接触， 电容器机械稳定。

公开(公告)号：US06774005B2

公开(公告)日：2004-08-10

申请号：US10206303

申请日：2002-07-26

申请人： Martin Gutsche ,  Peter Moll ,  Bernhard Sell ,  Annette Sänger ,  Harald Seidl

发明人： Martin Gutsche ,  Peter Moll ,  Bernhard Sell ,  Annette Sänger ,  Harald Seidl

IPC分类号： H01L218242

CPC分类号： H01L27/10861 ,  C23C16/32 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

摘要： At least a partial layer of an upper capacitor electrode is formed by metal carbide, preferably by a transition metal carbide. In one embodiment, the metal carbide layer is formed by depositing an alternating sequence of metal-containing layers and carbon-containing layers on top of one another and then subjecting them to a heat treatment, in such a manner that they mix with one another. The patterning of the layer sequence can be carried out before the carbide formation step.

摘要翻译： 上部电容器电极的至少一部分层由金属碳化物形成，优选由过渡金属碳化物形成。 在一个实施方案中，金属碳化物层通过在彼此顶部沉积含金属层和含碳层的交替序列形成，然后使它们以彼此混合的方式进行热处理。 层序列的图案化可以在碳化物形成步骤之前进行。

公开(公告)号：US07544562B2

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：US11489052

申请日：2006-07-19

申请人： Peter Moll ,  Odo Wunnicke

发明人： Peter Moll ,  Odo Wunnicke

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01G4/005 ,  H01G4/33 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/60

摘要： A method for manufacturing a capacitor electrode structure, according to which the following steps are executed: A substrate is provided, which comprises contact pads arranged in lines and rows on a surface of the substrate. The lines are non-parallel to the rows. A first mold is applied on the substrate. At least one first trench is formed into the first mold above the contact pads. The first trench spans over at least two contact pads arranged in one row. A first dielectric layer is applied on side walls of the at least one first trench for forming first supporting walls. A second mold is applied on the substrate. At least one second trench is formed into the second mold above the contact pads. The second trench spans over at least two contact pads arranged in one line. A second dielectric layer is applied on side walls of the at least one second trench for forming second supporting walls. And a conductive layer is applied on the first and second supporting walls for forming a first electrode of the capacitor structure.

摘要翻译： 一种用于制造电容器电极结构的方法，根据该方法执行以下步骤：提供基板，其包括在所述基板的表面上以行和行排列的接触焊盘。 线条与行不平行。 将第一模具施加在基板上。 在接触垫上方的第一模具中形成至少一个第一沟槽。 第一沟槽跨越排列成一行的至少两个接触垫。 第一电介质层被施加在用于形成第一支撑壁的至少一个第一沟槽的侧壁上。 在基板上施加第二模具。 在接触垫上方的第二模具中形成至少一个第二沟槽。 第二沟槽跨越排列成一行的至少两个接触垫。 第二介电层施加在至少一个第二沟槽的侧壁上，用于形成第二支撑壁。 并且在第一和第二支撑壁上施加导电层以形成电容器结构的第一电极。

公开(公告)号：US20070059893A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：US11518504

申请日：2006-09-07

申请人： Stephan Kudelka ,  Peter Moll ,  Stefan Jakschik ,  Odo Wunnicke

发明人： Stephan Kudelka ,  Peter Moll ,  Stefan Jakschik ,  Odo Wunnicke

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852

摘要： A method produces stacked capacitors for dynamic memory cells, in which a number of trenches (48) are formed in the masking layer (40), each trench (48) being arranged above a respective contact plug (26) and extending from the top (42) of the masking layer (40) to the contact plugs (26). A conductive layer (50) covers the side walls (49) of the trenches (48) and the contact plugs (26) in order to form a first electrode (60) of a stacked capacitor (12). In an upper region (63), which is remote from the contact stack (26), the conductive layer (50) is replaced by an insulating layer, so that it is not possible for a short circuit to arise in the event of any adhesion between adjacent electrodes.

摘要翻译： 一种方法产生用于动态存储单元的堆叠电容器，其中在掩模层（40）中形成有多个沟槽（48），每个沟槽（48）布置在相应的接触插塞（26）的上方并从顶部 屏蔽层（40）的至少部分（42）连接到接触插塞（26）。 为了形成叠层电容器（12）的第一电极（60），导电层（50）覆盖沟槽（48）的侧壁（49）和接触插塞（26）。 在远离接触堆叠（26）的上部区域（63）中，导电层（50）由绝缘层代替，使得在任何粘附的情况下不可能出现短路 在相邻电极之间。

公开(公告)号：US20060079049A1

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：US11223800

申请日：2005-09-09

申请人： Srivatsa Kundalgurki ,  Peter Moll ,  Dirk Manger ,  Kristin Schupke ,  Till Schloesser

发明人： Srivatsa Kundalgurki ,  Peter Moll ,  Dirk Manger ,  Kristin Schupke ,  Till Schloesser

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852

摘要： In a method for fabricating a capacitor that includes an electrode structure (80), an auxiliary layer (40) is formed over a substrate (10). A recess (60), which determines the shape of the electrode structure (80), is etched into the auxiliary layer (40), and the electrode structure of the capacitor is formed in the recess. As an example, the auxiliary layer can be a semiconductor layer (40).

摘要翻译： 在制造包括电极结构（80）的电容器的方法中，辅助层（40）形成在衬底（10）上。 确定电极结构（80）的形状的凹部（60）被蚀刻到辅助层（40）中，电容器的电极结构形成在凹部中。 作为示例，辅助层可以是半导体层（40）。

公开(公告)号：US07413951B2

公开(公告)日：2008-08-19

申请号：US11518504

申请日：2006-09-07

申请人： Stephan Kudelka ,  Peter Moll ,  Stefan Jakschik ,  Odo Wunnicke

发明人： Stephan Kudelka ,  Peter Moll ,  Stefan Jakschik ,  Odo Wunnicke

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852

摘要： A method produces stacked capacitors for dynamic memory cells, in which a number of trenches (48) are formed in the masking layer (40), each trench (48) being arranged above a respective contact plug (26) and extending from the top (42) of the masking layer (40) to the contact plugs (26). A conductive layer (50) covers the side walls (49) of the trenches (48) and the contact plugs (26) in order to form a first electrode (60) of a stacked capacitor (12). In an upper region (63), which is remote from the contact stack (26), the conductive layer (50) is replaced by an insulating layer, so that it is not possible for a short circuit to arise in the event of any adhesion between adjacent electrodes.

摘要翻译： 一种方法产生用于动态存储单元的堆叠电容器，其中在掩模层（40）中形成有多个沟槽（48），每个沟槽（48）布置在相应的接触插塞（26）的上方并从顶部 屏蔽层（40）的至少部分（42）连接到接触插塞（26）。 为了形成叠层电容器（12）的第一电极（60），导电层（50）覆盖沟槽（48）的侧壁（49）和接触插塞（26）。 在远离接触堆叠（26）的上部区域（63）中，导电层（50）由绝缘层代替，使得在任何粘附的情况下不可能出现短路 在相邻电极之间。

公开(公告)号：US20080006863A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：US11489052

申请日：2006-07-19

申请人： Peter Moll ,  Odo Wunnicke

发明人： Peter Moll ,  Odo Wunnicke

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01G4/005 ,  H01G4/33 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/60

摘要： A method for manufacturing a capacitor electrode structure, according to which the following steps are executed: A substrate is provided, which comprises contact pads arranged in lines and rows on a surface of the substrate. The lines are non-parallel to the rows. A first mold is applied on the substrate. At least one first trench is formed into the first mold above the contact pads. The first trench spans over at least two contact pads arranged in one row. A first dielectric layer is applied on side walls of the at least one first trench for forming first supporting walls. A second mold is applied on the substrate. At least one second trench is formed into the second mold above the contact pads. The second trench spans over at least two contact pads arranged in one line. A second dielectric layer is applied on side walls of the at least one second trench for forming second supporting walls. And a conductive layer is applied on the first and second supporting walls for forming a first electrode of the capacitor structure.

摘要翻译： 一种用于制造电容器电极结构的方法，根据该方法执行以下步骤：提供基板，其包括在所述基板的表面上以行和行排列的接触焊盘。 线条与行不平行。 将第一模具施加在基板上。 在接触垫上方的第一模具中形成至少一个第一沟槽。 第一沟槽跨越排列成一行的至少两个接触垫。 第一电介质层被施加在用于形成第一支撑壁的至少一个第一沟槽的侧壁上。 在基板上施加第二个模具。 在接触垫上方的第二模具中形成至少一个第二沟槽。 第二沟槽跨越排列成一行的至少两个接触垫。 第二介电层施加在至少一个第二沟槽的侧壁上，用于形成第二支撑壁。 并且在第一和第二支撑壁上施加导电层以形成电容器结构的第一电极。

公开(公告)号：US20080003740A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11477581

申请日：2006-06-29

申请人： Odo Wunnicke ,  Peter Moll ,  Kristin Schupke

发明人： Odo Wunnicke ,  Peter Moll ,  Kristin Schupke

IPC分类号： H01L21/8244

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10852

摘要： A method for forming a capacitor structure, according to which the following consecutive steps are executed: providing a substrate having on its surface contact pads and a dielectric mold provided with at least one trench leaving exposed the contact pads; forming a first conductive layer on side walls of the trench in a top region of the trench the conductive layer being without contact to the contact pads;depositing a first dielectric layer; depositing a second conductive layer on the contact pad and on the side walls of the trench; depositing a second dielectric layer; depositing a third conductive layer; and forming a vertical plug interconnecting the first conductive layer and the third conductive layer.

摘要翻译： 一种用于形成电容器结构的方法，根据该方法执行以下连续步骤：提供在其表面上具有接触焊盘的基板和设置有至少一个沟槽的介电模，留下暴露的接触焊盘; 在所述沟槽的顶部区域中在所述沟槽的侧壁上形成第一导电层，所述导电层不与所述接触焊盘接触; 沉积第一介电层; 在所述接触焊盘和所述沟槽的侧壁上沉积第二导电层; 沉积第二电介质层; 沉积第三导电层; 以及形成互连所述第一导电层和所述第三导电层的垂直插头。

公开(公告)号：US20070170487A1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：US11339744

申请日：2006-01-25

申请人： Johannes Heitmann ,  Peter Moll ,  Odo Wunnicke ,  Till Schloesser

发明人： Johannes Heitmann ,  Peter Moll ,  Odo Wunnicke ,  Till Schloesser

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852

摘要： A capacitor for a dynamic semiconductor memory cell, a memory and method of making a memory is disclosed. In one embodiment, a storage electrode of the capacitor has a pad-shaped lower section and a cup-shaped upper section, which is placed on top of the lower section. A lower section of a backside electrode encloses the pad-shaped section of the storage electrode. An upper section of the backside electrode is enclosed by the cup-shaped upper section of the storage electrode. A first capacitor dielectric separates the lower sections of the backside and the storage electrodes. A second capacitor dielectric separates the upper sections of the backside and the storage electrodes. The electrode area of the capacitor is enlarged while the requirements for the deposition of the capacitor dielectric are relaxed. Aspect ratios for deposition and etching processes are reduced.

摘要翻译： 公开了用于动态半导体存储器单元的电容器，存储器和制造存储器的方法。 在一个实施例中，电容器的存储电极具有衬垫形下部和杯形上部，其放置在下部的顶部。 背面电极的下部包围存储电极的垫状部分。 背面电极的上部被储存电极的杯状上部包围。 第一电容器介质分离背面的下部和存储电极。 第二电容器电介质将背面的上部和存储电极分开。 电容器的电极面积被放大，而电容器电介质沉积的要求被放宽。 降低沉积和蚀刻工艺的长宽比。