公开(公告)号：US07071093B2

公开(公告)日：2006-07-04

申请号：US10810970

申请日：2004-03-26

申请人： Mong-Song Liang ,  Yung-Cheng Lu ,  Huilin Chang

发明人： Mong-Song Liang ,  Yung-Cheng Lu ,  Huilin Chang

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76826 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828

摘要： An integrated method comprises providing a low dielectric material, applying a first treatment altering a first property of the low dielectric material, and applying a second treatment altering a second property of the treated low dielectric material and producing a lower dielectric material with better mechanical stability.

摘要翻译： 集成方法包括提供低电介质材料，施加改变低电介质材料的第一特性的第一处理，以及施加改变所处理的低电介质材料的第二特性并产生具有更好的机械稳定性的较低电介质材料的第二处理。

公开(公告)号：US20050215052A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US10810970

申请日：2004-03-26

申请人： Mong-Song Liang ,  Yung-Cheng Lu ,  Huilin Chang

发明人： Mong-Song Liang ,  Yung-Cheng Lu ,  Huilin Chang

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/44 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76826 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828

摘要： An integrated method comprises providing a low dielectric material, applying a first treatment altering a first property of the low dielectric material, and applying a second treatment altering a second property of the treated low dielectric material and producing a lower dielectric material with better mechanical stability.

摘要翻译： 集成方法包括提供低电介质材料，施加改变低电介质材料的第一特性的第一处理，以及施加改变所处理的低电介质材料的第二特性并产生具有更好的机械稳定性的较低电介质材料的第二处理。

公开(公告)号：US07253524B2

公开(公告)日：2007-08-07

申请号：US10797224

申请日：2004-03-10

申请人： Zhen-Cheng Wu ,  Tzu-Jen Chou ,  Weng Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang ,  Mong-Song Liang

发明人： Zhen-Cheng Wu ,  Tzu-Jen Chou ,  Weng Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang ,  Mong-Song Liang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/76835 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor substrate has a first copper layer, on which an etch stop layer and a dielectric layer are successively formed. A second copper layer penetrates the dielectric layer and the etch stop layer to electrically connect to the first metal layer. The etch stop layer has a dielectric constant smaller than 3.5, and the dielectric layer has a dielectric constant smaller than 3.0.

摘要翻译： 半导体衬底具有第一铜层，其上依次形成有蚀刻停止层和电介质层。 第二铜层穿透电介质层和蚀刻停止层以电连接到第一金属层。 蚀刻停止层的介电常数小于3.5，电介质层的介电常数小于3.0。

公开(公告)号：US20050110153A1

公开(公告)日：2005-05-26

申请号：US10797224

申请日：2004-03-10

申请人： Zhen-Cheng Wu ,  Tzu-Jen Chou ,  Weng Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang ,  Mong-Song Liang

发明人： Zhen-Cheng Wu ,  Tzu-Jen Chou ,  Weng Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang ,  Mong-Song Liang

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76835 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor substrate has a first copper layer, on which an etch stop layer and a dielectric layer are successively formed. A second copper layer penetrates the dielectric layer and the etch stop layer to electrically connect to the first metal layer. The etch stop layer has a dielectric constant smaller than 3.5, and the dielectric layer has a dielectric constant smaller than 3.0.

摘要翻译： 半导体衬底具有第一铜层，其上依次形成有蚀刻停止层和电介质层。 第二铜层穿透电介质层和蚀刻停止层以电连接到第一金属层。 蚀刻停止层的介电常数小于3.5，电介质层的介电常数小于3.0。

公开(公告)号：US20070080460A1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：US11246088

申请日：2005-10-11

申请人： Chen-Hua Yu ,  Shwang-Ming Jeng ,  Yung-Cheng Lu ,  Huilin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yichi Liao

发明人： Chen-Hua Yu ,  Shwang-Ming Jeng ,  Yung-Cheng Lu ,  Huilin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yichi Liao

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： B29C43/222 ,  A44B17/0029 ,  A44B17/0058 ,  B29C43/28 ,  B29C2793/009 ,  B29L2031/7282 ,  B29L2031/729 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/45099

摘要： Bond pads for semiconductor devices and method for fabricating the same are provided. A bond pad has a first passivation layer having a plurality of openings. A conductive layer which overlies the openings and portions of the first passivation layer, having a first portion overlying the first passivation layer and a second portion overlying the openings. A second passivation layer overlies the first passivation layer and covers edges of the conductive layer.

摘要翻译： 提供了用于半导体器件的接合焊盘及其制造方法。 接合焊盘具有具有多个开口的第一钝化层。 覆盖在开口和第一钝化层的部分上的导电层，其具有覆盖第一钝化层的第一部分和覆盖开口的第二部分。 第二钝化层覆盖在第一钝化层上并覆盖导电层的边缘。

公开(公告)号：US07646097B2

公开(公告)日：2010-01-12

申请号：US11246088

申请日：2005-10-11

申请人： Chen-Hua Yu ,  Shwang-Ming Jeng ,  Yung-Cheng Lu ,  Huilin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yichi Liao

发明人： Chen-Hua Yu ,  Shwang-Ming Jeng ,  Yung-Cheng Lu ,  Huilin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yichi Liao

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： B29C43/222 ,  A44B17/0029 ,  A44B17/0058 ,  B29C43/28 ,  B29C2793/009 ,  B29L2031/7282 ,  B29L2031/729 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/45099

摘要： Bond pads for semiconductor devices and method for fabricating the same are provided. A bond pad has a first passivation layer having a plurality of openings. A conductive layer which overlies the openings and portions of the first passivation layer, having a first portion overlying the first passivation layer and a second portion overlying the openings. A second passivation layer overlies the first passivation layer and covers edges of the conductive layer.

摘要翻译： 提供了用于半导体器件的接合焊盘及其制造方法。 接合焊盘具有具有多个开口的第一钝化层。 覆盖在开口和第一钝化层的部分上的导电层，其具有覆盖第一钝化层的第一部分和覆盖开口的第二部分。 第二钝化层覆盖在第一钝化层上并覆盖导电层的边缘。

公开(公告)号：US20080280449A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US11747105

申请日：2007-05-10

申请人： Huilin Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Huilin Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76883

摘要： A method of forming a dielectric layer includes providing a substrate that has a copper region and a non-copper region. The substrate is etched to remove any copper oxides from the copper region. A dielectric cap is then selectively formed over the copper region of the substrate so that little or no dielectric cap is formed over the non-copper region of the substrate.

摘要翻译： 形成电介质层的方法包括提供具有铜区域和非铜区域的衬底。 蚀刻衬底以从铜区域去除任何铜氧化物。 然后在衬底的铜区域上选择性地形成电介质盖，使得在衬底的非铜区域上形成很少或不存在电介质盖。

公开(公告)号：US08324731B2

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：US12591532

申请日：2009-11-23

申请人： Chen-Hua Yu ,  Shwang-Ming Jeng ,  Yung-Cheng Lu ,  Huilin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yichi Liao

发明人： Chen-Hua Yu ,  Shwang-Ming Jeng ,  Yung-Cheng Lu ,  Huilin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yichi Liao

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： B29C43/222 ,  A44B17/0029 ,  A44B17/0058 ,  B29C43/28 ,  B29C2793/009 ,  B29L2031/7282 ,  B29L2031/729 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/45099

摘要： An integrated circuit device having at least a bond pad for semiconductor devices and method for fabricating the same are provided. A bond pad has a first passivation layer having a plurality of openings. A conductive layer which overlies the openings and portions of the first passivation layer, having a first portion overlying the first passivation layer and a second portion overlying the openings. A second passivation layer overlies the first passivation layer and covers edges of the conductive layer.

摘要翻译： 提供了至少具有用于半导体器件的接合焊盘的集成电路器件及其制造方法。 接合焊盘具有具有多个开口的第一钝化层。 覆盖在开口和第一钝化层的部分上的导电层，其具有覆盖第一钝化层的第一部分和覆盖开口的第二部分。 第二钝化层覆盖在第一钝化层上并覆盖导电层的边缘。

公开(公告)号：US20100065969A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：US12591532

申请日：2009-11-23

申请人： Chen-Hua Yu ,  Shwang-Ming Jeng ,  Yung-Cheng Lu ,  Huilin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yichi Liao

发明人： Chen-Hua Yu ,  Shwang-Ming Jeng ,  Yung-Cheng Lu ,  Huilin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yichi Liao

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L23/48

CPC分类号： B29C43/222 ,  A44B17/0029 ,  A44B17/0058 ,  B29C43/28 ,  B29C2793/009 ,  B29L2031/7282 ,  B29L2031/729 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/45099

摘要： An integrated circuit device having at least a bond pad for semiconductor devices and method for fabricating the same are provided. A bond pad has a first passivation layer having a plurality of openings. A conductive layer which overlies the openings and portions of the first passivation layer, having a first portion overlying the first passivation layer and a second portion overlying the openings. A second passivation layer overlies the first passivation layer and covers edges of the conductive layer.

摘要翻译： 提供了至少具有用于半导体器件的接合焊盘的集成电路器件及其制造方法。 接合焊盘具有具有多个开口的第一钝化层。 覆盖在开口和第一钝化层的部分上的导电层，其具有覆盖第一钝化层的第一部分和覆盖开口的第二部分。 第二钝化层覆盖在第一钝化层上并覆盖导电层的边缘。

公开(公告)号：US09385034B2

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：US11786367

申请日：2007-04-11

申请人： Hui-Lin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yung-Cheng Lu

发明人： Hui-Lin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yung-Cheng Lu

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76883

摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor substrate; a dielectric layer over the semiconductor substrate; a conductive wiring in the dielectric layer; and a metal carbide cap layer over the conductive wiring.

摘要翻译： 集成电路结构包括半导体衬底; 半导体衬底上的电介质层; 电介质层中的导电布线; 以及导电布线上的金属碳化物盖层。