公开(公告)号：US20080280449A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US11747105

申请日：2007-05-10

申请人： Huilin Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Huilin Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76883

摘要： A method of forming a dielectric layer includes providing a substrate that has a copper region and a non-copper region. The substrate is etched to remove any copper oxides from the copper region. A dielectric cap is then selectively formed over the copper region of the substrate so that little or no dielectric cap is formed over the non-copper region of the substrate.

摘要翻译： 形成电介质层的方法包括提供具有铜区域和非铜区域的衬底。 蚀刻衬底以从铜区域去除任何铜氧化物。 然后在衬底的铜区域上选择性地形成电介质盖，使得在衬底的非铜区域上形成很少或不存在电介质盖。

公开(公告)号：US08330275B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US13290811

申请日：2011-11-07

申请人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53233 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A cap layer for a copper interconnect structure formed in a first dielectric layer is provided. In an embodiment, a conductive layer is located within a dielectric layer and a top surface of the conductive layer has either a recess, a convex surface, or is planar. An alloy layer overlies the conductive layer and is a silicide alloy having a first material from the conductive layer and a second material of germanium, arsenic, tungsten, or gallium.

摘要翻译： 提供了形成在第一介电层中的铜互连结构的盖层。 在一个实施例中，导电层位于电介质层内，并且导电层的顶表面具有凹陷，凸面或平面。 合金层覆盖在导电层上，并且是具有来自导电层的第一材料和锗，砷，钨或镓的第二材料的硅化物合金。

公开(公告)号：US20110027991A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12902877

申请日：2010-10-12

申请人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L21/443

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53233 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A cap layer for a copper interconnect structure formed in a first dielectric layer is provided. In an embodiment, the cap layer may be formed by an in-situ deposition process in which a process gas comprising germanium, arsenic, tungsten, or gallium is introduced, thereby forming a copper-metal cap layer. In another embodiment, a copper-metal silicide cap is provided. In this embodiment, silane is introduced before, during, or after a process gas is introduced, the process gas comprising germanium, arsenic, tungsten, or gallium. Thereafter, an optional etch stop layer may be formed, and a second dielectric layer may be formed over the etch stop layer or the first dielectric layer.

摘要翻译： 提供了形成在第一介电层中的铜互连结构的盖层。 在一个实施例中，盖层可以通过原位沉积工艺形成，其中引入包含锗，砷，钨或镓的工艺气体，从而形成铜 - 金属帽层。 在另一个实施例中，提供铜 - 金属硅化物帽。 在该实施方案中，在引入工艺气体之前，期间或之后引入硅烷，该工艺气体包括锗，砷，钨或镓。 此后，可以形成可选的蚀刻停止层，并且可以在蚀刻停止层或第一介电层上方形成第二介电层。

公开(公告)号：US20090152722A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US11959274

申请日：2007-12-18

申请人： Hui-Lin Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Hui-Lin Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming an integrated circuit structure, the method includes providing a semiconductor substrate; forming a dielectric layer over the semiconductor substrate; forming an opening in the dielectric layer; forming a seed layer in the opening; forming a copper line on the seed layer, wherein at least one of the seed layer and the copper line comprises an alloying material; and forming an etch stop layer on the copper line.

摘要翻译： 一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括提供半导体衬底; 在所述半导体衬底上形成介电层; 在介电层中形成开口; 在开口中形成种子层; 在种子层上形成铜线，其中籽晶层和铜线中的至少一个包括合金材料; 并在铜线上形成蚀刻停止层。

公开(公告)号：US07456093B2

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：US10884719

申请日：2004-07-03

申请人： Pi-Tsung Chen ,  Keng-Chu Lin ,  Hui-Lin Chang ,  Lih-Ping Li ,  Tien-I Bao ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Pi-Tsung Chen ,  Keng-Chu Lin ,  Hui-Lin Chang ,  Lih-Ping Li ,  Tien-I Bao ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L23/53295 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device with improved resistance to delamination and method for forming the same the method including providing a semiconductor wafer comprising a metallization layer with an uppermost etch stop layer; forming at least one adhesion promoting layer on the etch stop layer; and, forming an inter-metal dielectric (IMD) layer on the at least one adhesion promoting layer.

摘要翻译： 具有改进的分层耐受性的半导体器件及其形成方法包括提供包含具有最上蚀刻停止层的金属化层的半导体晶片的方法; 在所述蚀刻停止层上形成至少一个附着促进层; 以及在所述至少一个附着促进层上形成金属间电介质（IMD）层。

公开(公告)号：US20070264843A1

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：US11430623

申请日：2006-05-09

申请人： Lih-Ping Li ,  Yung-Cheng Lu ,  Tien-I. Bao ,  Syun-Ming Jang ,  Ying-Tsung Chen

发明人： Lih-Ping Li ,  Yung-Cheng Lu ,  Tien-I. Bao ,  Syun-Ming Jang ,  Ying-Tsung Chen

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/76829

摘要： A method for manufacturing an integrated circuit is provided. In one example, the method includes forming a substantially nitrogen-free silicon carbide layer over a substrate using a methyl silicate gas.

摘要翻译： 提供一种用于制造集成电路的方法。 在一个实例中，该方法包括使用甲基硅酸盐气体在基底上形成基本上无氮的碳化硅层。

公开(公告)号：US07056826B2

公开(公告)日：2006-06-06

申请号：US10337684

申请日：2003-01-07

申请人： Zhen-Cheng Wu ,  Yung-Cheng Lu ,  Ying-Tsung Chen ,  Syun-Ming Jang

发明人： Zhen-Cheng Wu ,  Yung-Cheng Lu ,  Ying-Tsung Chen ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming copper interconnects for an integrated circuit is provided. An antireflective coating layer is formed over an insulating layer formed over a semiconductor substrate. An interconnect pattern is patterned and etched into said insulating layer. A diffusion barrier layer is then conformally deposited in a deposition chamber along the etched interconnect pattern, wherein the antireflective coating is removed in said chamber before deposition of the barrier layer. Copper interconnects are then formed in the interconnect pattern etched in the insulating layer.

摘要翻译： 提供一种形成用于集成电路的铜互连的方法。 在半导体衬底上形成的绝缘层上形成抗反射涂层。 将互连图案图案化并蚀刻到所述绝缘层中。 然后沿着蚀刻的互连图案将扩散阻挡层共形沉积在沉积室中，其中在沉积阻挡层之前在所述室中去除抗反射涂层。 然后在绝缘层中蚀刻的互连图案中形成铜互连。

公开(公告)号：US20060003572A1

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：US10884719

申请日：2004-07-03

申请人： Pi-Tsung Chen ,  Keng-Chu Lin ,  Hui-Lin Chang ,  Lih-Ping Li ,  Tien-I Bao ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Pi-Tsung Chen ,  Keng-Chu Lin ,  Hui-Lin Chang ,  Lih-Ping Li ,  Tien-I Bao ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/53295 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device with improved resistance to delamination and method for forming the same the method including providing a semiconductor wafer comprising a metallization layer with an uppermost etch stop layer; forming at least one adhesion promoting layer on the etch stop layer; and, forming an inter-metal dielectric (IMD) layer on the at least one adhesion promoting layer.

摘要翻译： 具有改进的分层耐受性的半导体器件及其形成方法包括提供包含具有最上蚀刻停止层的金属化层的半导体晶片的方法; 在所述蚀刻停止层上形成至少一个附着促进层; 以及在所述至少一个附着促进层上形成金属间电介质（IMD）层。

公开(公告)号：US20120049371A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13290811

申请日：2011-11-07

申请人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L23/532

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53233 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A cap layer for a copper interconnect structure formed in a first dielectric layer is provided. In an embodiment, a conductive layer is located within a dielectric layer and a top surface of the conductive layer has either a recess, a convex surface, or is planar. An alloy layer overlies the conductive layer and is a silicide alloy having a first material from the conductive layer and a second material of germanium, arsenic, tungsten, or gallium.

摘要翻译： 提供了形成在第一介电层中的铜互连结构的盖层。 在一个实施例中，导电层位于电介质层内，并且导电层的顶表面具有凹陷，凸面或平面。 合金层覆盖在导电层上，并且是具有来自导电层的第一材料和锗，砷，钨或镓的第二材料的硅化物合金。

公开(公告)号：US20090014877A1

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：US11775098

申请日：2007-07-09

申请人： Hui-Lin Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Hui-Lin Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An interconnect structure with improved reliability is provided. The interconnect structure includes a semiconductor substrate; a dielectric layer over the semiconductor substrate; a metallic wiring in the dielectric layer; a pre-layer over the metallic wiring, wherein the pre-layer contains boron; and a metal cap over the pre-layer, wherein the metal cap contains tungsten, and wherein the pre-layer and the metal cap are formed of different materials.

摘要翻译： 提供了具有可靠性提高的互连结构。 互连结构包括半导体衬底; 半导体衬底上的电介质层; 电介质层中的金属布线; 金属布线上的预层，其中预层含有硼; 以及在所述预层之上的金属盖，其中所述金属盖包含钨，并且其中所述预层和所述金属帽由不同的材料形成。