公开(公告)号：US08350247B2

公开(公告)日：2013-01-08

申请号：US11984277

申请日：2007-11-15

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Ran-ju Jung ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Seung-eon Ahn

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Ran-ju Jung ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Seung-eon Ahn

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625

摘要： A resistive random access memory (RRAM) having a solid solution layer and a method of manufacturing the RRAM are provided. The RRAM includes a lower electrode, a solid solution layer on the lower electrode, a resistive layer on the solid solution layer, and an upper electrode on the resistive layer. The method of manufacturing the RRAM includes forming a lower electrode, forming a solid solution layer on the lower electrode, forming a resistive layer on the solid layer and forming an upper electrode on the resistive layer, wherein the RRAM is formed of a transition metal solid solution.

摘要翻译： 提供了具有固溶层的电阻随机存取存储器（RRAM）和制造RRAM的方法。 RRAM包括下电极，下电极上的固溶层，固溶层上的电阻层和电阻层上的上电极。 制造RRAM的方法包括形成下电极，在下电极上形成固溶层，在固体层上形成电阻层，在电阻层上形成上电极，其中RRAM由过渡金属固体 解。

公开(公告)号：US08466461B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US11987150

申请日：2007-11-28

申请人： Sun-ae Seo ,  Young-soo Park ,  Ran-ju Jung ,  Myoung-jae Lee ,  Dong-chul Kim ,  Seung-eon Ahn

发明人： Sun-ae Seo ,  Young-soo Park ,  Ran-ju Jung ,  Myoung-jae Lee ,  Dong-chul Kim ,  Seung-eon Ahn

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L45/165 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： Example embodiments relate to a resistive random access memory (RRAM) and a method of manufacturing the RRAM. A RRAM according to example embodiments may include a lower electrode, which may be formed on a lower structure (e.g., substrate). A resistive layer may be formed on the lower electrode, wherein the resistive layer may include a transition metal dopant. An upper electrode may be formed on the resistive layer. Accordingly, the transition metal dopant may form a filament in the resistive layer that operates as a current path.

摘要翻译： 示例实施例涉及电阻随机存取存储器（RRAM）和制造RRAM的方法。 根据示例性实施例的RRAM可以包括下电极，其可以形成在下结构（例如，衬底）上。 电阻层可以形成在下电极上，其中电阻层可以包括过渡金属掺杂剂。 上电极可以形成在电阻层上。 因此，过渡金属掺杂剂可以在作为电流路径工作的电阻层中形成丝。

公开(公告)号：US20080121864A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11987150

申请日：2007-11-28

申请人： Sun-ae Seo ,  Young-soo Park ,  Ran-ju Jung ,  Myoung-jae Lee ,  Dong-chul Kim ,  Seung-eon Ahn

发明人： Sun-ae Seo ,  Young-soo Park ,  Ran-ju Jung ,  Myoung-jae Lee ,  Dong-chul Kim ,  Seung-eon Ahn

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/165 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： Example embodiments relate to a resistive random access memory (RRAM) and a method of manufacturing the RRAM. A RRAM according to example embodiments may include a lower electrode, which may be formed on a lower structure (e.g., substrate). A resistive layer may be formed on the lower electrode, wherein the resistive layer may include a transition metal dopant. An upper electrode may be formed on the resistive layer. Accordingly, the transition metal dopant may form a filament in the resistive layer that operates as a current path.

摘要翻译： 示例实施例涉及电阻随机存取存储器（RRAM）和制造RRAM的方法。 根据示例性实施例的RRAM可以包括下电极，其可以形成在下结构（例如，衬底）上。 电阻层可以形成在下电极上，其中电阻层可以包括过渡金属掺杂剂。 上电极可以形成在电阻层上。 因此，过渡金属掺杂剂可以在作为电流路径工作的电阻层中形成丝。

公开(公告)号：US20080116438A1

公开(公告)日：2008-05-22

申请号：US11984277

申请日：2007-11-15

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Ran-ju Jung ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Seung-eon Ahn

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Ran-ju Jung ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Seung-eon Ahn

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625

摘要： A resistive random access memory (RRAM) having a solid solution layer and a method of manufacturing the RRAM are provided. The RRAM includes a lower electrode, a solid solution layer on the lower electrode, a resistive layer on the solid solution layer, and an upper electrode on the resistive layer. The method of manufacturing the RRAM includes forming a lower electrode, forming a solid solution layer on the lower electrode, forming a resistive layer on the solid layer and forming an upper electrode on the resistive layer, wherein the RRAM is formed of a transition metal solid solution.

摘要翻译： 提供了具有固溶层的电阻随机存取存储器（RRAM）和制造RRAM的方法。 RRAM包括下电极，下电极上的固溶层，固溶层上的电阻层和电阻层上的上电极。 制造RRAM的方法包括形成下电极，在下电极上形成固溶层，在固体层上形成电阻层，在电阻层上形成上电极，其中RRAM由过渡金属固体 解。

公开(公告)号：US07989791B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12076311

申请日：2008-03-17

申请人： Bo-soo Kang ,  Stefanovich Genrikh ,  Young-soo Park ,  Myoung-jae Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

发明人： Bo-soo Kang ,  Stefanovich Genrikh ,  Young-soo Park ,  Myoung-jae Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/242 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/8618

摘要： Provided are a diode structure and a memory device including the same. The diode structure includes: a first electrode; a p-type Cu oxide layer formed on the first electrode; an n-type InZn oxide layer formed on the p-type Cu oxide layer; and a second electrode formed on the n-type InZn oxide.

摘要翻译： 提供二极管结构和包括该二极管结构的存储器件。 二极管结构包括：第一电极; 形成在所述第一电极上的p型Cu氧化物层; 形成在p型Cu氧化物层上的n型InZn氧化物层; 以及形成在n型InZn氧化物上的第二电极。

公开(公告)号：US20090072246A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US12076308

申请日：2008-03-17

申请人： Stefanovich Genrikh ,  Bo-soo Kang ,  Young-soo Park ,  Xianyu Wenxu ,  Myoung-Jae Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

发明人： Stefanovich Genrikh ,  Bo-soo Kang ,  Young-soo Park ,  Xianyu Wenxu ,  Myoung-Jae Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Chang-bum Lee

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L29/24 ,  H01L29/242 ,  H01L29/267 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： Provided are a diode and a memory device comprising the diode. The diode includes a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer, wherein at least one of the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer comprises a resistance changing material whose resistance is changed according to a voltage applied to the resistance changing material.

摘要翻译： 提供了二极管和包括二极管的存储器件。 二极管包括p型半导体层和n型半导体层，其中p型半导体层和n型半导体层中的至少一个包括电阻变化材料，其电阻根据施加到 电阻变化材料。

公开(公告)号：US08890228B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US12292596

申请日：2008-11-21

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-bum Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim ,  Bo-soo Kang

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-bum Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim ,  Bo-soo Kang

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L23/498 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C5/06 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/49833 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C5/063 ,  H01L23/481 ,  H01L25/18 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of manufacturing the same. The semiconductor device includes: a memory array on a first substrate; and a peripheral circuit on a second substrate, wherein the first substrate and the second substrate may be attached to each other so that the memory array and the peripheral circuit are electrically connected to each other.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：第一衬底上的存储器阵列; 以及第二基板上的外围电路，其中第一基板和第二基板可以彼此附接，使得存储器阵列和外围电路彼此电连接。

公开(公告)号：US20090243115A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12292596

申请日：2008-11-21

申请人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-bum Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim ,  Bo-soo Kang

发明人： Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park ,  Chang-bum Lee ,  Seung-eon Ahn ,  Ki-hwan Kim ,  Bo-soo Kang

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L23/49833 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C5/063 ,  H01L23/481 ,  H01L25/18 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a semiconductor device and a method of manufacturing the same. The semiconductor device includes: a memory array on a first substrate; and a peripheral circuit on a second substrate, wherein the first substrate and the second substrate may be attached to each other so that the memory array and the peripheral circuit are electrically connected to each other.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：第一衬底上的存储器阵列; 以及第二基板上的外围电路，其中第一基板和第二基板可以彼此附接，使得存储器阵列和外围电路彼此电连接。

公开(公告)号：US20080308783A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US12213062

申请日：2008-06-13

申请人： Seung-eon Ahn ,  Myoung-jae Lee ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park

发明人： Seung-eon Ahn ,  Myoung-jae Lee ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L29/76 ,  H01L21/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/24

摘要： Memory devices and methods of manufacturing the same are provided. In a memory device, a memory-switch structure is formed between a first and second electrode. The memory-switch structure includes a memory resistor and a switch structure. The switch structure controls current supplied to the memory resistor. A memory region of the memory resistor and a switch region of the switch structure are different from each other.

摘要翻译： 提供了存储器件及其制造方法。 在存储器件中，在第一和第二电极之间形成存储器开关结构。 存储器开关结构包括存储器电阻器和开关结构。 开关结构控制提供给存储电阻的电流。 存储电阻的存储区域和开关结构的开关区域彼此不同。

公开(公告)号：US08274067B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US12213062

申请日：2008-06-13

申请人： Seung-eon Ahn ,  Myoung-jae Lee ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park

发明人： Seung-eon Ahn ,  Myoung-jae Lee ,  Suk-pil Kim ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/24

摘要： Memory devices and methods of manufacturing the same are provided. In a memory device, a memory-switch structure is formed between a first and second electrode. The memory-switch structure includes a memory resistor and a switch structure. The switch structure controls current supplied to the memory resistor. A memory region of the memory resistor and a switch region of the switch structure are different from each other.

摘要翻译： 提供了存储器件及其制造方法。 在存储器件中，在第一和第二电极之间形成存储器开关结构。 存储器开关结构包括存储器电阻器和开关结构。 开关结构控制提供给存储电阻的电流。 存储电阻的存储区域和开关结构的开关区域彼此不同。