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    HIGH FILL-FACTOR LASER-TREATED SEMICONDUCTOR DEVICE ON BULK MATERIAL WITH SINGLE SIDE CONTACT SCHEME
    3.
    发明申请
    HIGH FILL-FACTOR LASER-TREATED SEMICONDUCTOR DEVICE ON BULK MATERIAL WITH SINGLE SIDE CONTACT SCHEME 有权
    具有单面接触方案的高填充材料激光处理半导体器件

    公开(公告)号：US20110042773A1

    公开(公告)日：2011-02-24

    申请号：US12853172

    申请日：2010-08-09

    申请人： Neal T. Kurfiss ,  James E. Carey ,  Xia Li

    发明人： Neal T. Kurfiss ,  James E. Carey ,  Xia Li

    IPC分类号： H01L31/0352

    CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  Y10S257/91

    摘要： The present disclosure provides systems and methods for configuring and constructing a single photo detector or array of photo detectors with all fabrications circuitry on a single side of the device. Both the anode and the cathode contacts of the diode are placed on a single side, while a layer of laser treated semiconductor is placed on the opposite side for enhanced cost-effectiveness, photon detection, and fill factor.

    摘要翻译： 本公开提供了用于在设备的单侧上配置和构造单个光电检测器或光电检测器阵列的系统和方法，所述光检测器或阵列具有所有制造电路。 二极管的阳极和阴极触点都放置在一侧，而一层激光处理的半导体放置在相反的一侧，以提高成本效益，光子检测和填充因子。

    Cabinet
    6.
    外观设计
    Cabinet 有权

    公开(公告)号：USD948251S1

    公开(公告)日：2022-04-12

    申请号：US29777367

    申请日：2021-04-06

    申请人： Xia Li

    设计人： Xia Li

    Cabinet
    7.
    外观设计
    Cabinet 有权

    公开(公告)号：USD922106S1

    公开(公告)日：2021-06-15

    申请号：US29772435

    申请日：2021-03-02

    申请人： Xia Li

    设计人： Xia Li

    Diamond type quad-resistor cells of PRAM
    8.
    发明授权
    Diamond type quad-resistor cells of PRAM 有权
    金刚石型四电阻单元的PRAM

    公开(公告)号：US08680504B2

    公开(公告)日：2014-03-25

    申请号：US13471805

    申请日：2012-05-15

    申请人： Xia Li

    发明人： Xia Li

    IPC分类号： H01L29/06

    CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/008 ,  G11C2213/52 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/122 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1675

    摘要： A method of forming a phase-change random access memory (PRAM) cell, and a structure of a phase-change random access memory (PRAM) cell are disclosed. The PRAM cell includes a bottom electrode, a heater resistor coupled to the bottom electrode, a phase change material (PCM) thrilled over and coupled to the heater resistor, and a top electrode coupled to the phase change material. The phase change material contacts a portion of a vertical surface of the heater resistor and a portion of a horizontal surface of the heater resistor to form an active region between the heater resistor and the phase change material.

    摘要翻译： 公开了形成相变随机存取存储器（PRAM）单元的方法以及相变随机存取存储器（PRAM）单元的结构。 PRAM单元包括底部电极，耦合到底部电极的加热电阻器，激发并耦合到加热器电阻器的相变材料（PCM）和耦合到相变材料的顶部电极。 相变材料接触加热器电阻器的垂直表面的一部分和加热电阻器的水平表面的一部分，以在加热电阻器和相变材料之间形成有源区域。

    LOW COST PROGRAMMABLE MULTI-STATE DEVICE
    9.
    发明申请
    LOW COST PROGRAMMABLE MULTI-STATE DEVICE 有权
    低成本可编程多状态器件

    公开(公告)号：US20140063895A1

    公开(公告)日：2014-03-06

    申请号：US13602666

    申请日：2012-09-04

    申请人： Xia Li ,  Seung H. Kang

    发明人： Xia Li ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C17/02 ,  H01L27/22 ,  G11C17/00

    CPC分类号： G11C17/02 ,  G11C11/005 ,  G11C11/5607 ,  G11C11/5692 ,  G11C17/00 ,  G11C17/14 ,  G11C17/16 ,  G11C17/165 ,  H01L23/5252 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/22 ,  H01L27/224 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A one time programmable (OPT) and multiple time programmable (MTP) structure is constructed in a back end of line (BEOL) process using only one, two or three masks. The OTP/MTP structure can be programmed in one of three states, a pre-programmed high resistance state, and a programmable low resistance state and a programmable very high resistance state. In the programmable low resistance state, a barrier layer is broken down during an anti-fuse programming so that the OTP/MTP structure exhibits resistance in the hundred ohm order of magnitude. In the very high resistance state a conductive fuse is blown open during programming so that the OTP/MTP structure exhibits resistance in the mega-ohm order of magnitude. The OTP/MTP structure may include a magnetic tunnel junction (MTJ) structure or a metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure.

    摘要翻译： 仅使用一个，两个或三个掩模，在后端（BEOL）过程中构造了一次性可编程（OPT）和多时间可编程（MTP）结构。 OTP / MTP结构可以编程为三种状态之一，预编程的高电阻状态，可编程低电阻状态和可编程非常高的电阻状态。 在可编程低电阻状态下，在抗熔丝编程期间阻挡层被分解，使得OTP / MTP结构呈现出百欧姆量级的电阻。 在非常高的电阻状态下，在编程期间导通熔丝被断开，使得OTP / MTP结构呈现以兆欧姆数量级的电阻。 OTP / MTP结构可以包括磁隧道结（MTJ）结构或金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）电容器结构。

    Non-volatile memory array configurable for high performance and high density
    10.
    发明授权
    Non-volatile memory array configurable for high performance and high density 有权
    非易失性存储器阵列可配置为高性能和高密度

    公开(公告)号：US08587982B2

    公开(公告)日：2013-11-19

    申请号：US13034763

    申请日：2011-02-25

    申请人： Jung Pill Kim ,  Hari M. Rao ,  Xiaochun Zhu ,  Xia Li ,  Seung H. Kang

    发明人： Jung Pill Kim ,  Hari M. Rao ,  Xiaochun Zhu ,  Xia Li ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C5/06

    CPC分类号： G11C11/1677 ,  G11C8/08 ,  G11C8/14 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C29/18 ,  G11C29/30 ,  G11C2029/1202 ,  G11C2029/2602 ,  H01L43/12

    摘要： Embodiments include a memory array having a plurality of bit lines and a plurality of source lines disposed in columns. A plurality of word lines is disposed in rows. A plurality of storage elements have a first subset of storage elements electrically decoupled from the memory array and a second subset of storage elements coupled to the memory array. The memory array further includes a plurality of bit cells, each including one storage element from the second subset of storage elements coupled to at least two transistors. The bit cells are coupled to the plurality of bit lines and the plurality source lines. Each transistor is coupled to one word line. The memory array can further include logic to select a high performance mode and a high density mode.

    摘要翻译： 实施例包括具有多个位线和多个排列成列的源极线的存储器阵列。 多行字线被排列成行。 多个存储元件具有与存储器阵列电分离的存储元件的第一子集和耦合到存储器阵列的存储元件的第二子集。 存储器阵列还包括多个位单元，每个位单元包括来自耦合到至少两个晶体管的存储元件的第二子集的一个存储元件。 位单元耦合到多个位线和多个源极线。 每个晶体管耦合到一个字线。 存储器阵列还可以包括选择高性能模式和高密度模式的逻辑。