公开(公告)号：US20130252016A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13784856

申请日：2013-03-05

申请人： Orest J. Glembocki ,  Sharka M. Prokes ,  Joshua D. Caldwell ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela ,  Jaakko Niinisto ,  Eero Santala ,  Timo Hatanpaa ,  Maarit Kariemi

发明人： Orest J. Glembocki ,  Sharka M. Prokes ,  Joshua D. Caldwell ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela ,  Jaakko Niinisto ,  Eero Santala ,  Timo Hatanpaa ,  Maarit Kariemi

IPC分类号： B32B3/28 ,  C23C16/50 ,  B32B15/04 ,  C23C16/06

CPC分类号： B32B3/28 ,  B32B15/04 ,  C23C16/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/50 ,  Y10T428/1241 ,  Y10T428/24636 ,  Y10T428/24736

摘要： A metamaterial thin film with plasmonic properties formed by depositing metallic films by atomic layer deposition onto a substrate to form a naturally occurring mosaic-like nanostructure having two-dimensional features with air gaps between the two-dimensional features. Due to the unique deposition nanostructure, plasmonic thin films of metal or highly conducting materials can be produced on any substrate, including fabrics and biological materials. In addition, these plasmonic materials can be used in conjunction with geometric patterns that may be used to create multiple resonance plasmonic metamaterials.

摘要翻译： 具有等离子体激发特性的超材料薄膜通过原子层沉积沉积金属膜而形成于基底上以形成具有二维特征并具有二维特征之间的气隙的天然存在的马赛克状纳米结构。 由于独特的沉积纳米结构，金属或高导电材料的等离子体薄膜可以在任何基材上生产，包括织物和生物材料。 此外，这些等离子体激元材料可以与可用于产生多个共振等离子体激元超材料的几何图案一起使用。

公开(公告)号：US09878516B2

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：US13784856

申请日：2013-03-05

申请人： Orest J. Glembocki ,  Sharka M Prokes ,  Joshua D. Caldwell ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela ,  Jaakko Niinisto ,  Eero Santala ,  Timo Hatanpaa ,  Maarit Kariemi

发明人： Orest J. Glembocki ,  Sharka M Prokes ,  Joshua D. Caldwell ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela ,  Jaakko Niinisto ,  Eero Santala ,  Timo Hatanpaa ,  Maarit Kariemi

IPC分类号： C23C16/06 ,  B32B3/28 ,  B32B15/04 ,  C23C16/50 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

CPC分类号： B32B3/28 ,  B32B15/04 ,  C23C16/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/50 ,  Y10T428/1241 ,  Y10T428/24636 ,  Y10T428/24736

摘要： A metamaterial thin film with plasmonic properties formed by depositing metallic films by atomic layer deposition onto a substrate to form a naturally occurring mosaic-like nanostructure having two-dimensional features with air gaps between the two-dimensional features. Due to the unique deposition nanostructure, plasmonic thin films of metal or highly conducting materials can be produced on any substrate, including fabrics and biological materials. In addition, these plasmonic materials can be used in conjunction with geometric patterns that may be used to create multiple resonance plasmonic metamaterials.

公开(公告)号：US20110293830A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13034564

申请日：2011-02-24

申请人： Timo Hatanpaa ,  Jaakko Niinisto ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela ,  Suvi Haukka

发明人： Timo Hatanpaa ,  Jaakko Niinisto ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela ,  Suvi Haukka

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/405 ,  C01G23/07 ,  C01G25/02 ,  C01G27/02 ,  C01P2006/40 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45553

摘要： Methods are provided herein for forming transition metal oxide thin films, preferably Group IVB metal oxide thin films, by atomic layer deposition. The metal oxide thin films can be deposited at high temperatures using metalorganic reactants. Metalorganic reactants comprising two ligands, at least one of which is a cycloheptatriene or cycloheptatrienyl (CHT) ligand are used in some embodiments. The metal oxide thin films can be used, for example, as dielectric oxides in transistors, flash devices, capacitors, integrated circuits, and other semiconductor applications.

摘要翻译： 本文提供了通过原子层沉积形成过渡金属氧化物薄膜，优选IVB族金属氧化物薄膜的方法。 金属氧化物薄膜可以使用金属有机反应物在高温下沉积。 在一些实施方案中使用包含两种配体的金属有机反应物，其中至少一种是环庚三烯或环庚三烯（CHT）配体。 金属氧化物薄膜可以用作例如晶体管，闪光器件，电容器，集成电路和其它半导体应用中的电介质氧化物。

公开(公告)号：US08685165B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US11864677

申请日：2007-09-28

申请人： Antti Rahtu ,  Raija Matero ,  Markku Leskela ,  Mikko Ritala ,  Timo Hatanpaa ,  Timo Hanninen ,  Marko Vehkamaki

发明人： Antti Rahtu ,  Raija Matero ,  Markku Leskela ,  Mikko Ritala ,  Timo Hatanpaa ,  Timo Hanninen ,  Marko Vehkamaki

IPC分类号： C30B21/02

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C23C16/405 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  C30B25/02 ,  C30B29/32

摘要： Atomic layer deposition (ALD) type processes for producing titanium containing oxide thin films comprise feeding into a reaction space vapor phase pulses of titanium alkoxide as a titanium source material and at least one oxygen source material, such as ozone, capable of forming an oxide with the titanium source material. In preferred embodiments the titanium alkoxide is titanium methoxide.

摘要翻译： 用于生产含钛氧化物薄膜的原子层沉积（ALD）型方法包括将作为钛源材料的钛醇盐的脉冲和至少一种能够形成氧化物的氧源材料 钛源材料。 在优选的实施方案中，钛醇盐是甲醇钛。

公开(公告)号：US20070148347A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11318092

申请日：2005-12-22

申请人： Timo Hatanpaa ,  Marko Vehkamaki ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Timo Hatanpaa ,  Marko Vehkamaki ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01L21/02194 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  H01G4/10 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

摘要： Processes are provided for producing bismuth-containing oxide thin films by atomic layer deposition. In preferred embodiments an organic bismuth compound having at least one monodentate alkoxide ligand is used as a bismuth source material. Bismuth-containing oxide thin films can be used, for example, as ferroelectric or dielectric materials in integrated circuits and as superconductor materials.

摘要翻译： 提供了通过原子层沉积生产含铋氧化物薄膜的方法。 在优选的实施方案中，使用具有至少一个单齿醇盐配体的有机铋化合物作为铋源材料。 含铋氧化物薄膜可以用作例如集成电路中的铁电或电介质材料，也可用作超导材料。

公开(公告)号：US07713584B2

公开(公告)日：2010-05-11

申请号：US11318092

申请日：2005-12-22

申请人： Timo Hatanpaa ,  Marko Vehkamaki ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Timo Hatanpaa ,  Marko Vehkamaki ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C23C16/06

CPC分类号： H01L21/02194 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  H01G4/10 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

摘要： Processes are provided for producing bismuth-containing oxide thin films by atomic layer deposition. In preferred embodiments an organic bismuth compound having at least one monodentate alkoxide ligand is used as a bismuth source material. Bismuth-containing oxide thin films can be used, for example, as ferroelectric or dielectric materials in integrated circuits and as superconductor materials.

摘要翻译： 提供了通过原子层沉积生产含铋氧化物薄膜的方法。 在优选的实施方案中，使用具有至少一个单齿醇盐配体的有机铋化合物作为铋源材料。 含铋氧化物薄膜可以用作例如集成电路中的铁电或电介质材料，也可用作超导材料。

公开(公告)号：US20050089632A1

公开(公告)日：2005-04-28

申请号：US10696591

申请日：2003-10-28

申请人： Marko Vehkamaki ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Marko Vehkamaki ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C07F9/94 ,  C23C16/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01B3/12 ,  H01B13/00 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC分类号： C23C16/45531 ,  C07F9/94 ,  C23C16/40 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553

摘要： A process for producing bismuth-containing oxide thin films by Atomic Layer Deposition, including using an organic bismuth compound having at least one silylamido ligand as a source material for the bismuth oxide. Bismuth-containing oxide thin films produced by the preferred embodiments can be used, for example, as ferroelectric or dielectric material in integrated circuits and/or as superconductor materials.

摘要翻译： 通过原子层沉积法生产含铋氧化物薄膜的方法，包括使用具有至少一个甲硅烷酰氨基配体的有机铋化合物作为氧化铋的源材料。 由优选实施例制造的含铋氧化物薄膜可用作例如集成电路中的铁电体或介电材料和/或超导体材料。

公开(公告)号：US09315894B2

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US13434520

申请日：2012-03-29

申请人： Jani Hamalainen ,  Jani Holopainen ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Jani Hamalainen ,  Jani Holopainen ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/50

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/50

摘要： The present application relates to atomic layer deposition (ALD) processes for producing metal phosphates such as titanium phosphate, aluminum phosphate and lithium phosphate, as well as to ALD processes for depositing lithium silicates.

摘要翻译： 本申请涉及用于生产金属磷酸盐如磷酸钛，磷酸铝和磷酸锂的原子层沉积（ALD）方法，以及用于沉积硅酸锂的ALD工艺。

公开(公告)号：US20100285217A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：US12777022

申请日：2010-05-10

申请人： Timo Hatanpaa ,  Marko Vehkamaki ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Timo Hatanpaa ,  Marko Vehkamaki ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01L21/02194 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  H01G4/10 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

摘要： Processes are provided for producing bismuth-containing oxide thin films by atomic layer deposition. In preferred embodiments an organic bismuth compound having at least one monodentate alkoxide ligand is used as a bismuth source material. Bismuth-containing oxide thin films can be used, for example, as ferroelectric or dielectric materials in integrated circuits and as superconductor materials.

摘要翻译： 提供了通过原子层沉积生产含铋氧化物薄膜的方法。 在优选的实施方案中，使用具有至少一个单齿醇盐配体的有机铋化合物作为铋源材料。 含铋氧化物薄膜可以用作例如集成电路中的铁电或电介质材料，也可用作超导材料。

公开(公告)号：US20090324821A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12163757

申请日：2008-06-27

申请人： Viljami Pore ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Viljami Pore ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C23C16/06

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/306 ,  C23C16/45525

摘要： Methods for controllably forming Sb—Te, Ge—Te, and Ge—Sb—Te thin films are provided. ALD processes can be used to deposit a first film comprising ZnTe. Providing an antimony source chemical, such as SbI3 replaces the zinc, thereby forming Sb2Te3 thin films. Ge—Te and Ge—Sb—Te films can also be made by providing Ge sources to ZnTe and Sb—Te thin films, respectively.

摘要翻译： 提供了可控地形成Sb-Te，Ge-Te和Ge-Sb-Te薄膜的方法。 ALD工艺可用于沉积包含ZnTe的第一膜。 提供锑源化合物，如SbI3代替锌，从而形成Sb2Te3薄膜。 Ge-Te和Ge-Sb-Te薄膜也可以分别通过向ZnTe和Sb-Te薄膜提供Ge源。