公开(公告)号：US5734194A

公开(公告)日：1998-03-31

申请号：US792602

申请日：1997-01-31

申请人： Paul W. Sanders ,  Troy E. Mackie ,  Julio C. Costa ,  John L. Freeman, Jr. ,  Alan D. Wood

发明人： Paul W. Sanders ,  Troy E. Mackie ,  Julio C. Costa ,  John L. Freeman, Jr. ,  Alan D. Wood

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/732 ,  H01L27/082 ,  H01L27/102 ,  H01L29/70 ,  H01L31/11

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/7322

摘要： A semiconductor device (10) is formed in a semiconductor substrate (11) that acts as a collector region. A base region (12) is formed in the semiconductor substrate (11) and an emitter region (52) is formed such that it contacts at least a portion of the base region (12). A conductive layer (28) is used to provide electrical connection to the emitter region (52). The portion of the conductive layer (28) above the emitter region (52) is counter-doped to address the problems of an interfacial oxide layer (27) that exists between the emitter region (52) and the conductive layer (28).

摘要翻译： 半导体器件（10）形成在用作集电极区域的半导体衬底（11）中。 在半导体衬底（11）中形成基极区（12），并且形成发射极区（52），使其与基极区（12）的至少一部分相接触。 导电层（28）用于提供与发射极区域（52）的电连接。 在发射极区域（52）上方的导电层（28）的部分被反掺杂以解决存在于发射极区域（52）和导电层（28）之间的界面氧化物层（27）的问题。

公开(公告)号：US07736996B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US11554847

申请日：2006-10-31

申请人： Nirmal David Theodore ,  John L. Freeman, Jr. ,  Clarence J. Tracy

发明人： Nirmal David Theodore ,  John L. Freeman, Jr. ,  Clarence J. Tracy

IPC分类号： H01L21/46

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A method for damage avoidance in transferring a monocrystalline, thin layer from a first substrate onto a second substrate involves epitaxial growth of a sandwich structure with a strained epitaxial layer buried below a monocrystalline thin layer, and lift-off and transfer of the monocrystalline thin layer with the cleaving controlled to happen within the buried strained layer in conjunction with the introduction of hydrogen.

摘要翻译： 将单晶薄层从第一衬底转移到第二衬底上的避免损伤的方法包括外延生长具有埋在单晶薄层之下的应变外延层的夹层结构，以及单晶薄层的剥离和转移 结合氢的引入，可以在埋层应变层内进行裂开控制。

公开(公告)号：US5287002A

公开(公告)日：1994-02-15

申请号：US889807

申请日：1992-05-29

申请人： John L. Freeman, Jr. ,  Clarence J. Tracy

发明人： John L. Freeman, Jr. ,  Clarence J. Tracy

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40 ,  H01L29/46 ,  H01L29/52

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/485 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/14

摘要： A planarized multi-layer metal bonding pad. A first metal bonding pad layer (13) that defines a metal bonding pad is provided. A first dielectric layer (14) is provided with a multitude of vias (17) that covers the first metal bonding pad layer (13), thereby exposing portions of the first metal bonding pad layer (13) through the multitude of vias (17) in the first dielectric (14). A second metal bonding pad layer (18) that further defines the metal bonding pad is deposited on the first dielectric layer (14) making electrical contact to the first metal bonding pad layer through the multitude of vias (17). Planarization of the second metal bonding pad layer (18) is achieved by having the second metal bonding pad layer (18) cover the first dielectric layer (14) and making contact through the vias (17).

摘要翻译： 平面化多层金属焊盘。 提供了限定金属接合焊盘的第一金属接合焊盘层（13）。 第一介电层（14）设置有多个通孔（17），其覆盖第一金属接合焊盘层（13），从而使第一金属接合焊盘层（13）的部分通过多个通孔（17）露出， 在第一电介质（14）中。 进一步限定金属焊盘的第二金属焊盘层（18）沉积在第一介电层（14）上，通过多个通孔（17）与第一金属焊盘层电接触。 通过使第二金属焊盘层（18）覆盖第一介电层（14）并通过通孔（17）进行接触来实现第二金属焊盘层（18）的平面化。

公开(公告)号：US06489211B1

公开(公告)日：2002-12-03

申请号：US09516349

申请日：2000-03-01

申请人： John L. Freeman, Jr. ,  Raymond J. Balda ,  Robert A. Pryor ,  James D. Paulsen ,  Robert J. Johnsen

发明人： John L. Freeman, Jr. ,  Raymond J. Balda ,  Robert A. Pryor ,  James D. Paulsen ,  Robert J. Johnsen

IPC分类号： H01L218238

CPC分类号： H01L29/66287 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66242

摘要： A method of manufacturing a semiconductor component includes providing a composite substrate (300) with a dielectric portion and a semiconductor portion and growing an epitaxial layer (400) over the composite substrate. The epitaxial layer has a polycrystalline portion (402) over the dielectric portion of the composite substrate and also has a monocrystalline portion (401) over the semiconductor portion of the composite substrate. A first dopant is diffused into the monocrystalline portion of the epitaxial layer to form an emitter region in the monocrystalline portion of the epitaxial layer while a second dopant is simultaneously diffused into the monocrystalline portion of the epitaxial layer to form an enhanced portion of the base region.

摘要翻译： 制造半导体部件的方法包括提供具有电介质部分和半导体部分的复合衬底（300），并在复合衬底上生长外延层（400）。 外延层在复合衬底的电介质部分上具有多晶部分（402），并且在复合衬底的半导体部分上还具有单晶部分（401）。 第一掺杂剂扩散到外延层的单晶部分中以在外延层的单晶部分中形成发射极区域，而第二掺杂剂同时扩散到外延层的单晶部分中，以形成基极区域的增强部分 。

公开(公告)号：US5554889A

公开(公告)日：1996-09-10

申请号：US430105

申请日：1995-04-27

申请人： Hank H. Shin ,  Clarence J. Tracy ,  Robert L. Duffin ,  John L. Freeman, Jr. ,  Gordon Grivna ,  Syd R. Wilson

发明人： Hank H. Shin ,  Clarence J. Tracy ,  Robert L. Duffin ,  John L. Freeman, Jr. ,  Gordon Grivna ,  Syd R. Wilson

IPC分类号： H01L23/532 ,  A01L23/48 ,  A01L23/52 ,  A01L29/40

CPC分类号： H01L23/53219 ,  H01L2924/0002

摘要： A metallization alloy for semiconductor devices comprising aluminum, copper, and tungsten is provided. In a method for applying the metallization, the metal is sputtered onto a semiconductor substrate having devices formed therein. After deposition, the metallization is patterned and etched using conventional semiconductor photoresist and etch techniques.

摘要翻译： 提供了一种用于包括铝，铜和钨的半导体器件的金属化合金。 在施加金属化的方法中，将金属溅射到其上形成有器件的半导体衬底上。 沉积后，使用常规的半导体光致抗蚀剂和蚀刻技术对金属化进行构图和蚀刻。

公开(公告)号：US06900105B2

公开(公告)日：2005-05-31

申请号：US10211842

申请日：2002-08-02

申请人： John L. Freeman, Jr. ,  Raymond J. Balda ,  Robert A. Pryor ,  Joseph L. Petrucci, Jr. ,  Robert J. Johnsen

发明人： John L. Freeman, Jr. ,  Raymond J. Balda ,  Robert A. Pryor ,  Joseph L. Petrucci, Jr. ,  Robert J. Johnsen

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/762 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/66287 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1004

摘要： In a semiconductor manufacturing method, an emitter region (211) and a base enhancement region (207) are formed to provide linear voltage, capacitance and low resistance characteristics. In the manufacturing method, a semiconductor device (200) is formed on a silicon substrate layer (101) with an epitaxial layer (203). Trenches (233) are cut into the epitaxial layer (203) and filled with oxide (601) to provide reduced junction capacitance and reduced base resistance. The emitter region (211) and the base enhancement region (207) are simultaneously formed through an anneal process.

摘要翻译： 在半导体制造方法中，形成发射极区域（211）和基极强化区域（207），以提供线性电压，电容和低电阻特性。 在制造方法中，在具有外延层（203）的硅衬底层（101）上形成半导体器件（200）。 将沟槽（233）切割成外延层（203）并填充氧化物（601）以提供减小的结电容和降低的基极电阻。 通过退火工艺同时形成发射极区（211）和基极增强区（207）。

公开(公告)号：US5700721A

公开(公告)日：1997-12-23

申请号：US658041

申请日：1996-06-04

申请人： Hank Hukyoo Shin ,  Clarence J. Tracy ,  Robert L. Duffin ,  John L. Freeman, Jr. ,  Gordon Grivna ,  Syd R. Wilson

发明人： Hank Hukyoo Shin ,  Clarence J. Tracy ,  Robert L. Duffin ,  John L. Freeman, Jr. ,  Gordon Grivna ,  Syd R. Wilson

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/443

CPC分类号： H01L23/53219 ,  H01L2924/0002

摘要： A metallization alloy for semiconductor devices comprising aluminum, copper, and tungsten is provided. In a method for applying the metallization, the metal is sputtered onto a semiconductor substrate having devices formed therein. After deposition, the metallization is patterned and etched using conventional semiconductor photoresist and etch techniques.

摘要翻译： 提供了一种用于包括铝，铜和钨的半导体器件的金属化合金。 在施加金属化的方法中，将金属溅射到其上形成有器件的半导体衬底上。 沉积后，使用常规的半导体光致抗蚀剂和蚀刻技术对金属化进行构图和蚀刻。

公开(公告)号：US5149674A

公开(公告)日：1992-09-22

申请号：US716454

申请日：1991-06-17

申请人： John L. Freeman, Jr. ,  Clarence J. Tracy

发明人： John L. Freeman, Jr. ,  Clarence J. Tracy

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/485 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/14

摘要： A method is provided for planarizing a multi-layer metal bonding pad. A first metal layer (13) is provided. A first dielectric layer (14) is provided with a multitude of vias (17) covering the first metal layer (13), thereby exposing portions of the first metal layer (13) through the multitude of vias (17) in the first dielectric (14). A second metal layer (18) is deposited on the first dielectric layer (14) making electrical contact to the first metal layer through the multitude of vias (17). Planarization of the second metal layer (18) is achieved by having the second metal layer (18) cover the first dielectric layer (14) and making contact through the vias (17).

公开(公告)号：US4970176A

公开(公告)日：1990-11-13

申请号：US414355

申请日：1989-09-29

申请人： Clarence J. Tracy ,  John L. Freeman, Jr. ,  Robert L. Duffin ,  Anthony Polito

发明人： Clarence J. Tracy ,  John L. Freeman, Jr. ,  Robert L. Duffin ,  Anthony Polito

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76882 ,  Y10S148/025

摘要： Metal step coverage is improved by utilizing a multiple step metallization process. In the first step, a thick portion of a metal layer is deposited on a semiconductor wafer at a cold temperature. The remaining amount of metal is deposited in a second step as the temperature is ramped up to allow for reflow of the metal layer through grain growth, recrystallization and bulk diffusion. The thick portion of the metal layer deposited at the cold temperature is of adequate thickness so that it remains continuous at the higher temperature and enhances via filling.

摘要翻译： 通过利用多步金属化工艺改进了金属台阶覆盖。 在第一步骤中，在半导体晶片上，在较冷的温度下沉积厚的金属层。 随着温度升高，金属剩余量沉积在第二步中，以允许通过晶粒生长，重结晶和体扩散来回流金属层。 在冷温度下沉积的金属层的厚部分具有足够的厚度，使得其在更高的温度下保持连续并且通过填充增强。

公开(公告)号：US4915779A

公开(公告)日：1990-04-10

申请号：US235134

申请日：1988-08-23

申请人： G. Scot Srodes ,  Willis R. Goodner ,  John L. Freeman, Jr. ,  Andrew G. Nagy

发明人： G. Scot Srodes ,  Willis R. Goodner ,  John L. Freeman, Jr. ,  Andrew G. Nagy

IPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/32136 ,  C23F4/00 ,  Y10S438/95

摘要： A residue-free plasma etch of high temperature aluminum copper metallization is provided by the use of a single plasma etcher. The metallization layer is covered by a protective oxide layer. This structure is then placed in the single etcher and a vacuum is established. The protective oxide layer is then etched and without breaking the vacuum or removing the structure from the etcher the metal layer is also etched. This results in the etched surface being residue-free.

摘要翻译： 通过使用单个等离子体蚀刻器提供高温铝铜金属化的无残留等离子体蚀刻。 金属化层被保护性氧化物层覆盖。 然后将该结构放置在单个蚀刻器中并建立真空。 然后蚀刻保护性氧化物层并且不破坏真空或从蚀刻器去除结构，金属层也被蚀刻。 这导致蚀刻表面无残留。