公开(公告)号：US08067147B2

公开(公告)日：2011-11-29

申请号：US10596647

申请日：2004-12-22

申请人： Peter Dirksen ,  Robert Duncan Morton ,  Peter Zandbergen ,  David Van Steenwinckel ,  Yuri Aksenov ,  Jeroen Herman Lammers ,  Johannes Van Wingerden ,  Laurent Marinier

发明人： Peter Dirksen ,  Robert Duncan Morton ,  Peter Zandbergen ,  David Van Steenwinckel ,  Yuri Aksenov ,  Jeroen Herman Lammers ,  Johannes Van Wingerden ,  Laurent Marinier

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： G03F7/70341 ,  G03F7/70983

摘要： A method of irradiating to pattern a photosensitive layer such as a resist (L2) immersed in a fluid (L3), involves applying a removable transparent layer (L4, L5), projecting the radiation onto the resist through the immersion fluid and through the transparent layer, such that imperfections in the fluid are out of focus as projected on the surface, and subsequently removing the transparent layer. The transparent layer can help distance such imperfections from the focus of the radiation on the surface and so can reduce or eliminate shadowing. Hence the irradiation can be more complete, and defects reduced. It can be particularly effective for imperfections in the form of small bubbles or particles in the immersion fluid especially at the fluid/surface interface for example. The radiation can be for any purpose including inspection, processing, patterning and so on. The removal of the transparent layer can be combined with a step of developing the resist layer.

摘要翻译： 一种照射方法来照射浸没在流体（L3）中的抗蚀剂（L2）的感光层，包括施加可去除的透明层（L4，L5），通过浸没流体将辐射投射到抗蚀剂上，并通过透明 使得流体中的缺陷如投射在表面上而失焦，随后去除透明层。 透明层可以帮助将这种缺陷从辐射的焦点远离在表面上，因此可以减少或消除阴影。 因此，照射可以更完整，并且缺陷减少。 对于浸入液体中的小气泡或颗粒形式的缺陷，特别是在流体/表面界面处的缺陷可能特别有效。 辐射可以用于任何目的，包括检查，加工，图案化等。 可以将透明层的去除与显影抗蚀剂层的步骤组合。

公开(公告)号：US20070064215A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US10596647

申请日：2004-12-22

申请人： Peter Dirksen ,  Robert Morton ,  Peter Zandbergen ,  David Van Steelwinckel ,  Yuri Aksenov ,  Jeroen Lammers ,  Johannes Van Wingerden ,  Laurent Marinier

发明人： Peter Dirksen ,  Robert Morton ,  Peter Zandbergen ,  David Van Steelwinckel ,  Yuri Aksenov ,  Jeroen Lammers ,  Johannes Van Wingerden ,  Laurent Marinier

IPC分类号： G03B27/32

CPC分类号： G03F7/70341 ,  G03F7/70983

摘要： A method of irradiating to pattern a photosensitive layer such as a resist (L2) immersed in a fluid (L3), involves applying a removable transparent layer (L4, L5), projecting the radiation onto the resist through the immersion fluid and through the transparent layer, such that imperfections in the fluid are out of focus as projected on the surface, and subsequently removing the transparent layer. The transparent layer can help distance such imperfections from the focus of the radiation on the surface and so can reduce or eliminate shadowing. Hence the irradiation can be more complete, and defects reduced. It can be particularly effective for imperfections in the form of small bubbles or particles in the immersion fluid especially at the fluid/surface interface for example. The radiation can be for any purpose including inspection, processing, patterning and so on. The removal of the transparent layer can be combined with a step of developing the resist layer.

摘要翻译： 一种照射方法来照射浸入流体（L 3）中的抗蚀剂（L 2）等感光层，包括涂敷可移除的透明层（L 4，L 5），通过浸渍流体将辐射投射到抗蚀剂上 并且通过透明层，使得流体中的缺陷如投影在表面上而失焦，并随后去除透明层。 透明层可以帮助将这种缺陷从辐射的焦点远离在表面上，因此可以减少或消除阴影。 因此，照射可以更完整，并且缺陷减少。 对于浸入液体中的小气泡或颗粒形式的缺陷，特别是在流体/表面界面处的缺陷可能特别有效。 辐射可以用于任何目的，包括检查，加工，图案化等。 可以将透明层的去除与显影抗蚀剂层的步骤组合。

公开(公告)号：US20100215273A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：US11993063

申请日：2006-06-20

申请人： Yuri Aksenov ,  Peter Dirksen ,  Peter Zandbergen ,  Michael Benndorf ,  David Van Steenwinckle

发明人： Yuri Aksenov ,  Peter Dirksen ,  Peter Zandbergen ,  Michael Benndorf ,  David Van Steenwinckle

IPC分类号： G06K9/46

CPC分类号： G03F7/7085 ,  G03F1/44 ,  G03F7/70058 ,  G03F7/70566

摘要： In a method for evaluating the polarization state of an illumination system (52) in an optical system (50), a mask (56) is provided in the optical system (50) such that an illumination beam incident on the mask (56) is adapted such as to substantially differently diffract incident components of a light beam having different polarization states. An image of the mask (56) is then obtained, using an illumination beam of the illumination system (52) of the optical system (50). The obtained image, being either an intensity plot or a structure created in a resist layer by exposing the resist layer with the image of the mask (56), is then used to extract polarization related information about the illumination system (52). The image used for evaluating may be a diffraction image of the mask.

摘要翻译： 在用于评估光学系统（50）中的照明系统（52）的偏振状态的方法中，在光学系统（50）中设置掩模（56），使得入射在掩模（56）上的照明光束是 适于使得具有不同极化状态的光束的入射分量基本不同的衍射。 然后使用光学系统（50）的照明系统（52）的照明光束获得掩模（56）的图像。 所获得的图像是强度图或通过用掩模（56）的图像曝光抗蚀剂层在抗蚀剂层中产生的结构，然后用于提取关于照明系统（52）的偏振相关信息。 用于评估的图像可以是掩模的衍射图像。

公开(公告)号：US20060206851A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US10540068

申请日：2003-12-18

申请人： Johannes Van Wingerden ,  Casparus Anthonius Juffermans ,  Peter Dirksen

发明人： Johannes Van Wingerden ,  Casparus Anthonius Juffermans ,  Peter Dirksen

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F7/705 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70641

摘要： For determining best process variables (E, F, W) setting that provide optimum process window for a lithographic process for printing features having critical dimensions (CD) use is made of an overall performance characterizing parameter (Cpk) and of an analytical model, which describes CD data as a function of process parameters, like exposure dose (E) and focus (F). This allows calculating of the average value (μCD) and the variance (σCD) of the statistical CD distribution (CDd) and to determine the highest Cpk value and the associated values of process parameters, which values provide the optimum process window.

摘要翻译： 为了确定为光刻工艺提供最佳工艺窗口的最佳工艺变量（E，F，W）设置，用于打印具有关键尺寸（CD）的特征，使用总体性能特性参数（C＆gt; pk＆lt; ）和分析模型，其描述作为过程参数的函数的CD数据，如曝光剂量（E）和焦点（F）。 这允许计算统计CD分布（CDd）的平均值（muCD）和方差（sigmaCD），并确定最高的C max值和过程参数的相关值，这些值提供 最佳过程窗口。

公开(公告)号：US07659041B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US11367810

申请日：2006-03-01

申请人： Peter Dirksen ,  Casparus Anthonius Henricus Juffermans ,  Johannes Van Wingerden

发明人： Peter Dirksen ,  Casparus Anthonius Henricus Juffermans ,  Johannes Van Wingerden

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03C5/00

CPC分类号： H01L21/32139 ,  G03F1/26 ,  G03F1/36 ,  G03F7/0035

摘要： For lithographically manufacturing a device with a very high density, a design mask pattern (120) is distributed on a number of sub-patterns (120a, 120b, 120c) by means of a new method. The sub-patterns do not comprise “forbidden” structures (135) and can be transferred by conventional apparatus to a substrate layer to be patterned. For the transfer, a new stack of layers is used, which comprise a pair of a processing layer (22; 26) and an inorganic anti-reflection layer (24; 28) for each sub-pattern. After a first processing layer (26) has been patterned with a first sub-pattern, it is coated with a new resist layer (30) which is exposed with a second sub-pattern, and a second processing layer (22) under the first processing layer is processed with the second sub-pattern.

摘要翻译： 为了光刻制造具有非常高密度的器件，通过新的方法将设计掩模图案（120）分布在多个子图案（120a，120b，120c）上。 子图案不包括“禁止”结构（135）并且可以通过常规设备传送到待图案化的基底层。 为了传送，使用新的层叠层，其包括用于每个子图案的一对处理层（22; 26）和无机抗反射层（24; 28）。 在第一处理层（26）已经被图案化为第一子图案之后，其被涂覆有用第二子图案曝光的新抗蚀剂层（30）和在第一子图案下方的第二处理层（22） 用第二子图案处理处理层。

公开(公告)号：US20060160029A1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：US11367810

申请日：2006-03-01

申请人： Peter Dirksen ,  Casparus Juffermans ,  Johannes Van Wingerden

发明人： Peter Dirksen ,  Casparus Juffermans ,  Johannes Van Wingerden

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： H01L21/32139 ,  G03F1/26 ,  G03F1/36 ,  G03F7/0035

摘要： For lithographically manufacturing a device with a very high density, a design mask pattern (120) is distributed on a number of sub-patterns (120a, 120b, 120c) by means of a new method. The sub-patterns do not comprise “forbidden” structures (135) and can be transferred by conventional apparatus to a substrate layer to be patterned. For the transfer, a new stack of layers is used, which comprise a pair of a processing layer (22; 26) and an inorganic anti-reflection layer (24; 28) for each sub-pattern. After a first processing layer (26) has been patterned with a first sub-pattern, it is coated with a new resist layer (30) which is exposed with a second sub-pattern, and a second processing layer (22) under the first processing layer is processed with the second sub-pattern.

摘要翻译： 为了光刻制造具有非常高密度的器件，通过新的方法将设计掩模图案（120）分布在多个子图案（120a，120b，120c）上。 子图案不包括“禁止”结构（135）并且可以通过常规设备传送到待图案化的基底层。 为了传送，使用新的层叠层，其包括用于每个子图案的一对处理层（22; 26）和无机抗反射层（24; 28）。 在第一处理层（26）已经被图案化为第一子图案之后，其被涂覆有用第二子图案曝光的新抗蚀剂层（30）和在第一子图案下方的第二处理层（22） 用第二子图案处理处理层。

公开(公告)号：US07037626B2

公开(公告)日：2006-05-02

申请号：US10478339

申请日：2002-05-16

申请人： Peter Dirksen ,  Casparus Anthonius Henricus Juffermans ,  Johannes Van Wingerden

发明人： Peter Dirksen ,  Casparus Anthonius Henricus Juffermans ,  Johannes Van Wingerden

IPC分类号： G01F9/00

CPC分类号： H01L21/32139 ,  G03F1/26 ,  G03F1/36 ,  G03F7/0035

摘要： For lithographically manufacturing a device with a very high density, a design mask pattern (120) is distributed on a number of sub-patterns (120a, 120b, 120c) by means of a new method. The sub-patterns do not comprise “forbidden” structures (135) and can be transferred by conventional apparatus to a substrate layer to be patterned. For the transfer, a new stack of layers is used, which comprise a pair of a processing layer (22; 26) and an inorganic anti-reflection layer (24; 28) for each sub-pattern. After a first processing layer (26) has been patterned with a first sub-pattern, it is coated with a new resist layer (30) which is exposed with a second sub-pattern, and a second processing layer (22) under the first processing layer is processed with the second sub-pattern.

摘要翻译： 为了光刻制造具有非常高密度的器件，通过新的方法将设计掩模图案（120）分布在多个子图案（120a，120b，120c）上。 子图案不包括“禁止”结构（135）并且可以通过常规设备传送到待图案化的基底层。 为了传送，使用新的层叠层，其包括用于每个子图案的一对处理层（22; 26）和无机抗反射层（24; 28）。 在第一处理层（26）已经被图案化为第一子图案之后，其被涂覆有用第二子图案曝光的新抗蚀剂层（30）和在第一子图案下方的第二处理层（22） 用第二子图案处理处理层。

公开(公告)号：US08148052B2

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US12514777

申请日：2007-11-13

申请人： Anja Monique Vanleenhove ,  Peter Dirksen ,  David Van Steenwinckel ,  Gerben Doornbos ,  Casper Juffermans ,  Mark Van Dal

发明人： Anja Monique Vanleenhove ,  Peter Dirksen ,  David Van Steenwinckel ,  Gerben Doornbos ,  Casper Juffermans ,  Mark Van Dal

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/785

摘要： A method of forming a pattern in at least one device layer in or on a substrate comprises: coating the device layer with a first photoresist layer; exposing the first photoresist using a first mask; developing the first photoresist layer to form a first pattern on the substrate; coating the substrate with a protection layer; treating the protection layer to cause a change therein where it is in contact with the first photoresist, to render the changed protection layer substantially immune to a subsequent exposure and/or developing step; coating the substrate with a second photoresist layer; exposing the second photoresist layer using a second mask; and developing the second photoresist layer to form a second pattern on the substrate without significantly affecting the first pattern in the first photoresist layer, wherein the first and second patterns together define interspersed features having a spatial frequency greater than that of the features defined in each of the first and second patterns separately. The process has particular utility in defining source, drain and fin features of finFET devices with a smaller feature size than otherwise achievable with the prevailing lithography tools.

摘要翻译： 在衬底中或衬底上的至少一个器件层中形成图案的方法包括：用第一光致抗蚀剂层涂覆器件层; 使用第一掩模曝光第一光致抗蚀剂; 显影第一光致抗蚀剂层以在基底上形成第一图案; 用保护层涂覆基板; 处理保护层以在其中与第一光致抗蚀剂接触的地方发生变化，使得改变的保护层基本上不受随后的曝光和/或显影步骤的影响; 用第二光致抗蚀剂层涂覆基板; 使用第二掩模曝光所述第二光致抗蚀剂层; 并且显影所述第二光致抗蚀剂层以在所述基板上形成第二图案，而不会显着影响所述第一光致抗蚀剂层中的所述第一图案，其中所述第一和第二图案一起限定散布特征，其空间频率大于 第一和第二模式分开。 该方法在定义具有较小的特征尺寸的finFET器件的源极，漏极和鳍片特征方面具有特别的用途，而与主要的光刻工具不同。

公开(公告)号：US20100028809A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12514777

申请日：2007-11-13

申请人： Anja Monique Vanleenhove ,  Peter Dirksen ,  David Van Steenwinckel ,  Gerben Doornbos ,  Casper Juffermans ,  Mark Van Dal

发明人： Anja Monique Vanleenhove ,  Peter Dirksen ,  David Van Steenwinckel ,  Gerben Doornbos ,  Casper Juffermans ,  Mark Van Dal

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/785

摘要： A method of forming a pattern in at least one device layer in or on a substrate comprises: coating the device layer with a first photoresist layer; exposing the first photoresist using a first mask; developing the first photoresist layer to form a first pattern on the substrate; coating the substrate with a protection layer; treating the protection layer to cause a change therein where it is in contact with the first photoresist, to render the changed protection layer substantially immune to a subsequent exposure and/or developing step; coating the substrate with a second photoresist layer; exposing the second photoresist layer using a second mask; and developing the second photoresist layer to form a second pattern on the substrate without significantly affecting the first pattern in the first photoresist layer, wherein the first and second patterns together define interspersed features having a spartial frequency greater than that of the features defined in each of the first and second patterns separately. The process has particular utility in defining source, drain and fin features of finFET devices with a smaller feature size than otherwise achievable with the prevailing lithography tools.

摘要翻译： 在衬底中或衬底上的至少一个器件层中形成图案的方法包括：用第一光致抗蚀剂层涂覆器件层; 使用第一掩模曝光第一光致抗蚀剂; 显影第一光致抗蚀剂层以在基底上形成第一图案; 用保护层涂覆基板; 处理保护层以在其中与第一光致抗蚀剂接触的地方发生变化，使得改变的保护层基本上不受随后的曝光和/或显影步骤的影响; 用第二光致抗蚀剂层涂覆基板; 使用第二掩模曝光所述第二光致抗蚀剂层; 并且显影所述第二光致抗蚀剂层以在所述衬底上形成第二图案，而不会显着影响所述第一光致抗蚀剂层中的所述第一图案，其中所述第一和第二图案一起限定散布特征，其间隔频率大于每个 第一和第二模式分开。 该方法在定义具有较小的特征尺寸的finFET器件的源极，漏极和鳍片特征方面具有特别的用途，而与主要的光刻工具不同。

公开(公告)号：US20080305970A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：US12097082

申请日：2006-12-15

申请人： Peter Dirksen ,  Yuri Aksenov ,  Fredericus Christiaan Van Den Heuvel ,  Johannes Arnoldus Jacobus Maria Kwinten

发明人： Peter Dirksen ,  Yuri Aksenov ,  Fredericus Christiaan Van Den Heuvel ,  Johannes Arnoldus Jacobus Maria Kwinten

IPC分类号： G01N33/00 ,  B32B15/04 ,  G03F7/20 ,  C40B50/08

CPC分类号： G03F7/70616 ,  B01L3/502707 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0654 ,  B01L2300/0819 ,  G03F7/70608 ,  G03F9/7011 ,  G03F9/7019 ,  G03F9/7076 ,  G06F3/016 ,  G11C16/16

摘要： The invention relates to a device comprising a first material (10) and a second material. (20) whereby the first and the second material are so provided towards each other as to form at least one focusing microstructure with a focal point (30) located outside of the first material.

摘要翻译： 本发明涉及包括第一材料（10）和第二材料的装置。 （20），由此第一和第二材料朝向彼此设置成形成至少一个具有位于第一材料外部的焦点（30）的聚焦微结构。