公开(公告)号：US07666799B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US12419251

申请日：2009-04-06

申请人： Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Matthias Bauer

发明人： Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Matthias Bauer

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A relaxed silicon germanium structure comprises a silicon buffer layer produced using a chemical vapor deposition process with an operational pressure greater than approximately 1 torr. The relaxed silicon germanium structure further comprises a silicon germanium layer deposited over the silicon buffer layer. The silicon germanium layer has less than about 107 threading dislocations per square centimeter. By depositing the silicon buffer layer at a reduced deposition rate, the overlying silicon germanium layer can be provided with a “crosshatch free” surface.

摘要翻译： 松弛的硅锗结构包括使用具有大于约1托的操作压力的化学气相沉积工艺制备的硅缓冲层。 松弛的硅锗结构还包括沉积在硅缓冲层上的硅锗层。 硅锗层每平方厘米具有少于约107个穿透位错。 通过以降低的沉积速率沉积硅缓冲层，可以提供覆盖的硅锗层“无交叉阴极线”的表面。

公开(公告)号：US20080026149A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US11753370

申请日：2007-05-24

申请人： Pierre Tomasini ,  Chantal Arena ,  Matthias Bauer ,  Nyles Cody ,  Ronald Bertram ,  Jianqing Wen ,  Matthew Stephens

发明人： Pierre Tomasini ,  Chantal Arena ,  Matthias Bauer ,  Nyles Cody ,  Ronald Bertram ,  Jianqing Wen ,  Matthew Stephens

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01L21/28518 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

摘要： Chloropolysilanes are utilized in methods and systems for selectively depositing thin films useful for the fabrication of various devices such as microelectronic and/or microelectromechanical systems (MEMS).

摘要翻译： 氯多硅烷用于选择性沉积薄膜的方法和系统中，薄膜可用于制造诸如微电子和/或微机电系统（MEMS）的各种装置。

公开(公告)号：US20060240630A1

公开(公告)日：2006-10-26

申请号：US11343275

申请日：2006-01-30

申请人： Matthias Bauer ,  Keith Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

发明人： Matthias Bauer ,  Keith Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Methods of making Si-containing films that contain relatively high levels of substitutional dopants involve chemical vapor deposition using trisilane and a dopant precursor. Extremely high levels of substitutional incorporation may be obtained, including crystalline silicon films that contain 2.4 atomic % or greater substitutional carbon. Substitutionally doped Si-containing films may be selectively deposited onto the crystalline surfaces of mixed substrates by introducing an etchant gas during deposition.

摘要翻译： 含有相对高含量的取代掺杂剂的含Si膜的方法涉及使用丙硅烷和掺杂剂前体的化学气相沉积。 可以获得非常高的取代掺入水平，包括含有2.4原子％或更高取代碳的晶体硅膜。 通过在沉积期间引入蚀刻剂气体，可将选择性地掺杂的含Si薄膜选择性地沉积在混合基板的晶体表面上。

公开(公告)号：US07438760B2

公开(公告)日：2008-10-21

申请号：US11343275

申请日：2006-01-30

申请人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

发明人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/4763 ,  C30B25/00 ,  C30B28/12

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Methods of making Si-containing films that contain relatively high levels of substitutional dopants involve chemical vapor deposition using trisilane and a dopant precursor. Extremely high levels of substitutional incorporation may be obtained, including crystalline silicon films that contain 2.4 atomic % or greater substitutional carbon. Substitutionally doped Si-containing films may be selectively deposited onto the crystalline surfaces of mixed substrates by introducing an etchant gas during deposition.

摘要翻译： 含有相对高含量的取代掺杂剂的含Si膜的方法涉及使用丙硅烷和掺杂剂前体的化学气相沉积。 可以获得非常高的取代掺入水平，包括含有2.4原子％或更高取代碳的晶体硅膜。 通过在沉积期间引入蚀刻剂气体，可将选择性地掺杂的含Si薄膜选择性地沉积在混合基板的晶体表面上。

公开(公告)号：US20060234504A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11343264

申请日：2006-01-30

申请人： Matthias Bauer ,  Chantal Arena ,  Ronald Bertram ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Paul Jacobson ,  Keith Weeks

发明人： Matthias Bauer ,  Chantal Arena ,  Ronald Bertram ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Paul Jacobson ,  Keith Weeks

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Chemical vapor deposition methods use trisilane and a halogen-containing etchant source (such as chlorine) to selectively deposit Si-containing films over selected regions of mixed substrates. Dopant sources may be intermixed with the trisilane and the etchant source to selectively deposit doped Si-containing films. The selective deposition methods are useful in a variety of applications, such as semiconductor manufacturing.

摘要翻译： 化学气相沉积方法使用丙硅烷和含卤素蚀刻剂源（例如氯）在混合基底的选定区域上选择性沉积含Si膜。 掺杂源可以与丙硅烷和蚀刻剂源混合以选择性沉积掺杂的含Si薄膜。 选择性沉积方法可用于各种应用，例如半导体制造。

公开(公告)号：US07816236B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US11343264

申请日：2006-01-30

申请人： Matthias Bauer ,  Chantal Arena ,  Ronald Bertram ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Paul Jacobson ,  Keith Doran Weeks

发明人： Matthias Bauer ,  Chantal Arena ,  Ronald Bertram ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Paul Brabant ,  Joseph Italiano ,  Paul Jacobson ,  Keith Doran Weeks

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Chemical vapor deposition methods use trisilane and a halogen-containing etchant source (such as chlorine) to selectively deposit Si-containing films over selected regions of mixed substrates. Dopant sources may be intermixed with the trisilane and the etchant source to selectively deposit doped Si-containing films. The selective deposition methods are useful in a variety of applications, such as semiconductor manufacturing.

摘要翻译： 化学气相沉积方法使用丙硅烷和含卤素蚀刻剂源（例如氯）在混合基底的选定区域上选择性沉积含Si膜。 掺杂源可以与丙硅烷和蚀刻剂源混合以选择性沉积掺杂的含Si薄膜。 选择性沉积方法可用于各种应用，例如半导体制造。

公开(公告)号：US07514372B2

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：US10898021

申请日：2004-07-23

申请人： Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Matthias Bauer

发明人： Chantal Arena ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody ,  Matthias Bauer

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A relaxed silicon germanium structure comprises a silicon buffer layer produced using a chemical vapor deposition process with an operational pressure greater than approximately 1 torr. The relaxed silicon germanium structure further comprises a silicon germanium layer deposited over the silicon buffer layer. The silicon germanium layer has less than about 107 threading dislocations per square centimeter. By depositing the silicon buffer layer at a reduced deposition rate, the overlying silicon germanium layer can be provided with a “crosshatch free” surface.

摘要翻译： 松弛的硅锗结构包括使用具有大于约1托的操作压力的化学气相沉积工艺制备的硅缓冲层。 松弛的硅锗结构还包括沉积在硅缓冲层上的硅锗层。 硅锗层每平方厘米具有少于约107个穿透位错。 通过以降低的沉积速率沉积硅缓冲层，可以提供覆盖的硅锗层“无交叉阴极线”的表面。

公开(公告)号：US20070155138A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：US11439688

申请日：2006-05-23

申请人： Pierre Tomasini ,  Matthias Bauer ,  Nyles Cody

发明人： Pierre Tomasini ,  Matthias Bauer ,  Nyles Cody

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L21/02532 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/52 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

摘要： A new model is provided for the CVD growth of silicon germanium from silicon-containing and germanium-containing precursors. According to the new model, the germanium concentration x is related to the gas phase ratio according to the equation [x/(1−x)]2=mPGe/PSi, and m=Ae−E/(RT), where PSi is the partial pressure of the silicon-containing precursor, PGe is the partial pressure of the germanium-containing precursor, A is a constant, R is the universal gas constant, and T is the temperature. Methods and apparatuses are described for controlling CVD process parameters, associated with a series of reactions at constant or varied temperature, to achieve targeted germanium concentrations in silicon germanium films deposited onto semiconductor substrates. In particular, the new model can be used to calculate the resultant germanium concentration for selected precursor flow rates. The new model can also be used to control a precursor injection apparatus to achieve a desired germanium concentration.

摘要翻译： 提供了一种新型号，用于从含硅和含锗前体制备硅锗。 根据新模型，根据等式[x /（1-x）]，锗浓度x与气相比有关。 其中P 是含硅前体的分压，P < 含锗前体的分压为A，常数为R，通用气体常数为T，温度为T。 描述了用于控制与在恒定或变化的温度下的一系列反应相关联的CVD工艺参数以实现沉积在半导体衬底上的硅锗膜中的目标锗浓度的方法和装置。 特别地，新模型可用于计算所选择的前体流速的锗浓度。 新模型也可用于控制前体注入装置以实现所需的锗浓度。

公开(公告)号：US07648690B2

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：US12244724

申请日：2008-10-02

申请人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

发明人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

IPC分类号： C01B33/00 ,  C30B29/02

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Methods of making Si-containing films that contain relatively high levels of substitutional dopants involve chemical vapor deposition using trisilane and a dopant precursor. Extremely high levels of substitutional incorporation may be obtained, including crystalline silicon films that contain 2.4 atomic % or greater substitutional carbon. Substitutionally doped Si-containing films may be selectively deposited onto the crystalline surfaces of mixed substrates by introducing an etchant gas during deposition.

摘要翻译： 含有相对高含量的取代掺杂剂的含Si膜的方法涉及使用丙硅烷和掺杂剂前体的化学气相沉积。 可以获得非常高的取代掺入水平，包括含有2.4原子％或更高取代碳的晶体硅膜。 通过在沉积期间引入蚀刻剂气体，可将选择性地掺杂的含Si薄膜选择性地沉积在混合基板的晶体表面上。

公开(公告)号：US20090026496A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US12244724

申请日：2008-10-02

申请人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

发明人： Matthias Bauer ,  Keith Doran Weeks ,  Pierre Tomasini ,  Nyles Cody

IPC分类号： H01L29/737 ,  B32B5/00 ,  B32B9/00 ,  C01B31/36

CPC分类号： H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： Methods of making Si-containing films that contain relatively high levels of substitutional dopants involve chemical vapor deposition using trisilane and a dopant precursor. Extremely high levels of substitutional incorporation may be obtained, including crystalline silicon films that contain 2.4 atomic % or greater substitutional carbon. Substitutionally doped Si-containing films may be selectively deposited onto the crystalline surfaces of mixed substrates by introducing an etchant gas during deposition.

摘要翻译： 含有相对高含量的取代掺杂剂的含Si膜的方法涉及使用丙硅烷和掺杂剂前体的化学气相沉积。 可以获得非常高的取代掺入水平，包括含有2.4原子％或更高取代碳的晶体硅膜。 通过在沉积期间引入蚀刻剂气体，可将选择性地掺杂的含Si薄膜选择性地沉积在混合基板的晶体表面上。