公开(公告)号：US20060009041A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US10885969

申请日：2004-07-06

申请人： R. Iyer ,  Andrew Lam ,  Yuji Maeda ,  Thomas Mele ,  Faran Nouri ,  Jacob Smith ,  Sean Seutter ,  Sanjeev Tandon ,  Randhir Singh Thakur ,  Sunderraj Thirupapuliyur

发明人： R. Iyer ,  Andrew Lam ,  Yuji Maeda ,  Thomas Mele ,  Faran Nouri ,  Jacob Smith ,  Sean Seutter ,  Sanjeev Tandon ,  Randhir Singh Thakur ,  Sunderraj Thirupapuliyur

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843

摘要： An assembly comprises a multilayer nitride stack having nitride etch stop layers formed on top of one another, each of the nitride etch stop layers is formed using a film forming process. A method of making the multilayer nitride stack includes placing a substrate in a single wafer deposition chamber and thermally shocking the substrate momentarily prior to deposition. A first nitride etch stop layer is deposited over the substrate. A second nitride etch stop layer is deposited over the first nitride etch stop layer.

公开(公告)号：US20060286818A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11155646

申请日：2005-06-17

申请人： Yaxin Wang ,  Yuji Maeda ,  Thomas Mele ,  Sean Seutter ,  Sanjeev Tandon ,  R. Iyer

发明人： Yaxin Wang ,  Yuji Maeda ,  Thomas Mele ,  Sean Seutter ,  Sanjeev Tandon ,  R. Iyer

IPC分类号： H01L21/471

CPC分类号： H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834

摘要： Embodiments of the invention generally provide a method for depositing silicon-containing films. In one embodiment, a method for depositing silicon-containing material film on a substrate includes flowing a nitrogen and carbon containing chemical into a deposition chamber, flowing a silicon-containing source chemical having silicon-nitrogen bonds into the processing chamber, and heating the substrate disposed in the chamber to a temperature less than about 550 degrees Celsius. In another embodiment, the silicon containing chemical is trisilylamine and the nitrogen and carbon containing chemical is (CH3)3—N.

摘要翻译： 本发明的实施方案通常提供一种沉积含硅膜的方法。 在一个实施例中，将含​​硅材料膜沉积在基板上的方法包括将含氮和碳的化学品流入沉积室，将含有硅 - 氮键的含硅源化学品流入处理室，并加热基板 置于室内至低于约550摄氏度的温度。 在另一个实施方案中，含硅化学品是三甲基胺，含氮和碳的化学品是（CH 3 3）3 -N。

公开(公告)号：US07488690B2

公开(公告)日：2009-02-10

申请号：US10885969

申请日：2004-07-06

申请人： R. Suryanarayanan Iyer ,  Andrew M. Lam ,  Yuji Maeda ,  Thomas Mele ,  Jacob W. Smith ,  Sean M. Seutter ,  Sanjeev Tandon ,  Randhir P. Singh Thakur ,  Sunderraj Thirupapuliyur

发明人： R. Suryanarayanan Iyer ,  Andrew M. Lam ,  Yuji Maeda ,  Thomas Mele ,  Jacob W. Smith ,  Sean M. Seutter ,  Sanjeev Tandon ,  Randhir P. Singh Thakur ,  Sunderraj Thirupapuliyur

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/425 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843

摘要： An assembly comprises a multilayer nitride stack having nitride etch stop layers formed on top of one another, each of the nitride etch stop layers is formed using a film forming process. A method of making the multilayer nitride stack includes placing a substrate in a single wafer deposition chamber and thermally shocking the substrate momentarily prior to deposition. A first nitride etch stop layer is deposited over the substrate. A second nitride etch stop layer is deposited over the first nitride etch stop layer.

摘要翻译： 组件包括具有形成在彼此之上的氮化物蚀刻停止层的多层氮化物堆叠，每个氮化物蚀刻停止层使用成膜工艺形成。 制造多层氮化物堆叠的方法包括将衬底放置在单个晶片沉积室中，并在沉积之前瞬间热冲击衬底。 在衬底上沉积第一氮化物蚀刻停止层。 在第一氮化物蚀刻停止层上沉积第二氮化物蚀刻停止层。

公开(公告)号：US20070111538A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11273380

申请日：2005-11-12

申请人： R. Iyer ,  Sanjeev Tandon ,  Kangzhan Zhang ,  Rubi Lapena ,  Yuji Maeda

发明人： R. Iyer ,  Sanjeev Tandon ,  Kangzhan Zhang ,  Rubi Lapena ,  Yuji Maeda

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3081 ,  C23C16/345 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： Embodiments of methods for fabricating a silicon nitride stack on a semiconductor substrate are provided herein. In one embodiment, a method for fabricating a silicon nitride stack on a semiconductor substrate includes depositing a base layer comprising silicon nitride on the substrate using a first set of process conditions that selectively control the stress of the base layer; and depositing an upper layer comprising silicon nitride using a second set of process conditions that selectively control at least one of an oxidation resistance and a refractive index of the upper layer.

摘要翻译： 本文提供了在半导体衬底上制造氮化硅叠层的方法的实施例。 在一个实施例中，在半导体衬底上制造氮化硅堆叠的方法包括：使用选择性地控制基底层的应力的第一组工艺条件，在衬底上沉积包括氮化硅的基底层; 以及使用选择性地控制上层的抗氧化性和折射率中的至少一种的第二组工艺条件沉积包括氮化硅的上层。

公开(公告)号：US20090111284A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US12348382

申请日：2009-01-05

申请人： Yaxin Wang ,  Yuji Maeda ,  Thomas C. Mele ,  Sean M. Seutter ,  Sanjeev Tandon ,  R. Suryanarayanan Iyer

发明人： Yaxin Wang ,  Yuji Maeda ,  Thomas C. Mele ,  Sean M. Seutter ,  Sanjeev Tandon ,  R. Suryanarayanan Iyer

IPC分类号： H01L21/314

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834

摘要： Embodiments of the invention generally provide a method for depositing silicon-containing films. In one embodiment, a method for depositing silicon-containing material film on a substrate includes heating a substrate disposed in a processing chamber to a temperature less than about 550 degrees Celsius; flowing a nitrogen and carbon containing chemical comprising (H3C)—N═N—H into the processing chamber; flowing a silicon-containing source chemical with silicon-nitrogen bonds into the processing chamber; and depositing a silicon and nitrogen containing film on the substrate.

摘要翻译： 本发明的实施方案通常提供一种沉积含硅膜的方法。 在一个实施例中，用于在衬底上沉积含硅材料膜的方法包括将设置在处理室中的衬底加热到​​低于约550摄氏度的温度; 将含有（H3C）-N-N-H的含氮和碳的化学品流入处理室; 将含有硅 - 氮键的含硅源化学品流入处理室; 以及在衬底上沉积含硅和氮的膜。

公开(公告)号：US07465669B2

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：US11273380

申请日：2005-11-12

申请人： R. Suryanarayanan Iyer ,  Sanjeev Tandon ,  Kangzhan Zhang ,  Rubi Lapena ,  Yuji Maeda

发明人： R. Suryanarayanan Iyer ,  Sanjeev Tandon ,  Kangzhan Zhang ,  Rubi Lapena ,  Yuji Maeda

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/3081 ,  C23C16/345 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185

摘要： Embodiments of methods for fabricating a silicon nitride stack on a semiconductor substrate are provided herein. In one embodiment, a method for fabricating a silicon nitride stack on a semiconductor substrate includes depositing a base layer including silicon nitride on the substrate using a first set of process conditions that selectively control the stress of the base layer; and depositing an upper layer including silicon nitride using a second set of process conditions that selectively control at least one of an oxidation resistance and a refractive index of the upper layer.

摘要翻译： 本文提供了在半导体衬底上制造氮化硅叠层的方法的实施例。 在一个实施例中，在半导体衬底上制造氮化硅叠层的方法包括：使用选择性地控制所述基底层的应力的第一组工艺条件，将包括氮化硅的基底层沉积在所述衬底上; 以及使用选择性地控制上层的抗氧化性和折射率中的至少一种的第二组工艺条件沉积包括氮化硅的上层。

公开(公告)号：US07473655B2

公开(公告)日：2009-01-06

申请号：US11155646

申请日：2005-06-17

申请人： Yaxin Wang ,  Yuji Maeda ,  Thomas C. Mele ,  Sean M. Seutter ,  Sanjeev Tandon ,  R. Suryanarayanan Iyer

发明人： Yaxin Wang ,  Yuji Maeda ,  Thomas C. Mele ,  Sean M. Seutter ,  Sanjeev Tandon ,  R. Suryanarayanan Iyer

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834

摘要： Embodiments of the invention generally provide a method for depositing silicon-containing films. In one embodiment, a method for depositing silicon-containing material film on a substrate includes flowing a nitrogen and carbon containing chemical into a deposition chamber, flowing a silicon-containing source chemical having silicon-nitrogen bonds into the processing chamber, and heating the substrate disposed in the chamber to a temperature less than about 550 degrees Celsius. In another embodiment, the silicon containing chemical is trisilylamine and the nitrogen and carbon containing chemical is (CH3)3—N.

摘要翻译： 本发明的实施方案通常提供一种沉积含硅膜的方法。 在一个实施例中，将含​​硅材料膜沉积在基板上的方法包括将含氮和碳的化学品流入沉积室，将含有硅 - 氮键的含硅源化学品流入处理室，并加热基板 置于室内至低于约550摄氏度的温度。 在另一个实施方案中，含硅化学品是三甲基胺，含氮和碳的化学品是（CH 3）3 -N。

公开(公告)号：US06156382A

公开(公告)日：2000-12-05

申请号：US857658

申请日：1997-05-16

申请人： Ravi Rajagopalan ,  Steve Ghanayem ,  Manabu Yamazaki ,  Keiichi Ohtsuka ,  Yuji Maeda

发明人： Ravi Rajagopalan ,  Steve Ghanayem ,  Manabu Yamazaki ,  Keiichi Ohtsuka ,  Yuji Maeda

IPC分类号： C23C16/08 ,  C23C16/02 ,  C23C16/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76838 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/14 ,  H01L21/28556

摘要： A multiple step chemical vapor deposition process for depositing a tungsten layer on a substrate. A first step of the deposition process includes a nucleation step in which WF.sub.6 and SiH.sub.4 are introduced into a deposition chamber. Next, the flow of WF.sub.6 and SiH.sub.4 are stopped and diborane is introduced into the chamber for between 5-25 seconds. Finally, during a bulk deposition step, the WF.sub.6 is reintroduced into the chamber along with H.sub.2 and B.sub.2 H.sub.6 flows to deposit a tungsten layer on the substrate. In a preferred embodiment, the bulk deposition step also introduces nitrogen into the process gas.

摘要翻译： 用于在基底上沉积钨层的多步化学气相沉积工艺。 沉积工艺的第一步包括将WF 6和SiH 4引入沉积室的成核步骤。 接下来，停止WF6和SiH4的流动，并将乙硼烷引入室中5-25秒。 最后，在大量沉积步骤期间，将WF6与H 2和B 2 H 6流一起重新引入室中，以在衬底上沉积钨层。 在优选的实施方案中，本体沉积步骤还将氮气引入工艺气体中。

公开(公告)号：US5399550A

公开(公告)日：1995-03-21

申请号：US947787

申请日：1992-09-18

申请人： Yuji Maeda ,  Takayoshi Fujii ,  Masanori Ikuzawa ,  Kenichi Matsunaga ,  Tamotsu Kanoh ,  Shigeaki Muto

发明人： Yuji Maeda ,  Takayoshi Fujii ,  Masanori Ikuzawa ,  Kenichi Matsunaga ,  Tamotsu Kanoh ,  Shigeaki Muto

IPC分类号： A23L2/52 ,  A01N37/18 ,  A21D2/38 ,  A23G1/02 ,  A23L1/16 ,  A23L1/185 ,  A23L1/30 ,  A23L2/00 ,  A61K36/00 ,  A61K36/899 ,  A61K36/8998 ,  A61K38/00 ,  A61P3/08 ,  A61P7/02 ,  A61P9/00 ,  A61P9/08 ,  A61P9/10 ,  A61P9/12 ,  A61P13/02 ,  A61P15/00 ,  A61P25/04 ,  A61P43/00 ,  C07K1/00 ,  C07K1/30 ,  C07K4/00 ,  C07K14/415 ,  A61K37/00 ,  A61K37/10

CPC分类号： A61K36/8998 ,  A61K36/899

摘要： A multi-functional physiologically active substance can be obtained from the residue of saccharified malt which has been worthless other than feed for cattle. The isolation of the active substance is performed by an extraction of the residue with water or an aqueous solvent and removal of a low molecular weight fraction from the extract.

摘要翻译： 可从糖化麦芽的残留物中获得多功能的生理活性物质，其除牛饲料以外是无价值的。 活性物质的分离是通过用水或水性溶剂萃取残余物并从提取物中除去低分子量馏分来进行的。

公开(公告)号：US5312809A

公开(公告)日：1994-05-17

申请号：US755834

申请日：1991-09-06

申请人： Yuji Maeda ,  Takayoshi Fujii ,  Masanori Ikuzawa ,  Kenichi Matsunaga ,  Tamotsu Kanoh ,  Shigeaki Muto

发明人： Yuji Maeda ,  Takayoshi Fujii ,  Masanori Ikuzawa ,  Kenichi Matsunaga ,  Tamotsu Kanoh ,  Shigeaki Muto

IPC分类号： A23L2/52 ,  A01N37/18 ,  A21D2/38 ,  A23G1/02 ,  A23L1/16 ,  A23L1/185 ,  A23L1/30 ,  A23L2/00 ,  A61K36/00 ,  A61K36/899 ,  A61K36/8998 ,  A61K38/00 ,  A61P3/08 ,  A61P7/02 ,  A61P9/00 ,  A61P9/08 ,  A61P9/10 ,  A61P9/12 ,  A61P13/02 ,  A61P15/00 ,  A61P25/04 ,  A61P43/00 ,  C07K1/00 ,  C07K1/30 ,  C07K4/00 ,  C07K14/415 ,  A61K37/10

CPC分类号： A61K36/8998 ,  A61K36/899

摘要： A multi-functional physiologically active substance can be obtained from the residue of saccharified malt which is worthless other than feed for cattle. The isolation of the active substance is performed by an extraction of the residue with water or an aqueous solvent and removal of a low molecular weight fraction from the extract.

摘要翻译： 可以从糖化麦芽的残留物获得多功能的生理活性物质，其除牛饲料之外是无价值的。 活性物质的分离是通过用水或水性溶剂萃取残余物并从提取物中除去低分子量馏分来进行的。