公开(公告)号：US06613622B1

公开(公告)日：2003-09-02

申请号：US10194165

申请日：2002-07-15

申请人： Rajesh S. Nair ,  Takeshi Ishiguro

发明人： Rajesh S. Nair ,  Takeshi Ishiguro

IPC分类号： H01L21337

CPC分类号： H01L29/7835 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7801

摘要： A semiconductor device (10, 40) is formed to have a well (19) in a substrate (11). The well and the substrate have the same doping type, for example both P-type or both N-type. Low resistance contact regions (26, 27) of a second conductivity type are formed to at least abut the well. A drain (17) is formed within one low resistance contact region. A source (12) is formed in the substrate and laterally displaced from the other low resistance contact region. A buried layer (21, 22, 23) is formed laterally across the well.

摘要翻译： 半导体器件（10,40）形成为在衬底（11）中具有阱（19）。 阱和衬底具有相同的掺杂类型，例如P型或N型两者。 形成第二导电类型的低电阻接触区域（26,27）以至少邻接阱。 漏极（17）形成在一个低电阻接触区域内。 源（12）形成在基板中并且从另一个低电阻接触区域横向移位。 掩埋层（21,22,23）横跨井形成。

公开(公告)号：US06589845B1

公开(公告)日：2003-07-08

申请号：US10195166

申请日：2002-07-16

申请人： Rajesh S. Nair ,  Zia Hossain ,  Takeshi Ishiguro ,  Mohamed Imam

发明人： Rajesh S. Nair ,  Zia Hossain ,  Takeshi Ishiguro ,  Mohamed Imam

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L29/7835 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/7802

摘要： A method of forming a semiconductor device (10, 40, 45, 50) forms a plurality of P and N stripes (16,17) within a first region (12) that is formed with an opposite conductivity to a substrate (11). The plurality of P and N stripes assist in providing a low on-resistance. A portion (15) of the first region underlies the P and N stripes and protects the semiconductor device from high voltages applied to the drain. A base layer (41) and a cap layer (48) further reduce the on-resistance of the semiconductor device.

摘要翻译： 形成半导体器件（10,40,45,50）的方法在与衬底（11）相反的导电性形成的第一区域（12）内形成多个P和N条纹（16,17）。 多个P和N条纹有助于提供低导通电阻。 第一区域的一部分（15）位于P和N条纹之下，并保护半导体器件免受施加到漏极的高电压。 基底层（41）和盖层（48）进一步降低半导体器件的导通电阻。

公开(公告)号：US06982461B2

公开(公告)日：2006-01-03

申请号：US10729292

申请日：2003-12-08

申请人： Zia Hossain ,  Shanghui Tu ,  Takeshi Ishiguro ,  Rajesh S. Nair

发明人： Zia Hossain ,  Shanghui Tu ,  Takeshi Ishiguro ,  Rajesh S. Nair

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L29/41758 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/7835

摘要： In one embodiment, a lateral FET structure (30) is formed in a body of semiconductor material (32). The structure (30) includes a plurality non-interdigitated drain regions (39) that are coupled together with a conductive layer (57), and a plurality of source regions (34) that are coupled together with a different conductive layer (51). One or more interlayer dielectrics (53,54) separate the two conductive layers (51,57). The individual source regions (34) are absent small radius fingertip regions.

摘要翻译： 在一个实施例中，横向FET结构（30）形成在半导体材料（32）的主体中。 结构（30）包括与导电层（57）耦合在一起的多个非交错漏极区域（39）和与不同的导电层（51）耦合在一起的多个源极区域（34）。 一个或多个层间电介质（53,54）分离两个导电层（51,57）。 各个源区域（34）不存在小半径指尖区域。

公开(公告)号：US08012806B2

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US12031895

申请日：2008-02-15

申请人： Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura ,  Hugh J. Griffin

发明人： Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura ,  Hugh J. Griffin

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/46 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L29/0634

摘要： A method of manufacturing a superjunction device includes providing a semiconductor wafer having at least one die. At least one first trench having a first orientation is formed in the at least one die. At least one second trench having a second orientation that is different from the first orientation is formed in the at least one die.

摘要翻译： 制造超结装置的方法包括提供具有至少一个管芯的半导体晶片。 在至少一个管芯中形成具有第一取向的至少一个第一沟槽。 在至少一个管芯中形成具有不同于第一取向的第二取向的至少一个第二沟槽。

公开(公告)号：US07795045B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US12371021

申请日：2009-02-13

申请人： Hugh J. Griffin ,  Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura

发明人： Hugh J. Griffin ,  Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura

IPC分类号： H01L21/00 ,  G01R31/26

CPC分类号： H01L22/12 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00619 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0138 ,  H01L21/3065 ,  H01L22/26 ,  H01L29/0634 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing a semiconductor wafer having at least one device trench extending to a first depth position includes providing a semiconductor substrate having first and second main surfaces and a semiconductor material layer having first and second main surfaces disposed on the first main surface of the semiconductor substrate and determining an etch ratio. The least one device trench and at least one monitor trench are simultaneously formed in the first main surface of the semiconductor material layer. The at least one monitor trench is monitored to detect when it extends to a second depth position. A ratio of the first depth position to the second depth position is generally equal to the etch ratio.

摘要翻译： 制造具有延伸到第一深度位置的至少一个器件沟槽的半导体晶片的方法包括提供具有第一和第二主表面的半导体衬底和具有设置在半导体的第一主表面上的第一和第二主表面的半导体材料层 衬底并确定蚀刻比。 在半导体材料层的第一主表面中同时形成至少一个器件沟槽和至少一个监测沟槽。 监视至少一个监视器沟槽以检测其何时延伸到第二深度位置。 第一深度位置与第二深度位置的比率通常等于蚀刻比。

公开(公告)号：US07632760B2

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：US11099895

申请日：2005-04-07

申请人： Shanghui Larry Tu ,  Takeshi Ishiguro ,  Fumika Kuramae ,  Ryuji Omi

发明人： Shanghui Larry Tu ,  Takeshi Ishiguro ,  Fumika Kuramae ,  Ryuji Omi

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/404 ,  H01L29/408 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： In one embodiment, a high voltage semiconductor device is formed with a first dielectric layer and a charge stabilization layer comprising a flowable glass formed over the first dielectric layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，高压半导体器件形成有第一介电层和电荷稳定层，其包含在第一介电层上形成的可流动玻璃。

公开(公告)号：US20090200634A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：US12371025

申请日：2009-02-13

申请人： Takeshi Ishiguro ,  Hugh J. Griffin ,  Kenji Sugiura

发明人： Takeshi Ishiguro ,  Hugh J. Griffin ,  Kenji Sugiura

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/425

CPC分类号： H01L21/26586 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0634

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes providing a semiconductor wafer and forming at least one first trench in the wafer having first and second sidewalls and a first orientation on the wafer. The first sidewall of the at least one first trench is implanted with a dopant of a first conductivity at a first implantation direction. The first sidewall of the at least one first trench is implanted with the dopant of the first conductivity at a second implantation direction. The second implantation direction is orthogonal to the first implantation direction. The first and second implantation directions are non-orthogonal to the first sidewall.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括提供半导体晶片并且在晶片中形成具有第一和第二侧壁的晶片中的至少一个第一沟槽和在晶片上的第一取向。 所述至少一个第一沟槽的第一侧壁在第一注入方向上注入具有第一导电性的掺杂剂。 至少一个第一沟槽的第一侧壁在第二植入方向上注入第一导电性的掺杂剂。 第二注入方向与第一注入方向正交。 第一和第二注入方向与第一侧壁不正交。

公开(公告)号：US20080258226A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US12029857

申请日：2008-02-12

申请人： Takeshi Ishiguro

发明人： Takeshi Ishiguro

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/088 ,  H01L27/095 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66712

摘要： Methods for manufacturing trench type semiconductor devices containing thermally unstable refill materials are provided. A disposable material is used to fill the trenches and is subsequently replaced by a thermally sensitive refill material after the high temperature processes are performed. Trench type semiconductor devices manufactured according to method embodiments are also provided.

摘要翻译： 提供了包含热不稳定的再填充材料的沟槽型半导体器件的制造方法。 使用一次性材料来填充沟槽，并且在进行高温处理之后随后被热敏补充材料置换。 还提供了根据方法实施例制造的沟槽型半导体器件。

公开(公告)号：US20060266709A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：US11494644

申请日：2006-07-28

申请人： Akihiro Matabe ,  Hirofumi Oda ,  Takeshi Ishiguro

发明人： Akihiro Matabe ,  Hirofumi Oda ,  Takeshi Ishiguro

IPC分类号： B01D15/08

CPC分类号： B01D15/3833 ,  B01D15/40 ,  G01N30/02

摘要： A supercritical fluid chromatography using a column using a column having an optical isomer separating agent containing a polysaccharide derivative capable of optical isomer separation, wherein use is made of a mobile phase containing a supercritical fluid and wherein as the optical isomer separating agent received in the column to conduct optical isomer separation, an optical separating agent containing a polysaccharide derivative capable of optical isomer separation in an amount of 50% by mass or more based on the entirety of the optical isomer separating agent is used to thereby, even in the use of optical isomer separating agent with a multiplicity of identification sites, enable accomplishing excellent separation of optical isomers.

摘要翻译： 使用具有含有能够进行光学异构体分离的多糖衍生物的光学异构体分离剂的柱的柱的超临界流体色谱法，其中使用含有超临界流体的流动相，其中作为在柱中接受的旋光异构体分离剂 为了进行光学异构体分离，使用含有以光学异构体分离剂的全部为50质量％以上的能够进行光学异构体分离的多糖衍生物的光学分离剂，由此即使在使用光学 具有多个鉴定位点的异构体分离剂，能够实现光学异构体的优异分离。

公开(公告)号：US09543380B2

公开(公告)日：2017-01-10

申请号：US13169378

申请日：2011-06-27

申请人： Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura ,  Hugh J. Griffin

发明人： Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura ,  Hugh J. Griffin

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0634

摘要： A method of manufacturing a superjunction device includes providing a semiconductor wafer having at least one die. At least one first trench having a first orientation is formed in the at least one die. At least one second trench having a second orientation that is different from the first orientation is formed in the at least one die.

摘要翻译： 制造超结装置的方法包括提供具有至少一个管芯的半导体晶片。 在至少一个管芯中形成具有第一取向的至少一个第一沟槽。 在至少一个管芯中形成具有不同于第一取向的第二取向的至少一个第二沟槽。