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    Method of making current-perpendicular-to-the-plane structure magnetoresistive element
    1.
    发明授权
    Method of making current-perpendicular-to-the-plane structure magnetoresistive element 失效
    制造电流垂直于平面结构的磁阻元件的方法

    公开(公告)号：US07377026B2

    公开(公告)日：2008-05-27

    申请号：US11431757

    申请日：2006-05-10

    申请人： Shin Eguchi ,  Chikayoshi Kamata ,  Junya Ikeda ,  Atsushi Tanaka

    发明人： Shin Eguchi ,  Chikayoshi Kamata ,  Junya Ikeda ,  Atsushi Tanaka

    IPC分类号： G11B5/187

    CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3903 ,  H01F10/3254 ,  H01L43/12 ,  Y10T29/49041 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49052

    摘要： A magnetoresistive film is formed on the surface of a lower electrode layer in a method of making a current-perpendicular-to-the-plane structure magnetoresistive element. The magnetoresistive film includes a lower portion and an upper portion overlaid on the lower portion. The lower portion includes at least a pinned magnetic layer. The upper portion includes at least a free magnetic layer. A pair of domain control magnetic layers is formed to sandwich the magnetoresistive film. An insulator film is formed to cover over the domain control magnetic layers. The upper portion is subjected to an etching process. The domain control magnetic layers are reliably prevented from being removed during the etching process. Accordingly, the domain control magnetic layers are allowed to reliably sandwich the upper portion of the magnetoresistive film in the aforementioned manner.

    摘要翻译： 在制造电流 - 垂直于平面结构的磁阻元件的方法中，在下电极层的表面上形成磁阻膜。 磁阻膜包括下部和覆盖在下部上的上部。 下部包括至少一个钉扎的磁性层。 上部包括至少一个自由磁性层。 形成一对区域控制磁性层以夹持磁阻膜。 形成绝缘膜以覆盖域控制磁性层上。 对上部进行蚀刻处理。 在蚀刻处理期间可靠地防止畴控制磁性层被去除。 因此，允许域控制磁性层以上述方式可靠地夹住磁阻膜的上部。

    Magnetic memory element and method of manufacturing the same
    5.
    发明授权
    Magnetic memory element and method of manufacturing the same 有权
    磁记忆元件及其制造方法

    公开(公告)号：US09117924B2

    公开(公告)日：2015-08-25

    申请号：US13729297

    申请日：2012-12-28

    申请人： Eiji Kitagawa ,  Chikayoshi Kamata ,  Saori Kashiwada ,  Yushi Kato ,  Tadaomi Daibou

    发明人： Eiji Kitagawa ,  Chikayoshi Kamata ,  Saori Kashiwada ,  Yushi Kato ,  Tadaomi Daibou

    IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L29/66 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08

    CPC分类号： H01L29/82 ,  H01L29/66007 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

    摘要： According to one embodiment, a magnetic memory element includes a first magnetic layer having a first surface and a second surface being opposite to the first surface, a second magnetic layer, an intermediate layer which is provided between the first surface of the first magnetic layer and the second magnetic layer, a layer which is provided on the second surface of the first magnetic layer, the layer containing B and at least one element selected from Hf, Al, and Mg, and an insulating layer which is provided on a sidewall of the intermediate layer, the insulating layer containing at least one element selected from the Hf, Al, and Mg contained in the layer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储元件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的第一磁性层，第二磁性层，设置在第一磁性层的第一表面和 第二磁性层，设置在第一磁性层的第二表面上的层，含有B的层和选自Hf，Al和Mg的至少一种元素，以及设置在第一磁性层的侧壁上的绝缘层 中间层，所述绝缘层含有选自所述层中所含的Hf，Al和Mg中的至少一种元素。

    Magnetoresistive element and magnetic memory
    6.
    发明授权
    Magnetoresistive element and magnetic memory 有权
    磁阻元件和磁记忆体

    公开(公告)号：US08878317B2

    公开(公告)日：2014-11-04

    申请号：US13210678

    申请日：2011-08-16

    申请人： Tadaomi Daibou ,  Minoru Amano ,  Daisuke Saida ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Chikayoshi Kamata ,  Saori Kashiwada ,  Hiroaki Yoda

    发明人： Tadaomi Daibou ,  Minoru Amano ,  Daisuke Saida ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Chikayoshi Kamata ,  Saori Kashiwada ,  Hiroaki Yoda

    IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L43/10 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

    CPC分类号： H01L43/02 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a first to third ferromagnetic layers, and a first nonmagnetic layer, the first and second ferromagnetic layers each having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to a film plane, the third ferromagnetic layer including a plurality of ferromagnetic oscillators generating rotating magnetic fields of different oscillation frequencies from one another. Spin-polarized electrons are injected into the first ferromagnetic layer and induce precession movements in the plurality of ferromagnetic oscillators of the third ferromagnetic layer by flowing a current between the first and third ferromagnetic layers, the rotating magnetic fields are generated by the precession movements and are applied to the first ferromagnetic layer, and at least one of the rotating magnetic fields assists a magnetization switching in the first ferromagnetic layer.

    摘要翻译： 根据实施例的磁阻元件包括：第一至第三铁磁层和第一非磁性层，第一和第二铁磁层各自在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴，所述第三铁磁层包括 多个铁磁振荡器产生彼此不同振荡频率的旋转磁场。 旋转极化电子被注入到第一铁磁层中并通过在第一和第三铁磁层之间流动电流而引起第三铁磁层的多个铁磁振荡器中的进动运动，旋转磁场由进动运动产生，并且是 施加到第一铁磁层，并且至少一个旋转磁场有助于第一铁磁层中的磁化切换。

    Method of producing mask
    7.
    发明授权
    Method of producing mask 有权
    生产面膜的方法

    公开(公告)号：US08080478B2

    公开(公告)日：2011-12-20

    申请号：US12873652

    申请日：2010-09-01

    申请人： Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito ,  Saori Kashiwada ,  Chikayoshi Kamata

    发明人： Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito ,  Saori Kashiwada ,  Chikayoshi Kamata

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L43/12

    摘要： According to one embodiment, a method of producing a mask includes: a step of forming a pattern on a substrate; a step of forming a first film that covers the top surface and side surface of the pattern and contains a first material; a step of forming a second film containing a second material on the first film; a step of performing anisotropic etching of the first and second films in a way that forms a sidewall layer including the first and second films on the side surface of the pattern and removes the first and second films on any location other than the sidewall layer; a step of performing isotropic etching of the first film of the sidewall layer; and a step of removing the pattern.

    摘要翻译： 根据一个实施例，制造掩模的方法包括：在基板上形成图案的步骤; 形成覆盖图案的顶表面和侧表面并包含第一材料的第一膜的步骤; 在所述第一膜上形成含有第二材料的第二膜的步骤; 以在图案的侧表面上形成包括第一和第二膜的侧壁层的方式进行第一和第二膜的各向异性蚀刻的步骤，并且除了侧壁层之外的任何位置去除第一和第二膜; 对侧壁层的第一膜进行各向同性蚀刻的步骤; 以及去除图案的步骤。

    NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY APPARATUS
    8.
    发明申请
    NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY APPARATUS 有权
    非易失性存储器件和非易失性存储器件

    公开(公告)号：US20110216575A1

    公开(公告)日：2011-09-08

    申请号：US13043097

    申请日：2011-03-08

    申请人： Takeshi Yamaguchi ,  Chikayoshi Kamata

    发明人： Takeshi Yamaguchi ,  Chikayoshi Kamata

    IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L45/00

    CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/147

    摘要： According to one embodiment, a nonvolatile memory device includes a recording layer and a conductive first layer. The recording layer includes a main group element, a transition element, and oxygen. The recording layer is capable of recording information by changing reversibly between a high resistance state and a low resistance state. The first layer is made of at least one selected from a metal, a metal oxide, a metal nitride, and a metal carbide. The first layer is provided adjacent to the recording layer. The first layer includes the main group element with a concentration lower than a concentration of the main group element of the recording layer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性存储器件包括记录层和导电第一层。 记录层包括主要组元素，过渡元素和氧气。 记录层能够通过在高电阻状态和低电阻状态之间可逆地改变来记录信息。 第一层由选自金属，金属氧化物，金属氮化物和金属碳化物中的至少一种制成。 第一层邻近记录层设置。 第一层包括浓度低于记录层的主要组分的浓度的主要组元素。

    INFORMATION RECORDING AND REPRODUCING DEVICE
    10.
    发明申请
    INFORMATION RECORDING AND REPRODUCING DEVICE 有权
    信息记录和复制设备

    公开(公告)号：US20110031459A1

    公开(公告)日：2011-02-10

    申请号：US12886254

    申请日：2010-09-20

    申请人： Kohichi KUBO ,  Chikayoshi Kamata ,  Takayuki Tsukamoto ,  Shinya Aoki ,  Takahiro Hirai ,  Tsukasa Nakai ,  Toshiro Hiraoka

    发明人： Kohichi KUBO ,  Chikayoshi Kamata ,  Takayuki Tsukamoto ,  Shinya Aoki ,  Takahiro Hirai ,  Tsukasa Nakai ,  Toshiro Hiraoka

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/1481 ,  G11B9/149 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101

    摘要： According to one embodiment, an information recording and reproducing device includes a first layer, a second layer and a recording layer. The recording layer is provided between the first layer and the second layer and being capable of reversibly changing between a first state having a first resistance and a second state having a second resistance higher than the first resistance. The recording layer includes a first compound layer and a second compound layer. The first compound layer contains a first compound. The first compound includes a first cation element and a second cation element of a type different from the first cation element. The second compound layer contains a second compound. The second compound includes a transition element having a d-orbital partially filled with electron, and the second compound includes a void site capable of storing at least one of the first cation element and the second cation element.

    摘要翻译： 根据一个实施例，信息记录和再现装置包括第一层，第二层和记录层。 记录层设置在第一层和第二层之间，并且能够在具有第一电阻的第一状态和具有高于第一电阻的第二电阻的第二状态之间可逆地改变。 记录层包括第一化合物层和第二化合物层。 第一化合物层含有第一化合物。 第一化合物包括第一阳离子元件和不同于第一阳离子元件的第二阳离子元件。 第二化合物层含有第二化合物。 第二化合物包括具有部分填充有电子的d轨道的过渡元素，并且第二化合物包括能够存储第一阳离子元件和第二阳离子元素中的至少一种的空隙位置。