公开(公告)号：US09099843B1

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：US13937358

申请日：2013-07-09

Applicant: SORAA, INC.

Inventor： James W. Raring ,  Hua Huang

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/32 ,  H01S5/22 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/34333 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S2304/04

Abstract: Methods and devices configured to operate at high temperatures using semi-polar oriented gallium and nitrogen containing substrates for optical applications are disclosed.

Abstract translation: 公开了配置为在高温下使用半极性取向的含镓和氮的基底用于光学应用的方法和装置。

公开(公告)号：US09088135B1

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：US13928805

申请日：2013-06-27

Applicant: Soraa, Inc.

Inventor： James W. Raring ,  Hua Huang

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/34333 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0042 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Gallium and nitrogen containing optical devices operable as laser diodes are disclosed. The devices include a gallium and nitrogen containing substrate member, which may be semipolar or non-polar. The devices include a chip formed from the gallium and nitrogen substrate member. The chip has a width and a length. The devices have a cavity oriented substantially parallel to the length of the chip, a dimension of less than 120 microns characterizing the width of the chip, and a pair of etched facets configured on the cavity of the chip. The pair of etched facets includes a first facet configured at a first end of the cavity and a second facet configured at a second end of the cavity.

Abstract translation: 公开了可操作为激光二极管的含镓和氮的光学器件。 这些器件包括含镓和氮的衬底构件，其可以是半极性或非极性的。 这些器件包括由镓和氮衬底构件形成的芯片。 芯片具有宽度和长度。 器件具有基本上平行于芯片的长度的空腔，尺寸小于120微米，表征芯片的宽度，以及配置在芯片的空腔上的一对蚀刻刻面。 一对蚀刻刻面包括构造在空腔的第一端处的第一刻面和构造在空腔的第二端处的第二小面。

公开(公告)号：US09343871B1

公开(公告)日：2016-05-17

申请号：US13850187

申请日：2013-03-25

Applicant: SORAA, INC.

Inventor： James W. Raring ,  Hua Huang

IPC: H01S5/028

CPC classification number: H01S5/0287 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0285 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333

Abstract: Nonpolar or semipolar laser diode technology incorporating etched facet mirror formation and conventional optical coating layer techniques for reflectivity modification to enable a method for ultra-high catastrophic optical mirror damage thresholds for high power laser diodes are disclosed.

Abstract translation: 公开了非极性或半极性激光二极管技术，其包括蚀刻面镜形成和用于反射率修改的常规光学涂层技术，以实现用于大功率激光二极管的超高灾难性光学镜损伤阈值的方法。

公开(公告)号：US08971368B1

公开(公告)日：2015-03-03

申请号：US13794410

申请日：2013-03-11

Applicant: Soraa, Inc.

Inventor： James W. Raring ,  Mathew Schmidt ,  Bryan Ellis ,  Hua Huang ,  Melvin McLaurin ,  Christiane Poblenz

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/3202 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031 ,  H01S2304/04

Abstract: Laser devices formed on a semipolar surface region of a gallium and nitrogen containing material are disclosed. The laser devices have a laser stripe configured to emit a laser beam having a cross-polarized emission state.

公开(公告)号：US09025635B2

公开(公告)日：2015-05-05

申请号：US13732233

申请日：2012-12-31

Applicant: Soraa, Inc.

Inventor： Eric Goutain ,  James W. Raring ,  Paul Rudy ,  Hua Huang

IPC: H01S5/22 ,  G02B6/27 ,  H01S5/343 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/42 ,  H01S5/00 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/028 ,  H01S5/40 ,  H01S5/042

CPC classification number: F21K9/60 ,  B82Y20/00 ,  F21K9/62 ,  F21K9/64 ,  F21V9/30 ,  F21V23/06 ,  F21V29/713 ,  F21V29/83 ,  F21Y2101/00 ,  F21Y2115/10 ,  F21Y2115/30 ,  G02B6/0005 ,  G02B6/26 ,  G02B6/27 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/4249 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0085 ,  H01S5/0092 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02224 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/3235 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4056 ,  H01S2301/14 ,  H01S2304/04

Abstract: A method and device for emitting electromagnetic radiation at high power using nonpolar or semipolar gallium containing substrates such as GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN, and AlInGaN, is provided. In various embodiments, the laser device includes plural laser emitters emitting green or blue laser light, integrated a substrate.

Abstract translation: 提供了一种使用非极性或半极性含镓衬底如GaN，AlN，InN，InGaN，AlGaN和AlInGaN发射高功率电磁辐射的方法和装置。 在各种实施例中，激光装置包括发射绿色或蓝色激光的多个激光发射器，集成了一个衬底。