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1.发明授权Quinonediazide positive photoresist utilizing mixed solvent consisting essentially of 3-methyl-3-methoxy butanol and propylene glycol alkyl ether acetate 失效使用基本上由3-甲基-3-甲氧基丁醇和丙二醇烷基醚乙酸酯组成的混合溶剂的喹诺酮叠氮化物正光致抗蚀剂
公开(公告)号：US5853947A
公开(公告)日：1998-12-29
申请号：US576748
申请日：1995-12-21
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/022 , G03F7/023 , H01L21/027 , G03C1/61
CPC分类号： G03F7/0048 , G03F7/022 , G03F7/0236
摘要： A photosensitive positive working photosensitive composition suitable for use as a photoresist, which comprises an admixture of at least one water insoluble, aqueous alkali soluble, film forming novolak resin; at least one o-diazonaphthoquinone photosensitizer; and a photoresist solvent mixture comprising a propylene glycol alkyl ether acetate and 3-methyl-3-methoxy butanol and process for producing such a composition.
摘要翻译： 适合用作光致抗蚀剂的感光性正性感光性组合物，其包含至少一种不溶于水的碱溶性水溶性成膜酚醛清漆树脂的混合物; 至少一种邻二氮萘醌光敏剂; 以及包含丙二醇烷基醚乙酸酯和3-甲基-3-甲氧基丁醇的光致抗蚀剂溶剂混合物及其制备方法。
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2.发明授权
公开(公告)号：US5739265A
公开(公告)日：1998-04-14
申请号：US530847
申请日：1995-09-20
CPC分类号： C08G8/08 , G03F7/0236
摘要： A process for producing a water insoluble, aqueous alkali soluble, film forming novolak resin having low metal ions, made by the fractionation of a phenol formaldehyde condensation product, a process for producing a resin a photoresist composition of superior quality containing such novolak resin, and a method for producing a semiconductor device using such photoresist composition.
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3.发明授权Fractionation of phenol formaldehyde condensate and photoresist compositions produced therefrom 失效分离苯酚甲醛缩合物和由其制备的光致抗蚀剂组合物
公开(公告)号：US5976761A
公开(公告)日：1999-11-02
申请号：US47571
申请日：1998-03-25
CPC分类号： C08G8/08 , G03F7/0236
摘要： A process for producing a water insoluble, aqueous alkali soluble, film forming novolak resin having low metal ions, made by the fractionation of a phenol formaldehyde condensation product, a process for producing a resin a photoresist composition of superior quality containing such novolak resin, and a method for producing a semiconductor device using such photoresist composition.
摘要翻译： 通过分解苯酚甲醛缩合产物制备具有低金属离子的水不溶性水溶性成膜酚醛清漆树脂的方法，含有这种酚醛清漆树脂的具有优良品质的光致抗蚀剂组合物的方法，以及 使用这种光致抗蚀剂组合物的半导体器件的制造方法。
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4.发明授权Fractionation of phenol formaldehyde condensate and photoresist compositions produced therefrom 失效分离苯酚甲醛缩合物和由其制备的光致抗蚀剂组合物
公开(公告)号：US5693749A
公开(公告)日：1997-12-02
申请号：US530648
申请日：1995-09-20
CPC分类号： G03F7/0236 , C08G8/08
摘要： A process for producing a water insoluble, aqueous alkali soluble, film forming novolak resin fraction having a low metal ion content, made by the fractionation of a phenol formaldehyde condensation product, a process for producing a photoresist compositions containing such a novolak resin, and a method for producing a semiconductor device using such a photoresist composition.
摘要翻译： 通过分解苯酚甲醛缩合产物制备具有低金属离子含量的水不溶性水溶性成膜酚醛清漆树脂级分的方法，制备含有这种酚醛清漆树脂的光致抗蚀剂组合物的方法和 使用这种光致抗蚀剂组合物的半导体器件的制造方法。
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5.发明授权Metal ion reduction in novolak resin using an ion exchange catalyst in a polar solvent and photoresists compositions therefrom 失效使用离子交换催化剂在极性溶剂中的酚醛清漆树脂中的金属离子还原，并由其制备光致抗蚀剂组合物
公开(公告)号：US5521052A
公开(公告)日：1996-05-28
申请号：US365659
申请日：1994-12-30
CPC分类号： C08G8/04 , G03F7/004 , Y10S430/106 , Y10S438/948
摘要： The present invention provides methods for producing water insoluble, aqueous alkali soluble, film forming novolak resins having an extremely low level of metal ions, utilizing treated anion and cation exchange resins. A method is also provided for producing photoresist composition having a very low level of metal ions from such novolak resin and for producing semiconductor devices using such photoresist compositions.
摘要翻译： 本发明提供了利用处理过的阴离子和阳离子交换树脂生产具有极低水平金属离子的水不溶性水溶性成膜酚醛清漆树脂的方法。 还提供了一种用于生产具有来自这种酚醛清漆树脂的非常低水平的金属离子并且使用这种光致抗蚀剂组合物制造半导体器件的光致抗蚀剂组合物的方法。
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6.发明授权
公开(公告)号：US5688893A
公开(公告)日：1997-11-18
申请号：US771715
申请日：1996-12-20
CPC分类号： C08G8/08 , G03F7/0236
摘要： The present invention provides methods for producing water insoluble, aqueous alkali soluble novolak resins having a precise and consistent molecular weight, by adjusting the concentration of Lewis base. A method is also provided for producing photoresist composition from such novolak resins and for producing semiconductor devices using such photoresist compositions.
摘要翻译： 本发明提供了通过调节路易斯碱的浓度来制备具有精确和一致分子量的水不溶性水溶性酚醛清漆树脂的方法。 还提供了用于由这种酚醛清漆树脂制造光致抗蚀剂组合物并用于制备使用这种光致抗蚀剂组合物的半导体器件的方法。
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7.发明授权Metal ion reduction in the raw materials and using a Lewis base to control molecular weight of novolak resin to be used in positive photoresists 失效原料中的金属离子还原，并使用路易斯碱控制用于阳性光致抗蚀剂中的酚醛清漆树脂的分子量
公开(公告)号：US5476750A
公开(公告)日：1995-12-19
申请号：US999500
申请日：1992-12-29
CPC分类号： C08G8/08 , G03F7/0236
摘要： The present invention provides methods for producing water insoluble, aqueous alkali soluble novolak resins having a very low level of metal ions and a substantially consistent molecular weight. A method is also provided for producing photoresist composition from such novolak resins and for producing semiconductor devices using such photoresist compositions.
摘要翻译： 本发明提供了生产具有非常低水平的金属离子和基本上一致的分子量的水不溶性的碱溶性酚醛清漆树脂的方法。 还提供了用于由这种酚醛清漆树脂制造光致抗蚀剂组合物并用于制备使用这种光致抗蚀剂组合物的半导体器件的方法。
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8.发明授权Low metal ion containing 4,4'-[1-[4-[1-(4-Hydroxyphenyl)-1-methylethyl]phenyl]ethylidene]bisphe nol and photoresist compositions therefrom 失效含有4,4' - [1- [4- [1-（4-羟基苯基）-1-甲基乙基]苯基]亚乙基]双酚的低金属离子及其光致抗蚀剂组合物
公开(公告)号：US5656413A
公开(公告)日：1997-08-12
申请号：US535701
申请日：1995-09-28
申请人： M. Dalil Rahman , Daniel P. Aubin
发明人： M. Dalil Rahman , Daniel P. Aubin
IPC分类号： G03F7/027 , C07C29/76 , C07C37/82 , C07C39/15 , C08G8/08 , C08L61/06 , G03F7/022 , G03C5/56 , C02F1/42 , H01L21/312
CPC分类号： C08G8/08 , C07C39/15 , G03F7/0226 , Y10S438/948
摘要： The present invention provides methods for producing TPPA having low level of metal ions, utilizing treated ion exchange resins. A method is also provided for producing photoresist composition having a very low level of metal ions from such TPPA for producing semiconductor devices using such photoresist compositions.
摘要翻译： 本发明提供了利用处理的离子交换树脂制备具有低水平金属离子的TPPA的方法。 还提供了一种用于制备具有非常低水平的金属离子的光致抗蚀剂组合物的方法，所述光致抗蚀剂组合物具有来自这种TPPA的非常低水平的金属离子，用于使用这种光致抗蚀剂组合物
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9.发明授权Metal ion reduction in photoresist compositions by chelating ion exchange resin 失效通过螯合离子交换树脂在光致抗蚀剂组合物中金属离子还原
公开(公告)号：US5962183A
公开(公告)日：1999-10-05
申请号：US562867
申请日：1995-11-27
申请人： M. Dalil Rahman , Daniel P. Aubin
发明人： M. Dalil Rahman , Daniel P. Aubin
CPC分类号： C08G8/00 , G03F7/0233 , G03F7/0236
摘要： The present invention provides methods for producing a photoresist having a very low level of metal ions, utilizing a treated chelating ion exchange resins to make the neutral ammonium salt or acid form. A method is also provided for producing semiconductor devices using such photoresist compositions.
摘要翻译： 本发明提供使用经过处理的螯合离子交换树脂制备中等铵盐或酸形式的具有非常低水平金属离子的光致抗蚀剂的方法。 还提供了一种用于制造使用这种光致抗蚀剂组合物的半导体器件的方法。
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10.发明授权Process for producing surfactant having a low metal ion level and developer produced therefrom 失效具有低金属离子水平的表面活性剂和由其制备的显影剂的方法
公开(公告)号：US5750031A
公开(公告)日：1998-05-12
申请号：US533828
申请日：1995-09-26
申请人： M. Dalil Rahman , Daniel P. Aubin
发明人： M. Dalil Rahman , Daniel P. Aubin
IPC分类号： B01D15/04 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/32
摘要： The present invention provides a process for producing a developer containing a surfactant which contains a very low level of metal ions.
摘要翻译： 本发明提供了含有含有非常低水平的金属离子的表面活性剂的显影剂的制造方法。
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