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    Deposition method for transition-metal oxide based dielectric
    3.
    发明申请
    Deposition method for transition-metal oxide based dielectric 审中-公开
    基于过渡金属氧化物的电介质的沉积方法

    公开(公告)号：US20080182427A1

    公开(公告)日：2008-07-31

    申请号：US11698337

    申请日：2007-01-26

    申请人： Lars Oberbeck ,  Uwe Schroeder ,  Johannes Heitmann ,  Stephan Kudelka ,  Tim Boescke ,  Jonas Sundqvist

    发明人： Lars Oberbeck ,  Uwe Schroeder ,  Johannes Heitmann ,  Stephan Kudelka ,  Tim Boescke ,  Jonas Sundqvist

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L29/92

    CPC分类号： H01L21/02337 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31641 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

    摘要： The present invention relates to a method for depositing a dielectric material comprising a transition metal oxide. In an initial step, a substrate is provided. In a further step, a first precursor comprising a transition metal containing compound, and a second precursor predominantly comprising at least one of water vapor, ozone, oxygen, or oxygen plasma are sequentially applied for depositing above the substrate a layer of a transition metal containing material. In another step, a third precursor comprising a dopant containing compound, and a fourth precursor predominantly comprising at least one of water vapor, ozone, oxygen, or oxygen plasma are sequentially applied for depositing above the substrate a layer of a dopant containing material. The transition metal comprises at least one of zirconium and hafnium. The dopant comprises at least one of barium, strontium, calcium, niobium, bismuth, magnesium, and cerium.

    摘要翻译： 本发明涉及沉积包含过渡金属氧化物的电介质材料的方法。 在初始步骤中，提供衬底。 在另一步骤中，依次施加包含含过渡金属的化合物的第一前体和主要包含水蒸气，臭氧，氧或氧等离子体中的至少一种的第二前体，以在基底上沉积含有过渡金属的层 材料。 在另一步骤中，顺序地施加包含掺杂剂的化合物的第三前体和主要包含水蒸汽，臭氧，氧或氧等离子体中的至少一种的第四前体，以在衬底上沉积含掺杂剂材料的层。 过渡金属包括锆和铪中的至少一种。 掺杂剂包括钡，锶，钙，铌，铋，镁和铈中的至少一种。

    METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL
    5.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL 审中-公开
    生产太阳能电池的方法

    公开(公告)号：US20120108003A1

    公开(公告)日：2012-05-03

    申请号：US13287212

    申请日：2011-11-02

    申请人： Bernd Bitnar ,  Lars Oberbeck ,  Ralf Luedemann

    发明人： Bernd Bitnar ,  Lars Oberbeck ,  Ralf Luedemann

    IPC分类号： H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： In various embodiments, a method for producing a solar cell is provided. In accordance with the method, through-holes may be formed in a solar cell substrate having the basic doping of a first conduction type. Furthermore, predetermined surface regions of a first surface of the solar cell substrate which include at least one portion of the through-holes may be highly doped with a second, opposite conduction type; and simultaneously or subsequently other surface regions of the first surface are lightly doped with the second conduction type. Furthermore, first and second metallic contacts may subsequently be formed in such a way that the second metallic contacts are electrically isolated from the first metallic contacts.

    摘要翻译： 在各种实施例中，提供了一种太阳能电池的制造方法。 根据该方法，可以在具有第一导电类型的基本掺杂的太阳能电池基板中形成通孔。 此外，包括至少一部分通孔的太阳能电池基板的第一表面的预定表面区域可以被高度掺杂第二相反的导电类型; 并且第一表面的同时或随后的其它表面区域被轻掺杂第二导电类型。 此外，第一和第二金属触点可以随后形成为使得第二金属触点与第一金属触点电隔离。

    Substituted donor atoms in silicon crystal for quantum computer
    8.
    发明授权
    Substituted donor atoms in silicon crystal for quantum computer 有权
    用于量子计算机的硅晶体中的取代的供体原子

    公开(公告)号：US07097708B2

    公开(公告)日：2006-08-29

    申请号：US10484759

    申请日：2002-08-20

    申请人： Robert Graham Clark ,  Neil Jonathan Curson ,  Toby Hallam ,  Lars Oberbeck ,  Steven Richard Schofield ,  Michelle Yvonne Simmons

    发明人： Robert Graham Clark ,  Neil Jonathan Curson ,  Toby Hallam ,  Lars Oberbeck ,  Steven Richard Schofield ,  Michelle Yvonne Simmons

    IPC分类号： C30B25/12

    CPC分类号： G06N99/002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/18

    摘要： This invention concerns nanoscale products, such as electronic devices fabricated to nanometer accuracy. It also concerns atomic scale products. These products may have an array of electrically active dopant atoms in a silicon surface, or an encapsulated layer of electrically active donor atoms. In a further aspect the invention concerns a method of fabricating such products. The methods include forming a preselected array of donor atoms incorporated into silicon. Encapsulation by growing silicon over a doped surface, after desorbing the passivating hydrogen. Also, using an STM to view donor atoms on the silicon surface during fabrication of a nanoscale device, and measuring the electrical activity of the donor atoms during fabrication of a nanoscale device. Such products and processes are useful in the fabrication of a quantum computer, but could have many other uses.

    摘要翻译： 本发明涉及纳米级产品，例如以纳米精度制造的电子器件。 它也涉及原子级产品。 这些产品可以在硅表面或电活性供体原子的封装层中具有阵列的电活性掺杂剂原子。 在另一方面，本发明涉及一种制造这种产品的方法。 所述方法包括形成掺入硅中的供体原子的预选阵列。 在解吸钝化氢后，通过在掺杂表面上生长硅来封装。 此外，在制造纳米级器件期间使用STM来观察硅表面上的供体原子，并且在制造纳米尺度器件期间测量施主原子的电活性。 这样的产品和方法在量子计算机的制造中是有用的，但是可以具有许多其它用途。