公开(公告)号：US07352022B2

公开(公告)日：2008-04-01

申请号：US11207740

申请日：2005-08-22

申请人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Bum-seok Seo

发明人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Bum-seok Seo

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L28/40

摘要： A capacitor having a dielectric layer including a composite oxide, the composite oxide including a transition metal and including a lanthanide group element, a memory device including the same and a method of manufacturing the capacitor are provided. The transition metal may be titanium and the composite oxide may be nitrided. The method may include providing a precursor of a transition metal, providing a precursor of a lanthanide group element, and forming a composite oxide on the lower electrode by oxidizing both the precursor of the transition metal and the precursor of the lanthanide group element, the composite oxide containing the transition metal and the lanthanide group element.

摘要翻译： 提供具有包括复合氧化物的电介质层的电容器，包含过渡金属并且包括镧系元素元素的复合氧化物，包括其的存储装置和制造电容器的方法。 过渡金属可以是钛，并且复合氧化物可以被氮化。 该方法可以包括提供过渡金属的前体，提供镧系元素元素的前体，以及通过氧化过渡金属的前体和镧系元素前体的复合氧化物，形成复合氧化物，复合材料 含有过渡金属和镧系元素的氧化物。

公开(公告)号：US20050194622A1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：US11013923

申请日：2004-12-17

申请人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park

发明人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L27/10 ,  G11C16/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/115 ,  H01L27/22 ,  H01L29/92 ,  H01L45/00 ,  H01L49/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/108 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L27/2436 ,  H01L28/40 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： In a capacitor of a semiconductor device, a semiconductor memory device including the capacitor, and a method of operating the semiconductor memory device, the capacitor includes a lower electrode, a dielectric layer stacked on the lower electrode, the dielectric layer including a phase-transition layer capable of exhibiting two different resistance characteristics depending on whether an insulating property thereof has been changed, and an upper electrode stacked on the dielectric layer.

摘要翻译： 在半导体器件的电容器中，包括电容器的半导体存储器件以及半导体存储器件的操作方法，电容器包括下电极，堆叠在下电极上的电介质层，电介质层包括相转变 层，其能够根据其绝缘性是否变化而呈现出两种不同的电阻特性，以及堆叠在电介质层上的上电极。

公开(公告)号：US20050145916A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：US11011479

申请日：2004-12-15

申请人： Sung-ho Park ,  Jung-hyun Lee

发明人： Sung-ho Park ,  Jung-hyun Lee

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/75

摘要： A capacitor of a semiconductor device, and a method of manufacturing the capacitor of the semiconductor device, include a lower electrode layer, a dielectric layer, and an upper electrode layer, wherein the dielectric layer includes tantalum (Ta) oxide and an oxide of a Group 5 element, such as niobium (Nb) or vanadium (V).

摘要翻译： 半导体器件的电容器和制造半导体器件的电容器的方法包括下电极层，电介质层和上电极层，其中电介质层包括氧化钽（Ta）和氧化物 第5族元素，如铌（Nb）或钒（V）。

公开(公告)号：US20060049447A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US11219805

申请日：2005-09-07

申请人： Jung-hyun Lee ,  Young-soo Park ,  Sung-ho Park

发明人： Jung-hyun Lee ,  Young-soo Park ,  Sung-ho Park

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： C07F9/902 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45531 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

摘要： An antimony precursor including antimony, nitrogen and silicon, a phase-change memory device using the same, and a method of making the phase-change memory device. The phase-change memory device may have a phase-change film of a Ge2—Sb2—Te5 material including nitrogen and silicon.

摘要翻译： 包括锑，氮和硅的锑前体，使用该锑前体的相变存储器件以及制造该相变存储器件的方法。 相变存储器件可以具有包括氮和硅的Ge 2 -Sb 2 -Te 5-5材料的相变膜。

公开(公告)号：US20060040444A1

公开(公告)日：2006-02-23

申请号：US11207711

申请日：2005-08-22

申请人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Sang-jun Choi

发明人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Sang-jun Choi

IPC分类号： H01L21/8244

CPC分类号： H01G9/00 ,  H01L28/56 ,  H01L28/65 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor and a method of fabricating the capacitor are provided herein. The capacitor can be formed by forming two or more dielectric layers and a lower electrode, wherein at least one of the two or more dielectric layers is formed before the lower electrode is formed.

摘要翻译： 本文提供电容器和制造电容器的方法。 可以通过形成两个或更多个电介质层和下电极来形成电容器，其中在形成下电极之前形成两个或更多个电介质层中的至少一个。

公开(公告)号：US08513634B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US12457539

申请日：2009-06-15

申请人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park

发明人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Myoung-jae Lee ,  Young-soo Park

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L27/2436 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0009 ,  G11C2213/32 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L28/40 ,  H01L45/04 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A data storage and a semiconductor memory device including the same are provided, the data storage including a lower electrode, a first discharge prevention layer stacked on the lower electrode, a phase-transition layer on the first discharge prevention layer, a second discharge prevention layer stacked on the phase-transition layer, and an upper electrode stacked on the second discharge prevention layer. The phase transition layer includes oxygen and exhibits two different resistance characteristics depending on whether an insulating property thereof changed. The first and second discharge prevention layers block discharge of the oxygen from the phase transition layer.

公开(公告)号：US20100159637A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12654839

申请日：2010-01-06

申请人： Jung-hyun Lee ,  Young-soo Park ,  Sung-ho Park

发明人： Jung-hyun Lee ,  Young-soo Park ,  Sung-ho Park

IPC分类号： H01L21/06 ,  C07F7/10

CPC分类号： C07F9/902 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45531 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

摘要： An antimony precursor including antimony, nitrogen and silicon, a phase-change memory device using the same, and a method of making the phase-change memory device. The phase-change memory device may have a phase-change film of a Ge2—Sb2—Te5 material including nitrogen and silicon.

摘要翻译： 包括锑，氮和硅的锑前体，使用该锑前体的相变存储器件以及制造该相变存储器件的方法。 相变存储器件可以具有包括氮和硅的Ge2-Sb2-Te5材料的相变膜。

公开(公告)号：US07732851B2

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US11207711

申请日：2005-08-22

申请人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Sang-jun Choi

发明人： Jung-hyun Lee ,  Sung-ho Park ,  Sang-jun Choi

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01G9/00 ,  H01L28/56 ,  H01L28/65 ,  H01L28/90

摘要： A capacitor and a method of fabricating the capacitor are provided herein. The capacitor can be formed by forming two or more dielectric layers and a lower electrode, wherein at least one of the two or more dielectric layers is formed before the lower electrode is formed.

摘要翻译： 本文提供电容器和制造电容器的方法。 可以通过形成两个或更多个电介质层和下电极来形成电容器，其中在形成下电极之前形成两个或更多个电介质层中的至少一个。

公开(公告)号：US07491347B2

公开(公告)日：2009-02-17

申请号：US11282486

申请日：2005-11-21

申请人： Sung-ho Park ,  Jung-hyun Lee

发明人： Sung-ho Park ,  Jung-hyun Lee

IPC分类号： H01B1/06 ,  H01B1/02 ,  C22C14/00

CPC分类号： C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405

摘要： A Ti-precursor for forming a Ti-containing thin layer represented by the formula I below, a method of preparing the same, a method of preparing a Ti-containing thin layer by employing the Ti-precursor and the Ti-containing thin layer are provided: wherein X1 and X2 are independently F, Cl, Br or I; n is 0, 1, 2, 3, 4 or 5; m is 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6 or 7; and R1 and R2 are independently a linear or branched C1-10 alkyl group. The Ti precursor for forming the Ti-containing thin layer can be deposited at a deposition temperature of approximately 150° C.˜200° C., and a Ti-containing thin layer with a high performance character can be prepared.

摘要翻译： 用于形成由下式I表示的含Ti薄层的Ti前体，其制备方法，通过使用Ti前体和含Ti薄层制备含Ti薄层的方法是 其中X1和X2独立地为F，Cl，Br或I; n为0，1，2，3，4或5; m为0,1,2,3,4,5,6或7; 并且R 1和R 2独立地为直链或支链C 1-10烷基。 用于形成含Ti薄层的Ti前体可以在约150℃〜200℃的沉积温度下沉积，并且可以制备具有高性能特征的含钛薄层。

公开(公告)号：US20060157861A1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：US11282486

申请日：2005-11-21

申请人： Sung-ho Park ,  Jung-hyun Lee

发明人： Sung-ho Park ,  Jung-hyun Lee

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L23/48

CPC分类号： C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405

摘要： A Ti-precursor for forming a Ti-containing thin layer represented by the formula I below, a method of preparing the same, a method of preparing a Ti-containing thin layer by employing the Ti-precursor and the Ti-containing thin layer are provided: wherein X1 and X2 are independently F, Cl, Br or I; n is 0, 1, 2, 3, 4 or 5; m is 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6 or 7; and R1 and R2 are independently a linear or branched C1-10 alkyl group. The Ti precursor for forming the Ti-containing thin layer can be deposited at a deposition temperature of approximately 150° C.˜200° C., and a Ti-containing thin layer with a high performance character can be prepared.

摘要翻译： 用于形成由下式I表示的含Ti薄层的Ti前体，其制备方法，通过使用Ti前体和含Ti薄层制备含Ti薄层的方法是 其中X 1和X 2各自独立地为F，Cl，Br或I; n为0，1，2，3，4或5; m为0,1,2,3,4,5,6或7; R 1和R 2分别独立地为直链或支链C 1-10烷基。 用于形成含Ti薄层的Ti前体可以在约150℃〜200℃的沉积温度下沉积，并且可以制备具有高性能特征的含钛薄层。