公开(公告)号：US20120068289A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13069135

申请日：2011-03-22

申请人： Susan Alie ,  Martin U. Pralle ,  Chintamani Palsule ,  Jeffrey McKee ,  Xia Li

发明人： Susan Alie ,  Martin U. Pralle ,  Chintamani Palsule ,  Jeffrey McKee ,  Xia Li

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L31/02327 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

摘要： Photosensitive semiconductor devices and associated methods are provided. In one aspect, a semiconductor device can include a semiconductor substrate and a semiconductor layer coupled to the semiconductor substrate, where the semiconductor layer has a device surface opposite the semiconductor substrate. The device also includes at least one textured region coupled between the semiconductor substrate and the semiconductor layer. In another aspect, the device further includes at least one dielectric layer coupled between the semiconductor substrate and the semiconductor layer.

摘要翻译： 提供了感光半导体器件和相关方法。 一方面，半导体器件可以包括半导体衬底和耦合到半导体衬底的半导体层，其中半导体层具有与半导体衬底相对的器件表面。 该器件还包括耦合在半导体衬底和半导体层之间的至少一个纹理区域。 在另一方面，该器件还包括耦合在半导体衬底和半导体层之间的至少一个电介质层。

公开(公告)号：US20110121424A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US12771848

申请日：2010-04-30

申请人： James Carey ,  Xia Li ,  Susan Alie ,  Martin U. Pralle

发明人： James Carey ,  Xia Li ,  Susan Alie ,  Martin U. Pralle

IPC分类号： H01L31/105 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/223 ,  H01L21/324 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

摘要： Radiation-absorbing semiconductor devices and associated methods of making and using are provided. In one aspect, for example, a method for making a radiation-absorbing semiconductor device having enhanced photoresponse can include forming an active region on a surface of a low oxygen content semiconductor, and annealing the low oxygen content semiconductor to a temperature of from about 300° C. to about 1100° C., wherein the forming of the active region and the annealing of the low oxygen content semiconductor are performed in a substantially oxygen-depleted environment.

摘要翻译： 提供了辐射吸收半导体器件及相关的制造和使用方法。 在一个方面，例如，用于制造具有增强的光响应的辐射吸收半导体器件的方法可以包括在低氧含量半导体的表面上形成有源区，并将低氧含量半导体退火至约300 约1100℃，其中活性区的形成和低氧含量半导体的退火在基本上耗氧的环境中进行。

公开(公告)号：US08309389B1

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US12879950

申请日：2010-09-10

申请人： Susan Alie ,  Stephen D. Saylor ,  Christopher J. Vineis

发明人： Susan Alie ,  Stephen D. Saylor ,  Christopher J. Vineis

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/02363 ,  Y02E10/50

摘要： Photovoltaic semiconductor devices and associated methods are provided. In one aspect, for example, a method of making a photovoltaic semiconductor device having enhanced electromagnetic radiation absorption can include applying a damage removal etch (DRE) to a semiconductor material to an RMS surface roughness of from about 0.5 nm to about 50 nm and texturing a single side of the semiconductor material. The texturing further includes irradiating a target region of the semiconductor material with laser radiation to create features having a size of from about 50 nm to about 10 microns.

摘要翻译： 提供了光伏半导体器件和相关方法。 在一个方面，例如，制造具有增强的电磁辐射吸收的光伏半导体器件的方法可以包括将损伤去除蚀刻（DRE）施加到半导体材料至约0.5nm至约50nm的RMS表面粗糙度，并且纹理化 半导体材料的单面。 纹理还包括用激光辐射照射半导体材料的目标区域以产生尺寸为约50nm至约10微米的特征。

公开(公告)号：US20100090347A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12248709

申请日：2008-10-09

申请人： Stephen D. Saylor ,  Susan Alie

发明人： Stephen D. Saylor ,  Susan Alie

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/44 ,  H01L21/425

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/76814 ,  H01L29/665

摘要： The present disclosure is directed to the preparation of a semiconductor substrate, and metallization of a contact area on the substrate to produce a contact in a semiconductor device. The method includes pre-treating the substrate by ultra fast laser treatment of a contact area, and depositing an interconnect metal layer on the contact area to create a contact. The process may include depositing a layer of dielectric-forming material on the substrate and removing a portion of the dielectric material from the substrate to reveal a contact area, prior to laser treating and metallization.

摘要翻译： 本公开涉及半导体衬底的制备以及在衬底上的接触区域的金属化以在半导体器件中产生接触。 所述方法包括通过接触区域的超快速激光处理对所述衬底进行预处理，以及在所述接触区域上沉积互连金属层以形成接触。 该方法可以包括在基板上沉积电介质形成材料层，并在激光处理和金属化之前从衬底去除介电材料的一部分以露出接触面积。

公开(公告)号：US20050127499A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US10827680

申请日：2004-04-19

申请人： Kieran Harney ,  Lawrence Felton ,  Thomas Kieran Nunan ,  Susan Alie ,  Bruce Wachtmann

发明人： Kieran Harney ,  Lawrence Felton ,  Thomas Kieran Nunan ,  Susan Alie ,  Bruce Wachtmann

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  H01L23/12

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2203/019 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/1461

摘要： A MEMS device has at least one conductive path extending from the top facing side of its substrate (having MEMS structure) to the bottom side of the noted substrate. The at least one conductive path extends through the substrate as noted to electrically connect the bottom facing side with the MEMS structure.

摘要翻译： MEMS器件具有从其衬底（具有MEMS结构）的顶面侧延伸到所述衬底的底侧的至少一个导电路径。 所述至少一个导电路径延伸穿过衬底，如将所述底面朝向侧面与MEMS结构电连接。

公开(公告)号：US07910391B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US12204296

申请日：2008-09-04

申请人： Susan Alie

发明人： Susan Alie

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/26 ,  B81C1/00285 ,  B81C2201/0143 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： The present disclosure relates to methods of treating a silicon substrate with an ultra-fast laser to create a getter material for example in a substantially enclosed MEMS package. In an embodiment, the laser treating comprises irradiating the silicon surface with a plurality of laser pulses adding gettering microstructure to the treated surface. Semiconductor based packaged devices, e.g. MEMS, are given as examples hereof.

摘要翻译： 本公开涉及用超快速激光处理硅衬底以产生例如在基本封闭的MEMS封装中的吸气材料的方法。 在一个实施例中，激光处理包括用多个激光脉冲对硅表面照射，以将吸收微结构加到被处理的表面上。 基于半导体的封装器件，例如 MEMS作为示例。

公开(公告)号：US20090261464A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：US12204296

申请日：2008-09-04

申请人： Susan Alie

发明人： Susan Alie

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L23/02

CPC分类号： H01L23/26 ,  B81C1/00285 ,  B81C2201/0143 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： The present disclosure relates to methods of treating a silicon substrate with an ultra-fast laser to create a getter material for example in a substantially enclosed MEMS package. In an embodiment, the laser treating comprises irradiating the silicon surface with a plurality of laser pulses adding gettering microstructure to the treated surface. Semiconductor based packaged devices, e.g. MEMS, are given as examples hereof.

摘要翻译： 本公开涉及用超快速激光处理硅衬底以产生例如在基本封闭的MEMS封装中的吸气材料的方法。 在一个实施例中，激光处理包括用多个激光脉冲对硅表面照射，以将吸收微结构加到被处理的表面上。 基于半导体的封装器件，例如 MEMS作为示例。

公开(公告)号：US20060118946A1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：US11248006

申请日：2005-10-11

申请人： Susan Alie ,  Bruce Wachtmann ,  Michael Judy ,  David Kneedler

发明人： Susan Alie ,  Bruce Wachtmann ,  Michael Judy ,  David Kneedler

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81C2203/019 ,  H01L2224/16225 ,  Y10S257/924

摘要： An apparatus has first and second wafers, and a conductive rim between the first and second wafers. The conductive rim electrically and mechanically connects the first and second wafers. In addition, the conductive rim and second wafer at least in part seal an area on the surface of the first wafer.

摘要翻译： 一种装置具有第一和第二晶片，以及在第一和第二晶片之间的导电边缘。 导电边缘电和机械地连接第一和第二晶片。 此外，导电边缘和第二晶片至少部分地密封第一晶片的表面上的区域。

公开(公告)号：US20050170609A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：US11050469

申请日：2005-02-03

申请人： Susan Alie ,  Bruce Wachtmann ,  Lawrence Felton ,  Changhan Yun

发明人： Susan Alie ,  Bruce Wachtmann ,  Lawrence Felton ,  Changhan Yun

IPC分类号： B81B7/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： B81C1/00301 ,  B81B7/0006 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2207/093 ,  B81B2207/095 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014

摘要： A conductive bond for through-wafer interconnect is produced by forming an electrode through a first wafer from a component on a front side of the first wafer to a back side of the first wafer, forming a first electrically conductive interface in contact with an exposed portion of the electrode on the back side of the first wafer, and conductively bonding the first electrically conductive interface with a second electrically conductive interface on a second wafer under pressure at a temperature below the thermal budget of the stacked wafer device. The process temperature is generally well below the melting points of the electrically conductive interfaces. In some embodiments, the conductive bonding may be facilitated or enabled by performing the conductive bonding in a vacuum.

摘要翻译： 通过从第一晶片的前侧的部件到第一晶片的后侧形成电极通过第一晶片形成电极，形成用于晶片间互连的导电接合，形成与暴露部分接触的第一导电界面 并且在低于所述堆叠晶片装置的热量预算的温度的压力下，在第二晶片上将所述第一导电界面与第二导电界面导电地接合。 工艺温度通常远低于导电界面的熔点。 在一些实施例中，可以通过在真空中执行导电接合来促进或实现导电接合。

公开(公告)号：US20050127525A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US10737231

申请日：2003-12-15

申请人： Susan Alie ,  Bruce Wachtmann ,  Michael Judy ,  David Kneedler

发明人： Susan Alie ,  Bruce Wachtmann ,  Michael Judy ,  David Kneedler

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  H01L23/12

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81C2203/019 ,  H01L2224/16225 ,  Y10S257/924

摘要： An apparatus has first and second wafers, and a conductive rim between the first and second wafers. The conductive rim electrically and mechanically connects the first and second wafers. In addition, the conductive rim and second wafer at least in part seal an area on the surface of the first wafer.

摘要翻译： 一种装置具有第一和第二晶片，以及在第一和第二晶片之间的导电边缘。 导电边缘电和机械地连接第一和第二晶片。 此外，导电边缘和第二晶片至少部分地密封第一晶片的表面上的区域。