公开(公告)号：US08309389B1

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US12879950

申请日：2010-09-10

申请人： Susan Alie ,  Stephen D. Saylor ,  Christopher J. Vineis

发明人： Susan Alie ,  Stephen D. Saylor ,  Christopher J. Vineis

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/02363 ,  Y02E10/50

摘要： Photovoltaic semiconductor devices and associated methods are provided. In one aspect, for example, a method of making a photovoltaic semiconductor device having enhanced electromagnetic radiation absorption can include applying a damage removal etch (DRE) to a semiconductor material to an RMS surface roughness of from about 0.5 nm to about 50 nm and texturing a single side of the semiconductor material. The texturing further includes irradiating a target region of the semiconductor material with laser radiation to create features having a size of from about 50 nm to about 10 microns.

摘要翻译： 提供了光伏半导体器件和相关方法。 在一个方面，例如，制造具有增强的电磁辐射吸收的光伏半导体器件的方法可以包括将损伤去除蚀刻（DRE）施加到半导体材料至约0.5nm至约50nm的RMS表面粗糙度，并且纹理化 半导体材料的单面。 纹理还包括用激光辐射照射半导体材料的目标区域以产生尺寸为约50nm至约10微米的特征。

公开(公告)号：US20100270653A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：US12765232

申请日：2010-04-22

申请人： Christopher Leitz ,  Christopher J. Vineis ,  Leslie G. Fritzemeier

发明人： Christopher Leitz ,  Christopher J. Vineis ,  Leslie G. Fritzemeier

IPC分类号： H01L29/06 ,  B32B17/06 ,  B32B15/04 ,  B32B18/00 ,  B32B15/01 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L31/18 ,  C22C21/00 ,  C22C28/00 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/544 ,  Y10T428/12986

摘要： Methods for forming semiconductor devices include providing a textured template, forming a buffer layer over the textured template, forming a substrate layer over the buffer layer, removing the textured template, thereby exposing a surface of the buffer layer, removing oxide from the exposed surface of the buffer layer, and forming a semiconductor layer over the exposed surface of the buffer layer.

摘要翻译： 用于形成半导体器件的方法包括提供纹理化模板，在纹理化模板上形成缓冲层，在缓冲层上形成衬底层，去除纹理化模板，从而暴露缓冲层的表面，从曝光表面去除氧化物 缓冲层，并且在缓冲层的暴露表面上形成半导体层。

公开(公告)号：US20100193795A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12695408

申请日：2010-01-28

申请人： Leslie G. Fritzemeier ,  Christopher J. Vineis

发明人： Leslie G. Fritzemeier ,  Christopher J. Vineis

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02425 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02609 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： Methods for forming semiconductor devices include providing a crystalline template having an initial grain size, annealing the crystalline template, the annealed template having a final grain size larger than the initial grain size, forming a buffer layer over the annealed template, and forming a semiconductor layer over the buffer layer.

摘要翻译： 用于形成半导体器件的方法包括提供具有初始晶粒尺寸的晶体模板，退火晶体模板，退火模板具有比初始晶粒尺寸更大的最终晶粒尺寸，在退火模板上形成缓冲层，以及形成半导体层 在缓冲层上。

公开(公告)号：US07594967B2

公开(公告)日：2009-09-29

申请号：US10268425

申请日：2002-10-10

申请人： Christopher J. Vineis ,  Richard Westhoff ,  Mayank Bulsara

发明人： Christopher J. Vineis ,  Richard Westhoff ,  Mayank Bulsara

IPC分类号： C30B25/00

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  Y10S117/902 ,  Y10S117/913

摘要： A semiconductor structure including a cap layer formed over a semiconductor substrate having a rough edge, which discourages formation of dislocation pile-up defects.

摘要翻译： 一种半导体结构，包括形成在具有粗糙边缘的半导体衬底上的覆盖层，其阻止形成位错堆积缺陷。

公开(公告)号：US08129747B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US12893777

申请日：2010-09-29

申请人： Richard Westhoff ,  Vicky Yang ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Christopher Leitz

发明人： Richard Westhoff ,  Vicky Yang ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Christopher Leitz

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0251 ,  C30B23/025 ,  C30B23/066 ,  C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/823807

摘要： Dislocation pile-ups in compositionally graded semiconductor layers are reduced or eliminated, thereby leading to increased semiconductor device yield and manufacturability. This is accomplished by introducing a semiconductor layer having a plurality of threading dislocations distributed substantially uniformly across its surface as a starting layer and/or at least one intermediate layer during growth and relaxation of the compositionally graded layer. The semiconductor layer may include a seed layer disposed proximal to the surface of the semiconductor layer and having the threading dislocations uniformly distributed therein.

摘要翻译： 组分梯度半导体层中的位错堆叠被减少或消除，从而导致半导体器件的产量和可制造性的提高。 这是通过在组成渐变层的生长和弛豫期间引入具有多个穿透位错基本上均匀分布在其表面上的半导体层作为起始层和/或至少一个中间层来实现的。 半导体层可以包括接近半导体层的表面并且穿透位错均匀分布在其中的晶种层。

公开(公告)号：US07332417B2

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：US10765372

申请日：2004-01-27

申请人： Richard Westhoff ,  Christopher J. Vineis ,  Matthew T. Currie ,  Vicky T. Yang ,  Christopher W. Leitz

发明人： Richard Westhoff ,  Christopher J. Vineis ,  Matthew T. Currie ,  Vicky T. Yang ,  Christopher W. Leitz

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L21/324 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3247

摘要： Semiconductor structures are formed with semiconductor layers having reduced compositional variation. Top surfaces of the semiconductor layers are substantially haze-free.

摘要翻译： 半导体结构由具有降低的组成变化的半导体层形成。 半导体层的顶表面基本上是无雾的。

公开(公告)号：US07041170B2

公开(公告)日：2006-05-09

申请号：US10392338

申请日：2003-03-19

申请人： Eugene A. Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

发明人： Eugene A. Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

IPC分类号： C30B29/05

CPC分类号： C30B29/52 ,  C23C16/029 ,  C23C16/22 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/02 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A method for minimizing particle generation during deposition of a graded Si1-xGex layer on a semiconductor material includes providing a substrate in an atmosphere including a Si precursor and a Ge precursor, wherein the Ge precursor has a decomposition temperature greater than germane, and depositing the graded Si1-xGex layer having a final Ge content of greater than about 0.15 and a particle density of less than about 0.3 particles/cm2 on the substrate.

摘要翻译： 在半导体材料上沉积梯度的Si 1-x N x N x层的最小化颗粒产生的方法包括在包括Si前体和Ge的气氛中提供衬底 前体，其中所述Ge前体具有大于锗烷的分解温度，以及沉积具有大于约0.15的最终Ge含量的分级的Si 1-x N x Ge x层;以及 衬底上的颗粒密度小于约0.3颗粒/ cm 2。

公开(公告)号：US07674335B2

公开(公告)日：2010-03-09

申请号：US11371442

申请日：2006-03-09

申请人： Eugene A. Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

发明人： Eugene A. Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

IPC分类号： C30B21/02

CPC分类号： C30B29/52 ,  C23C16/029 ,  C23C16/22 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/02 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A method for minimizing particle generation during deposition of a graded Si1−xGex layer on a semiconductor material includes providing a substrate in an atmosphere including a Si precursor and a Ge precursor, wherein the Ge precursor has a decomposition temperature greater than germane, and depositing the graded Si1−xGex layer having a final Ge content of greater than about 0.15 and a particle density of less than about 0.3 particles/cm2 on the substrate.

摘要翻译： 在半导体材料上沉积梯度Si1-xGex层期间最小化颗粒产生的方法包括在包括Si前体和Ge前体的气氛中提供衬底，其中Ge前体的分解温度大于锗烷，并沉积 分级的Si1-xGex层，其具有大于约0.15的最终Ge含量和小于约0.3颗粒/ cm 2的颗粒密度。

公开(公告)号：US20080135830A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11963120

申请日：2007-12-21

申请人： Richard Westhoff ,  Christopher J. Vineis ,  Matthew T. Currie ,  Vicky K. Yang ,  Christopher W. Leitz

发明人： Richard Westhoff ,  Christopher J. Vineis ,  Matthew T. Currie ,  Vicky K. Yang ,  Christopher W. Leitz

IPC分类号： H01L29/15

CPC分类号： H01L21/324 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3247

摘要： Semiconductor structures are formed with semiconductor layers having reduced compositional variation. Top surfaces of the semiconductor layers are substantially haze-free.

摘要翻译： 半导体结构由具有降低的组成变化的半导体层形成。 半导体层的顶表面基本上是无雾的。

公开(公告)号：US20100206216A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12711560

申请日：2010-02-24

申请人： Eugene A. Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

发明人： Eugene A. Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

IPC分类号： C30B25/00

CPC分类号： C30B29/52 ,  C23C16/029 ,  C23C16/22 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/02 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A method for minimizing particle generation during deposition of a graded Si.sub.1-xGe.sub.x layer on a semiconductor material includes providing a substrate in an atmosphere including a Si precursor and a Ge precursor, wherein the Ge precursor has a decomposition temperature greater than germane, and depositing the graded Si.sub.1-xGe.sub.x layer having a final Ge content of greater than about 0.15 and a particle density of less than about 0.3 particles/cm.sup.2 on the substrate.

摘要翻译： 在半导体材料上沉积梯度Si 1-x Ge x层的过程中使颗粒产生最小化的方法包括在包括Si前体和Ge前体的气氛中提供衬底，其中Ge前体具有分解 温度大于锗烷，并沉积具有大于约0.15的最终Ge含量并且小于约0.3颗粒/ cm 2的颗粒密度的梯度Si 1-x Ge 2层在衬底上 。