公开(公告)号：US08053751B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US12591531

申请日：2009-11-23

申请人： Tae-Won Kim ,  Yong-Sun Ko ,  Ki-Jong Park ,  Kyung-Hyun Kim

发明人： Tae-Won Kim ,  Yong-Sun Ko ,  Ki-Jong Park ,  Kyung-Hyun Kim

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

摘要： In a phase-change semiconductor device and methods of manufacturing the same, an example method may include forming a metal layer pattern on a substrate, the metal layer pattern including an opening that exposes a portion of the substrate, forming an etch stop layer on the metal layer pattern, a sidewall of the opening and the exposed portion of the substrate, the etch stop layer formed with a thickness less than an upper thickness threshold, and reducing at least a portion of the etch stop layer, the reduced portion of the etch stop layer forming an electrical connection with the substrate.

摘要翻译： 在相变半导体器件及其制造方法中，示例性方法可以包括在衬底上形成金属层图案，金属层图案包括露出衬底的一部分的开口，在其上形成蚀刻停止层 金属层图案，开口的侧壁和衬底的暴露部分，蚀刻停止层形成为具有小于上部厚度阈值的厚度，以及减少至少一部分蚀刻停止层，蚀刻部分的蚀刻 停止层与基底形成电连接。

公开(公告)号：US20100072446A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12591531

申请日：2009-11-23

申请人： Tae-Won Kim ,  Yong-Sun Ko ,  Ki-Jong Park ,  Kyung-Hyun Kim

发明人： Tae-Won Kim ,  Yong-Sun Ko ,  Ki-Jong Park ,  Kyung-Hyun Kim

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

摘要： In a phase-change semiconductor device and methods of manufacturing the same, an example method may include forming a metal layer pattern on a substrate, the metal layer pattern including an opening that exposes a portion of the substrate, forming an etch stop layer on the metal layer pattern, a sidewall of the opening and the exposed portion of the substrate, the etch stop layer formed with a thickness less than an upper thickness threshold, and reducing at least a portion of the etch stop layer, the reduced portion of the etch stop layer forming an electrical connection with the substrate.

摘要翻译： 在相变半导体器件及其制造方法中，示例性方法可以包括在衬底上形成金属层图案，金属层图案包括露出衬底的一部分的开口，在其上形成蚀刻停止层 金属层图案，开口的侧壁和衬底的暴露部分，蚀刻停止层形成为具有小于上部厚度阈值的厚度，以及减少至少一部分蚀刻停止层，蚀刻部分的蚀刻 停止层与基底形成电连接。

公开(公告)号：US07745341B2

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：US11482760

申请日：2006-07-10

申请人： Tae-Won Kim ,  Yong-Sun Ko ,  Ki-Jong Park ,  Kyung-Hyun Kim

发明人： Tae-Won Kim ,  Yong-Sun Ko ,  Ki-Jong Park ,  Kyung-Hyun Kim

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

摘要： In a phase-change semiconductor device and methods of manufacturing the same, an example method may include forming a metal layer pattern on a substrate, the metal layer pattern including an opening that exposes a portion of the substrate, forming an etch stop layer on the metal layer pattern, a sidewall of the opening and the exposed portion of the substrate, the etch stop layer formed with a thickness less than an upper thickness threshold, and reducing at least a portion of the etch stop layer, the reduced portion of the etch stop layer forming an electrical connection with the substrate.

公开(公告)号：US20070012906A1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：US11482760

申请日：2006-07-10

申请人： Tae-Won Kim ,  Yong-Sun Ko ,  Ki-Jong Park ,  Kyung-Hyun Kim

发明人： Tae-Won Kim ,  Yong-Sun Ko ,  Ki-Jong Park ,  Kyung-Hyun Kim

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

摘要： In a phase-change semiconductor device and methods of manufacturing the same, an example method may include forming a metal layer pattern on a substrate, the metal layer pattern including an opening that exposes a portion of the substrate, forming an etch stop layer on the metal layer pattern, a sidewall of the opening and the exposed portion of the substrate, the etch stop layer formed with a thickness less than an upper thickness threshold, and reducing at least a portion of the etch stop layer, the reduced portion of the etch stop layer forming an electrical connection with the substrate.

摘要翻译： 在相变半导体器件及其制造方法中，示例性方法可以包括在衬底上形成金属层图案，金属层图案包括露出衬底的一部分的开口，在其上形成蚀刻停止层 金属层图案，开口的侧壁和衬底的暴露部分，蚀刻停止层形成为具有小于上部厚度阈值的厚度，以及减少至少一部分蚀刻停止层，蚀刻部分的蚀刻 停止层与基底形成电连接。

公开(公告)号：US08048809B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US11898850

申请日：2007-09-17

申请人： Hyo-Jin Lee ,  Kyung-Hyun Kim ,  Yong-Sun Ko

发明人： Hyo-Jin Lee ,  Kyung-Hyun Kim ,  Yong-Sun Ko

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/7684 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/3212

摘要： A slurry composition includes about 4.25 to about 18.5 weight percent of an abrasive, about 80 to about 95 weight percent of deionized water, and about 0.05 to about 1.5 weight percent of an additive. The slurry composition may further include a surfactant. In a polishing method using the slurry composition, a polysilicon layer may be rapidly polished, and also dishing and erosion of the polysilicon layer may be suppressed.

摘要翻译： 浆料组合物包括约4.25至约18.5重量％的研磨剂，约80至约95重量％的去离子水和约0.05至约1.5重量％的添加剂。 浆料组合物还可以包括表面活性剂。 在使用浆料组合物的抛光方法中，可以快速抛光多晶硅层，并且可以抑制多晶硅层的凹陷和侵蚀。

公开(公告)号：US07781346B2

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US11455815

申请日：2006-06-20

申请人： Cheol-Woo Park ,  Byoung-Moon Yoon ,  Yong-Sun Ko ,  Kyung-Hyun Kim ,  Kwang-Wook Lee

发明人： Cheol-Woo Park ,  Byoung-Moon Yoon ,  Yong-Sun Ko ,  Kyung-Hyun Kim ,  Kwang-Wook Lee

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： A semiconductor structure may be formed by a wet etching process using an etchant containing water. The semiconductor structure may include a plurality of patterns having an increased or higher aspect ratio and may be arranged closer to one another. A dry cleaning process may be performed using hydrogen fluoride gas on the semiconductor structure.

摘要翻译： 可以通过使用含有蚀刻剂的湿法蚀刻工艺形成半导体结构。 半导体结构可以包括具有增加的或更高的纵横比的多个图案，并且可以彼此更靠近地布置。 可以在半导体结构上使用氟化氢气体进行干法处理。

公开(公告)号：US07105474B2

公开(公告)日：2006-09-12

申请号：US10634880

申请日：2003-08-06

申请人： Tae-Hyun Kim ,  Byoung-Moon Yoon ,  Kyung-Hyun Kim ,  Chang-Lyong Song ,  Yong-Sun Ko

发明人： Tae-Hyun Kim ,  Byoung-Moon Yoon ,  Kyung-Hyun Kim ,  Chang-Lyong Song ,  Yong-Sun Ko

IPC分类号： C11D7/50

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D3/3942 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/28

摘要： Disclosed is an organic stripping composition and a method of etching a semiconductor device in which the generation of an Si pitting phenomenon can be prevented. The composition includes a compound including a hydroxyl ion (OH−), a compound including a fluorine ion (F−) and a sufficient amount of an oxidizing agent to control the pH of the composition within the range of from about 6.5 to about 8.0. The method includes dry etching an oxide by a dry etching using a plasma, and then ashing the etched oxide using an ashing process to remove an organic material. The method further includes supplying the organic stripping composition to remove residues including any residual organic material, a metal polymer, and an oxide type polymer. The stripping composition is stable onto various metals and does not induce the Si pitting phenomenon.

摘要翻译： 公开了一种有机剥离组合物和蚀刻半导体器件的方法，其中可以防止产生Si点蚀现象。 该组合物包括含有羟基离子（OH）的化合物，含有氟离子（F）的化合物和足够量的氧化剂以控制pH 的组合物在约6.5至约8.0的范围内。 该方法包括通过使用等离子体的干蚀刻来干蚀刻氧化物，然后使用灰化工艺灰化蚀刻的氧化物以除去有机材料。 该方法还包括提供有机剥离组合物以除去包括任何残余有机材料，金属聚合物和氧化物型聚合物的残余物。 汽提组合物对各种金属是稳定的，不会引起Si点蚀现象。

公开(公告)号：US20050176604A1

公开(公告)日：2005-08-11

申请号：US11021040

申请日：2004-12-23

申请人： Kwang-Wook Lee ,  In-Seak Hwang ,  Yong-Sun Ko ,  Byoung-Moon Yoon ,  Kyung-Hyun Kim ,  Ky-Sub Kim ,  Sun-Young Song ,  Hyuk-Jin Lee ,  Byung-Mook Kim

发明人： Kwang-Wook Lee ,  In-Seak Hwang ,  Yong-Sun Ko ,  Byoung-Moon Yoon ,  Kyung-Hyun Kim ,  Ky-Sub Kim ,  Sun-Young Song ,  Hyuk-Jin Lee ,  Byung-Mook Kim

IPC分类号： C11D1/722 ,  C09K13/04 ,  C09K13/08 ,  C11D1/00 ,  C11D3/02 ,  C11D3/04 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/36 ,  C11D3/39 ,  C11D11/00 ,  C11D17/08 ,  C23G5/036 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/30 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/30 ,  C11D3/364 ,  C11D3/39 ,  C11D3/3947 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/106

摘要： A corrosion-inhibiting cleaning composition for semiconductor wafer processing includes an aqueous admixture of at least water, a surfactant and a corrosion-inhibiting compound selected from a group consisting of amino phosphonates, polyamines and polycarboxylic acids. The quantity of the corrosion-inhibiting compound in the admixture is preferably in a range from about 0.0001 wt % to about 0.1 wt % and the quantity of the surfactant is preferably in a range from about 0.001 wt % to about 1.0 wt %. The aqueous admixture may also include sulfuric acid and a fluoride, which act as oxide etchants, and a peroxide, which acts as a metal etchant.

摘要翻译： 用于半导体晶片处理的腐蚀抑制清洁组合物包括至少水，表面活性剂和选自氨基膦酸盐，多胺和多元羧酸的腐蚀抑制化合物的水性混合物。 混合物中腐蚀抑制化合物的量优选在约0.0001重量％至约0.1重量％的范围内，表面活性剂的量优选在约0.001重量％至约1.0重量％的范围内。 水性混合物还可以包括作为氧化物蚀刻剂的硫酸和氟化物，以及充当金属蚀刻剂的过氧化物。

公开(公告)号：US20070057308A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：US11484676

申请日：2006-07-12

申请人： Chung-Ki Min ,  Yong-Sun Ko ,  Kyung-Hyun Kim

发明人： Chung-Ki Min ,  Yong-Sun Ko ,  Kyung-Hyun Kim

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L45/143 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

摘要： Example embodiments of the present invention relate to an electrode structure, a method of manufacturing the electrode structure, a phase-change memory device having the electrode structure and a method of manufacturing the phase-change memory device. The electrode structure may include a pad, a first insulation layer pattern, a second insulation layer pattern and/or an electrode. The first insulation layer pattern may be formed on the pad. The first insulation layer pattern may have a first opening that partially exposes the pad. The second insulation layer pattern may be formed on the first insulation layer pattern. The second insulation layer pattern may have a second opening connected to the first opening. The electrode may be formed on the pad and filling the first and the second openings.

摘要翻译： 本发明的示例性实施例涉及电极结构，制造电极结构的方法，具有电极结构的相变存储器件和制造相变存储器件的方法。 电极结构可以包括焊盘，第一绝缘层图案，第二绝缘层图案和/或电极。 第一绝缘层图案可以形成在垫上。 第一绝缘层图案可以具有部分地暴露垫的第一开口。 第二绝缘层图案可以形成在第一绝缘层图案上。 第二绝缘层图案可以具有连接到第一开口的第二开口。 电极可以形成在垫上并填充第一和第二开口。

公开(公告)号：US07156722B2

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：US11260902

申请日：2005-10-28

申请人： Chung-Ki Min ,  Yong-Sun Ko ,  Kyung-Hyun Kim

发明人： Chung-Ki Min ,  Yong-Sun Ko ,  Kyung-Hyun Kim

IPC分类号： B24B1/00

CPC分类号： B24B37/16

摘要： A platen structure of a polishing apparatus for semiconductor wafer and a method for exchanging a polishing pad affixed to the same are provided in which the polishing pad supported by the platen is exchanged with convenience within a short time. The platen structure of the polishing apparatus in which the polishing pad attached to the platen of the polishing apparatus comprises a pad plate to which the polishing pad for polishing a wafer is attached, and a platen body combined with the pad plate and having at least one vacuum hole formed thereto to provide a vacuum passage.

摘要翻译： 提供了一种用于半导体晶片的抛光装置的压板结构和用于更换固定在其上的抛光垫的方法，其中在短时间内方便地更换由压板支撑的抛光垫。 抛光装置的压板结构，其中安装在抛光装置的压板上的抛光垫包括一个垫板，用于抛光晶片的抛光垫被安装到该垫板上，以及压板体与该焊盘板组合并具有至少一个 形成真空孔以提供真空通道。