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    SEMICONDUCTOR LIGHT EMMITING DEVICE
    1.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR LIGHT EMMITING DEVICE 失效
    半导体照明装置

    公开(公告)号：US20120056220A1

    公开(公告)日：2012-03-08

    申请号：US13226045

    申请日：2011-09-06

    申请人： Taisuke SATO ,  Masanobu Ando ,  Hajime Nago ,  Koichi Tachibana ,  Toshiyuki Oka ,  Shinya Nunoue

    发明人： Taisuke SATO ,  Masanobu Ando ,  Hajime Nago ,  Koichi Tachibana ,  Toshiyuki Oka ,  Shinya Nunoue

    IPC分类号： H01L33/60

    CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/46

    摘要： According to one embodiment, in a light emitting device, a substrate is transparent to a wavelength of emitted light. A first dielectric layer is formed in a first region on the substrate, and has a refractive index smaller than a refractive index of the substrate. A second dielectric layer is formed in a second region on the substrate surrounding the first region, and has a refractive index larger than the refractive index of the substrate. A first semiconductor layer is formed on the first dielectric layer, the second dielectric layer and the substrate. A second semiconductor layer is formed on the first semiconductor layer, and includes an active layer having a PN junction.

    摘要翻译： 根据一个实施例，在发光器件中，衬底对于发射波长的波长是透明的。 第一电介质层形成在基板上的第一区域中，并且折射率小于基板的折射率。 在包围第一区域的基板上的第二区域中形成第二电介质层，并且折射率大于基板的折射率。 在第一电介质层，第二电介质层和衬底上形成第一半导体层。 第二半导体层形成在第一半导体层上，并且包括具有PN结的有源层。

    Semiconductor light emitting device
    2.
    发明授权
    Semiconductor light emitting device 失效
    半导体发光器件

    公开(公告)号：US08441023B2

    公开(公告)日：2013-05-14

    申请号：US13226045

    申请日：2011-09-06

    申请人： Taisuke Sato ,  Masanobu Ando ,  Hajime Nago ,  Koichi Tachibana ,  Toshiyuki Oka ,  Shinya Nunoue

    发明人： Taisuke Sato ,  Masanobu Ando ,  Hajime Nago ,  Koichi Tachibana ,  Toshiyuki Oka ,  Shinya Nunoue

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/46

    摘要： According to one embodiment, in a light emitting device, a substrate is transparent to a wavelength of emitted light. A first dielectric layer is formed in a first region on the substrate, and has a refractive index smaller than a refractive index of the substrate. A second dielectric layer is formed in a second region on the substrate surrounding the first region, and has a refractive index larger than the refractive index of the substrate. A first semiconductor layer is formed on the first dielectric layer, the second dielectric layer and the substrate. A second semiconductor layer is formed on the first semiconductor layer, and includes an active layer having a PN junction.

    摘要翻译： 根据一个实施例，在发光器件中，衬底对于发射波长的波长是透明的。 第一电介质层形成在基板上的第一区域中，并且折射率小于基板的折射率。 在包围第一区域的基板上的第二区域中形成第二电介质层，并且折射率大于基板的折射率。 在第一电介质层，第二电介质层和衬底上形成第一半导体层。 第二半导体层形成在第一半导体层上，并且包括具有PN结的有源层。

    SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
    4.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME 有权
    半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20110215351A1

    公开(公告)日：2011-09-08

    申请号：US12875822

    申请日：2010-09-03

    申请人： Shigeya Kimura ,  Hajime Nago ,  Toshiyuki Oka ,  Koichi Tachibana ,  Toshiki Hikosaka ,  Shinya Nunoue

    发明人： Shigeya Kimura ,  Hajime Nago ,  Toshiyuki Oka ,  Koichi Tachibana ,  Toshiki Hikosaka ,  Shinya Nunoue

    IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/30

    CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

    摘要： According to one embodiment, a semiconductor light-emitting device includes an n-type semiconductor layer including a nitride semiconductor, a p-type semiconductor layer including a nitride semiconductor, a light-emitting portion and a stacked body. The light-emitting portion is provided between the n-type and p-type semiconductor layers and includes a barrier layer and a well layer. The well layer is stacked with the barrier layer. The stacked body is provided between the light-emitting portion and the n-type semiconductor layer and includes a first layer and a second layer. The second layer is stacked with the first layer. Average In composition ratio of the stacked body is higher than 0.4 times average In composition ratio of the light-emitting portion. The layer thickness tb of the barrier layer is 10 nanometers or less.

    摘要翻译： 根据一个实施例，半导体发光器件包括包括氮化物半导体的n型半导体层，包括氮化物半导体的p型半导体层，发光部分和层叠体。 发光部分设置在n型和p型半导体层之间，并且包括阻挡层和阱层。 阱层与阻挡层堆叠。 所述层叠体设置在所述发光部和所述n型半导体层之间，并且包括第一层和第二层。 第二层与第一层堆叠。 平均层叠体的组成比高于发光部的平均In组成比的0.4倍。 阻挡层的层厚度tb为10纳米以下。

    Nitride semiconductor light emitting device
    9.
    发明授权
    Nitride semiconductor light emitting device 有权
    氮化物半导体发光器件

    公开(公告)号：US08455917B2

    公开(公告)日：2013-06-04

    申请号：US13221456

    申请日：2011-08-30

    申请人： Hajime Nago ,  Koichi Tachibana ,  Toshiyuki Oka ,  Shigeya Kimura ,  Shinya Nunoue

    发明人： Hajime Nago ,  Koichi Tachibana ,  Toshiyuki Oka ,  Shigeya Kimura ,  Shinya Nunoue

    IPC分类号： H01L29/66

    CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06

    摘要： According to one embodiment, in a nitride semiconductor light emitting device, a first clad layer includes an n-type nitride semiconductor. An active layer is formed on the first clad layer, and includes an In-containing nitride semiconductor. A GaN layer is formed on the active layer. A first AlGaN layer is formed on the GaN layer, and has a first Al composition ratio. A p-type second AlGaN layer is formed on the first AlGaN layer, has a second Al composition ratio higher than the first Al composition ratio, and contains a larger amount of Mg than the GaN layer and the first AlGaN layer. A second clad layer is formed on the second AlGaN layer, and includes a p-type nitride semiconductor.

    摘要翻译： 根据一个实施例，在氮化物半导体发光器件中，第一覆盖层包括n型氮化物半导体。 在第一包层上形成有源层，并且包括含In氮化物半导体。 在有源层上形成GaN层。 第一AlGaN层形成在GaN层上，并具有第一Al组成比。 在第一AlGaN层上形成p型第二AlGaN层，具有高于第一Al组成比的第二Al组成比，并且含有比GaN层和第一AlGaN层更大量的Mg。 第二覆盖层形成在第二AlGaN层上，并且包括p型氮化物半导体。